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    注册 2022-07-06
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    • 本发明涉及5g通讯塔领域,尤其是涉及到一种立式5g通讯塔。背景技术5g网络是第五代移动通信网络,其峰值理论传输速度可达每秒数10gb,比4g网络的传输速度快数百倍,其所要架设的天线数量也会相应增加,通讯铁塔主要由塔体、平台、避雷针、爬梯、天
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及材料运输领域,特别涉及一种生物加工用提取装置及其提取方法。背景技术生物加工是除物理加工和化学加工外的第三种加工形式,生物加工的材料种类较为广泛,且该种加工方法一般对环境的污染性较低,生物加工主要分为,生物的祛除加工、生物的沉积加工
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及高电子迁移率晶体管的领域,特别是涉及一种增强型高电子迁移率晶体管。背景技术在半导体技术中,iii-v族的半导体化合物可用于形成各种集成电路装置,例如:高功率场效晶体管、高频晶体管或高电子迁移率晶体管(highelectronmob
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及高位铁塔的斜拉索领域,具体涉及一种斜拉索润滑维护装置,尤其用于核电站铁塔斜拉索润滑维护。背景技术目前斜拉索技术主要应用于斜拉桥和高位铁塔等建筑的结构稳定性固定。在斜拉桥建筑应用中,锚固所用的斜拉索会自下至上包裹着一层pe管,因此在
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及医疗器械技术领域,具体为一种检验科用成分分离装置。背景技术检验科是临床医学和基础医学之间的桥梁,包括临床化学、临床微生物学、临床免疫学、血液学、体液学以及输血学等分支学科,其中血液分离是将血液中的血细胞与血浆进行分离,血浆的主要作
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及高电子迁移率晶体管的领域,特别是涉及一种增强型高电子迁移率晶体管。背景技术在半导体技术中,iii-v族的半导体化合物可用于形成各种集成电路装置,例如:高功率场效晶体管、高频晶体管或高电子迁移率晶体管(highelectronmob
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及离心机相关领域,尤其是一种自平衡的防水实验室离心机。背景技术离心机是利用离心力,分离液体与固体颗粒或液体与液体的混合物中各组分的机械,离心机在化学实验室内得到广泛应用,如今在进行单数化学试剂离心时,由于需要离心的对称两侧重量相等,
      专利2022-7-8
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    • 本发明属于立杆防倾倒支撑技术领域,具体涉及一种基于风能导向的立杆防倾倒方法及装置。背景技术在一些风力较强的地区或者狂风暴雨等恶劣天气下,风力对着树木、电线杆杆体等立杆结构表面形成水平冲击力,而杆体发生倾斜的主要原因在于其表面遭受水平冲击力较
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及半导体技术领域中的场效应晶体管,特别涉及一种具有双工作模式的氮化镓集成场效应晶体管及其制备方法。背景技术相比于传统半导体硅(si)材料,氮化镓(gan)材料具有更高的载流子迁移率、更高的击穿场强和更高的工作温度,加上algang
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及电力电杆防撞技术领域,是一种电力电杆防撞击装置。背景技术每年因车辆发生车祸撞到路边电杆的情况时有发生,电杆因此倾倒或断裂导致电缆断裂造成电力传输中断,维修麻烦,严重影响人们的生活用电。现有的电杆保护装置一般是围在电杆外的一圈保护装
      专利2022-7-8
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    • 本发明属于石英砂制品的加工和生产领域,特别涉及一种高效的石英砂除铁装置及其工作方法。背景技术石英材料在现代生产中使用的越来越多,使用的范围也越来越广泛,在生产过程中石英矿粉碎后需要进行进一步的提纯处理,其中除铁处理尤为重要,石英砂除铁的效率
      专利2022-7-8
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    • 【关联申请】本申请享受以日本专利申请2019-166211号(申请日:2019年9月12日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。实施方式涉及半导体装置。背景技术作为电力控制用的半导体装置,使用ldmos(l
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及旗杆技术领域,具体为一种可防止旗帜缠绕且倾斜度可调的旗杆。背景技术旗杆是一种用于各种矿厂、企事业单位、生活小区、车站、海关码头、学校、体育场馆、高级酒店和城市广场等等做为一种标识而树立,旗杆为分专业旗杆、注水旗杆、刀旗旗杆、不锈钢
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及化学加工设备技术领域,特别涉及一种化学化工固液分类回收处理装置及其使用方法。背景技术化工是“化学工艺”、“化学工业”、“化学工程”等的简称,凡运用化学方法改变物质组成、结构或合成新物质的技术,都属于化学生产技术,也就是化学工艺,所
      专利2022-7-8
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    • 本发明属于半导体器件技术领域,具体涉及一种基于自对准结构的叠层沟道纳米片晶体管及其制备方法。背景技术随着集成电路中半导体晶体管制程的逐步缩小,由于短沟道效应的存在,器件性能的提升受到严峻的挑战。在3-5nm工艺节点下,器件的具体结构从鳍型场
      专利2022-7-8
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