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    注册 2022-07-06
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    • 【技术领域】本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。【背景技术】随着消费者需求的增加,全面屏显示逐渐成为主流的显示技术。现有的全面屏显示通常在显示区内设置透光功能区,透光功能区所在位置用于设置光学器件,由于光学器件未设置在非
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及一种泊位管理器,具体是一种室外停车用隐藏式泊位管理器。背景技术车位泊位管理器是一种安装在地面上的机械装置,防止别人抢占车位,所以称为泊位管理器,也叫车位锁。由于中国经济的迅猛发展,国民经济水平的不断提高,汽车这种交通工具越来越普遍
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。背景技术柔性可折叠显示装置作为oled(organiclight-emittingdiode,有机发光二极管)装置发展的必然趋势,因消费者的钟爱而具有广阔的市场前景。目前,
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及一种金属矿物捕收剂,具体涉及一种复杂稀土矿浮选的复配捕收剂及其使用方法,属于选矿技术领域。技术背景内蒙古巴尔哲稀土矿(801矿)是一座稀土-铌-锆-铀共生矿,稀土、铌、锆的金属储量均达到了超大型矿床规模,矿床的经济价值极为显著。由
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及一种减速,具体涉及一种斜坡通道用的减速吸水装置。背景技术园区地面道路与地下车库之间一般都有一段斜坡通道,这种斜坡通道有长有短,坡度也有大有小,雨天时,车辆轮胎上以及车辆底盘上的水会跟着车辆进入到斜坡通道内,这些水会导致坡面变得湿滑
      专利2022-7-8
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    • 本申请涉及显示技术领域,具体而言,本申请涉及一种有机发光显示面板及显示装置。背景技术oled(organiclight-emittingdiode,有机发光二极管)显示屏具有自发光、轻薄、功耗低、响应快等优点,已成为市场上的主流显示产品之一
      专利2022-7-8
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    • 本发明属于矿物加工技术领域,具体涉及一种低品位钒钛磁铁矿尾矿选磷的方法。背景技术钒钛磁铁矿是我国重要的一类黑色金属矿产资源,河北承德地区钒钛磁铁矿的储量超过100亿吨,是国内除攀枝花之外的另一大型钒钛磁铁矿,钛储量居全国第二。该类资源矿物组
      专利2022-7-8
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    • 本公开涉及无人机应用及控制技术领域,特别涉及一种紧凑型翻转式双无人机机巢及控制方法。背景技术本部分的陈述仅仅是提供了与本公开相关的背景技术,并不必然构成现有技术。无人机是利用无线电遥控设备和自备的程序控制装置操纵的无人驾驶飞行器,可用于执行
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉柔性显示领域,尤其是涉及一种显示面板。背景技术有源矩阵有机发光二极体(active-matrixorganiclight-emittingdiode,amoled),由于其相对复杂的电路架构使得其具有广视角、超高对比度、低功耗、响应
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及矿山开采设备技术领域,更具体的说是矿山开采溢流型浮选机。背景技术公开号为cn208390244u的发明公开了一种自动浮选机,包括浮选机本体,所述浮选机本体的上端固定设置有搅拌电机,所述搅拌电机的底端通过螺栓固定设置有电机底座,所述
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及建筑工程技术领域,特别涉及一种筒仓及其圆弧形体结构的仓顶的施工方法。背景技术筒仓结构在目前主要用于粮仓、煤仓等农业筒仓或者工业筒仓。筒仓的仓顶一般为圆锥体结构,筒仓的仓顶的厚度一般为1米左右,其厚度较厚。混凝土结构的筒仓的仓顶,其
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    • 本发明涉及一种半导体外延结构,更具体言之,其涉及一种具有二维电子气或是二维空穴气且缺陷较少的半导体外延结构。背景技术形成异质结(接面)的能力使得氮化镓成为了用来制作高电子移动率晶体管(highelectronmobilitytransist
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及建筑工程技术领域,特别涉及一种筒仓及其仓顶的施工方法、仓顶的气囊型支模体系。背景技术筒仓结构在目前主要用于粮仓、煤仓等农业筒仓或者工业筒仓。筒仓的仓顶一般为圆锥体结构,筒仓的仓顶的厚度一般为1米左右,其厚度较厚。混凝土结构的筒仓,
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及浮选机技术领域,具体为方便收集的矿用浮选机。背景技术浮选机是浮游选矿机的简称,指完成浮选过程的机械设备,在浮选机中,经加入药剂处理后的矿浆,通过搅拌充气,使其中某些矿粒选择性地固着于气泡之上;浮至矿浆表面被刮出形成泡沫产品,其余部
      专利2022-7-8
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    • 本发明是关于一种磊晶结构,特别是关于一种可阻挡缓冲陷阱(buffertrap)的电子进入通道层(channellayer)的崭新的氮面iii族氮化物半导体系列磊晶结构,以及利用该磊晶结构所形成的主动元件与其栅极保护元件。背景技术在过去的习
      专利2022-7-8
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