• 本申请涉及显示技术领域,具体而言,本申请涉及一种有机发光显示面板及显示装置。背景技术oled(organiclight-emittingdiode,有机发光二极管)显示屏具有自发光、轻薄、功耗低、响应快等优点,已成为市场上的主流显示产品之一
      专利2022-7-8
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    • 本发明属于矿物加工技术领域,具体涉及一种低品位钒钛磁铁矿尾矿选磷的方法。背景技术钒钛磁铁矿是我国重要的一类黑色金属矿产资源,河北承德地区钒钛磁铁矿的储量超过100亿吨,是国内除攀枝花之外的另一大型钒钛磁铁矿,钛储量居全国第二。该类资源矿物组
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    • 本公开涉及无人机应用及控制技术领域,特别涉及一种紧凑型翻转式双无人机机巢及控制方法。背景技术本部分的陈述仅仅是提供了与本公开相关的背景技术,并不必然构成现有技术。无人机是利用无线电遥控设备和自备的程序控制装置操纵的无人驾驶飞行器,可用于执行
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉柔性显示领域,尤其是涉及一种显示面板。背景技术有源矩阵有机发光二极体(active-matrixorganiclight-emittingdiode,amoled),由于其相对复杂的电路架构使得其具有广视角、超高对比度、低功耗、响应
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及矿山开采设备技术领域,更具体的说是矿山开采溢流型浮选机。背景技术公开号为cn208390244u的发明公开了一种自动浮选机,包括浮选机本体,所述浮选机本体的上端固定设置有搅拌电机,所述搅拌电机的底端通过螺栓固定设置有电机底座,所述
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及建筑工程技术领域,特别涉及一种筒仓及其圆弧形体结构的仓顶的施工方法。背景技术筒仓结构在目前主要用于粮仓、煤仓等农业筒仓或者工业筒仓。筒仓的仓顶一般为圆锥体结构,筒仓的仓顶的厚度一般为1米左右,其厚度较厚。混凝土结构的筒仓的仓顶,其
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及一种半导体外延结构,更具体言之,其涉及一种具有二维电子气或是二维空穴气且缺陷较少的半导体外延结构。背景技术形成异质结(接面)的能力使得氮化镓成为了用来制作高电子移动率晶体管(highelectronmobilitytransist
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及建筑工程技术领域,特别涉及一种筒仓及其仓顶的施工方法、仓顶的气囊型支模体系。背景技术筒仓结构在目前主要用于粮仓、煤仓等农业筒仓或者工业筒仓。筒仓的仓顶一般为圆锥体结构,筒仓的仓顶的厚度一般为1米左右,其厚度较厚。混凝土结构的筒仓,
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及浮选机技术领域,具体为方便收集的矿用浮选机。背景技术浮选机是浮游选矿机的简称,指完成浮选过程的机械设备,在浮选机中,经加入药剂处理后的矿浆,通过搅拌充气,使其中某些矿粒选择性地固着于气泡之上;浮至矿浆表面被刮出形成泡沫产品,其余部
      专利2022-7-8
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    • 本发明是关于一种磊晶结构,特别是关于一种可阻挡缓冲陷阱(buffertrap)的电子进入通道层(channellayer)的崭新的氮面iii族氮化物半导体系列磊晶结构,以及利用该磊晶结构所形成的主动元件与其栅极保护元件。背景技术在过去的习
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及选矿设备技术领域,具体涉及一种微细粒矿物分选用涡流浮选装置。背景技术随着优质矿物资源的逐渐消耗殆尽,难选低品味矿物是今后矿产资源回收的主要方向,这类低品味难选矿物成份复杂,嵌布粒度细,必须通过细磨才能将有用矿物解离出来。从细磨后的
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    • 本发明涉及建筑领域,具体为一种可具有防空洞功能的机动建筑物。背景技术防空洞是为了防备敌人空袭减少损害而挖掘的洞,多用于储备粮食或军需物资,如今大多数建筑的地下室也可作为防空洞以躲避空袭,但介于大部分建筑人流量过大,在空袭警报响起时人流涌向救
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    • 本发明涉及杆塔技术领域,具体为一种抗台风电力杆塔。背景技术杆塔是架空输电线路中用来支撑输电线的支撑物。杆塔多由钢材或钢筋混凝土制成,是架空输电线路的主要支撑结构。杆塔是支承架空输电线路导线和架空地线并使它们之间以及与大地之间保持一定距离的杆
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及薏仁米加工技术领域,尤其涉及一种新型多功能薏仁米加工离心脱水装置。背景技术薏仁米,俗称“薏苡”,是薏苡仁的种子,由于它富有营养,因此是老幼皆宜的食品,薏仁米是我国古老的粮药兼用作物,蛋白质含量平均比稻米、小麦、玉米等高。现有的薏仁
      专利2022-7-8
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    • 本发明是关于一种磊晶结构,特别是关于一种可阻挡缓冲陷阱(buffertrap)的电子进入通道层(channellayer)的崭新的镓面(ga-face)iii族氮化物半导体系列磊晶结构,以及利用该磊晶结构所形成的主动元件与其栅极保护元件。
      专利2022-7-8
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