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    注册 2022-07-06
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    • 本发明涉及供电运维管理装置技术领域,尤其是一种便携式用于电杆维护管理的标识装置。背景技术为了对管理辖区内的供电情况进行检修确认,一般的供电所会针对所负责管理的电杆进行标识,而目前使用的标识装置大致有两类,一类是通过在电杆的杆体上粘贴标识贴画
      专利2022-7-8
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    • 技术领域:本发明涉及智能锁技术领域,尤其涉及一种隐藏式智能把手及具有该隐藏式智能把手的智能锁。背景技术:现有的一些智能锁的门把手与常规门把手基本相同,通过指纹、刷卡或钥匙解锁后,转动门把手即可实现开门。然而该类门把手暴露在外,增大了门锁的整
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及太阳能电池领域,特别是涉及一种碲化镉太阳能电池及其制备方法。背景技术碲化镉太阳能电池,较单晶硅太阳能电池有制作方便,成本低廉和重量较轻等优点。碲化镉(cdte)薄膜太阳能电池简称cdte电池,它是一种以p型cdte和n型cds(硫
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及一种放料器,尤其涉及一种外墙美化施工用深槽分格胶带放料器。背景技术外墙分格胶带是建筑外墙仿砖真石漆工程所必须的单面泡棉胶带建筑胶带。外墙上如何把面砖效果做出来成为一件棘手的事情,根据仿面砖真石漆施工的要求和特点,研究、开发的一种仿
      专利2022-7-8
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    • 本申请是于2018年06月04日提交的、申请号为201810565017.x、发明名称为“门锁、锁盖结构及锁止机构”的专利申请的分案申请。本发明涉及机械锁,尤其涉及一种门锁、锁盖结构及锁止机构。背景技术目前,电器设备都需要安装安全性较高的门
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及电动帘配件技术领域,尤其涉及一种用于电动帘的光能装置。背景技术目前市场上遮阳产品,通过电机转动控制帘幕开合实现对阳光的遮挡,电机的供电方式可以通过外接家庭电源、或者通过太阳能热辐射进行发电。采用前一供电方式,需要进行布线,影响墙体
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及摩托车压装技术领域,尤其涉及一种车轮平喷避护装置。背景技术铝合金车轮需进行表面喷涂,但其碟刹面和两端的轴承孔在喷涂时需要避护以防影响后续的装配,通常采用的悬挂式喷涂,悬挂式喷涂存在涂料流挂、浪费、喷涂不均匀以及对空间的污染的缺点。
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及机械结构,特别涉及一种机械锁死与解锁机构。背景技术许多的机械结构都需要一种工作稳定、结构简单、质量较小、使用方便的锁死与解锁机构,当机械结构运动到一定位置后,需要保证机构不再会被外力破坏现有的机械位置与结构,当机械机构完成工作后,
      专利2022-7-8
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    • 本发明属于光电材料及光电探测器制备领域,更具体地,涉及一种基于硒化镉薄膜的近红外窄带探测器及其制备方法。背景技术在生物医学传感、成像、防御和监视等领域,当只需要探测小光谱范围的光,而需要抑制其余的光时(通常是背景或环境辐射),光谱选择性光探
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及填充气袋技术领域,具体为一种对填充气袋自动染色和检测压力的装置。背景技术填充气袋是一种新型轻便且廉价的保护袋,厂家在生产填充气袋后需要对其进行染色,使产品有辨识度,染色通常使用喷墨装置实施,但是在流水作业的过程中需要工作人员注意墨
      专利2022-7-8
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    • 本发明属于工业防盗门技术领域,涉及一种工业防盗门的多锁舌同步内驱伸缩结构。背景技术工业防盗门是一种体积巨大厚度也十分厚实的门,为了提高其锁紧性能,通常人们会提供很多个处于不同高度位置的锁舌,且墙的侧面也会提供多个锁孔,通过多个锁舌和多个锁孔
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及某型导弹头部保护罩的锁紧领域,具体涉及一种延时解锁装置。背景技术目前,导弹运行初期未脱离发射箱时,产生的大量烟雾聚集在发射箱内,导弹头部摄像屏幕污染,造成拍摄影像不清晰。故需要设计一种保护罩对导弹头部的摄像屏幕进行保护,但要求在发
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及半导体核辐射探测技术领域,尤其涉及一种具有pin微结构的algaasgaas中子探测器。背景技术中子探测器是中子探测的核心部件。基于半导体的中子探测器具有功耗低、线性响应范围宽、响应时间快、nγ分辨率好、体积小、工作电压低等优
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及汽车零部件喷漆领域,具体涉及一种油封座旋转喷漆装置。背景技术汽车零部件当中的关重零件,其部分精加工表面粗糙度较高,表面光洁,且尺寸精度高,存在一定的装配要求,此类零件在喷漆处理中,需严格保护光洁面不被漆沾染,防止该光洁面的尺寸、粗
      专利2022-7-8
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    • 本发明涉及半导体核辐射探测技术领域,尤其涉及一种利用湿法刻蚀具有微沟槽的algaasgaas中子探测器。背景技术中子本身不带电,不能通过电离作用引起电离、激发而损失能量。因此,传统的半导体中子探测器是通过在半导体器件表面沉积中子转换层实现
      专利2022-7-8
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