半导体装置的制作方法

    专利2026-07-19  17


    本发明的实施方式涉及半导体装置。


    背景技术:

    1、已知这样一种绝缘元件:其在使一次侧(发送侧)电路与二次侧(接收侧)电路之间电绝缘的状态下,基于向一次侧电路输入的控制信号在一次侧电路中进行控制,由此使二次侧电路的开关元件进行通断动作。另外,作为使用了绝缘元件的半导体装置,例如已知有光继电装置。光继电装置是包含发光元件、受光元件以及具有设于发光元件与受光元件之间的绝缘层的绝缘元件,利用两个mosfet(metal oxide semiconductor field effecttransistor)进行开关动作的半导体继电装置。光继电装置是无触点的继电器,在基于向一次侧电路输入的控制信号利用一次侧电路对二次侧电路的mosfet的通断进行控制时使用。


    技术实现思路

    1、实施方式的半导体装置具备:第一绝缘元件及第二绝缘元件,被基于控制信号进行控制;第一控制电路,基于控制信号对第一绝缘元件及第二绝缘元件中的任一方的选择进行控制;第一开关元件;第二开关元件;第二控制电路,基于第一绝缘元件的输出对第一开关元件进行控制;以及第三控制电路,基于第二绝缘元件的输出基对第二开关元件进行控制。

    2、根据本实施方式,可提供能够抑制两个开关元件同时接通的半导体装置。



    技术特征:

    1.一种半导体装置,其特征在于,具备:

    2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

    3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

    4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

    5.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

    6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,

    7.根据权利要求5或6所述的半导体装置,其特征在于,

    8.根据权利要求5或6所述的半导体装置,其特征在于,

    9.根据权利要求5或6所述的半导体装置,其特征在于,

    10.根据权利要求1至3、5中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

    11.根据权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,

    12.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

    13.根据权利要求12所述的半导体装置,其特征在于,

    14.根据权利要求12或13所述的半导体装置,其特征在于,


    技术总结
    本发明的实施方式涉及半导体装置。一实施方式的半导体装置(1)具备:第一及第二绝缘元件(110、210),被基于控制信号VIN进行控制;第一控制电路(100),基于控制信号对第一及第二绝缘元件中的任一方的选择进行控制;第一开关元件(SW1);第二开关元件(SW2);第二控制电路(140b),基于第一绝缘元件的输出对第一开关元件(SW1)进行控制;以及第三控制电路(240b),基于第二绝缘元件的输出对第二开关元件(SW2)进行控制。

    技术研发人员:新仓雄一郎,常次幸男,今井恒
    受保护的技术使用者:株式会社东芝
    技术研发日:
    技术公布日:2024/4/29
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