显示装置以及用于显示装置的制造方法与流程

    专利2026-07-18  16


    实施例涉及一种显示装置、一种柔性显示装置以及一种用于显示装置的制造方法。


    背景技术:

    1、随着信息技术发展,向用户提供各种信息的显示装置已经是重要的。显示装置包括能够发射光的发光元件和用于驱动发光元件的像素电路。

    2、像素电路包括存储电容器。存储电容器具有其中两个或更多个电极包括面对表面以形成电容的结构。

    3、在基底上需要用于设置存储电容器的大区域,使得存储电容器的两个或更多个电极形成足够的电容。例如,由于空间和面积上的限制,用于形成像素电路的工艺和设计可能受限。因此,需要可以有效地设置存储电容器的结构。


    技术实现思路

    1、实施例提供一种显示装置、一种柔性显示装置以及一种用于显示装置的制造方法,其中,有效地设置存储电容器,并且因此可以容易地执行对于像素电路的工艺和设计。

    2、然而,实施例不限于本文中所阐述的实施例。通过参考下面给出的本公开的详细描述,以上和其它实施例对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更明显。

    3、根据实施例,一种显示装置可以包括:像素电路层,包括基体层和设置在所述基体层上的像素电路;以及发光元件,设置在所述基体层上并且电连接到所述像素电路。所述像素电路可以包括:晶体管;以及存储电容器,包括第一电容器电极和第二电容器电极。所述基体层可以包括凹陷部分。所述第一电容器电极和所述第二电容器电极中的每一者的至少一部分可以设置在所述凹陷部分中。

    4、根据实施例,所述第一电容器电极和所述第二电容器电极可以包括彼此面对的面对表面,绝缘层设置在所述面对表面之间的。所述面对表面可以包括第一面对表面和第二面对表面。所述第一面对表面可以沿着第一表面延伸。所述第二面对表面可以沿着与所述第一表面不同的第二表面延伸。所述第二表面的法线方向可以与所述基体层的厚度方向不同。

    5、根据实施例,所述凹陷部分的深度可以是所述基体层的厚度的大约10%至大约95%。

    6、根据实施例,所述存储电容器可以包括在所述凹陷部分中的阱部分。所述像素电路层可以包括用于形成所述像素电路的下部辅助电极层、有源层和层间导电层。所述第一电容器电极可以由所述下部辅助电极层形成。所述第二电容器电极可以由所述有源层形成。

    7、根据实施例,所述晶体管可以包括驱动晶体管。所述驱动晶体管的第一源极电极和第一漏极电极可以由所述层间导电层形成,并且所述存储电容器的所述第一电容器电极和所述第二电容器电极与所述驱动晶体管的所述第一源极电极和所述第一漏极电极形成在不同的层上。

    8、根据实施例,所述显示装置还可以包括:同步导电层,在平面图中与所述驱动晶体管的第一栅极电极重叠并且由所述下部辅助电极层形成。所述第一电容器电极可以电连接到所述第一源极电极和所述同步导电层,并且所述第一电容器电极可以通过由所述层间导电层形成的桥接图案层电连接到所述发光元件的阳极电极。

    9、根据实施例,所述显示装置还可以包括:数据线,电连接到所述像素电路。所述晶体管还可以包括电连接到所述数据线的开关晶体管。所述数据线延伸的方向和所述阱部分延伸的方向可以平行。

    10、根据实施例,所述显示装置还可以包括:数据线,电连接到所述像素电路。所述晶体管还可以包括电连接到所述数据线的开关晶体管。在平面图中,所述阱部分可以设置在所述驱动晶体管的第一栅极电极与所述开关晶体管的第二栅极电极之间。

    11、根据实施例,所述第一栅极电极和所述第二栅极电极延伸的方向和所述阱部分延伸的方向可以平行。

    12、根据实施例,所述第二电容器电极和所述开关晶体管的第二源极电极可以彼此是一体的,并且所述第二电容器电极和所述开关晶体管的第二漏极电极可以彼此是一体的。

    13、根据实施例,在平面图中,所述阱部分可以与所述层间导电层不重叠。

    14、根据实施例,所述显示装置还可以包括:第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素各自包括所述发光元件。所述存储电容器可以包括在所述凹陷部分中的阱部分。所述存储电容器可以包括所述在第一子像素中的第一存储电容器、在所述第二子像素中的第二存储电容器和在所述第三子像素中的第三存储电容器。所述第一存储电容器、所述第二存储电容器和所述第三存储电容器中的每一者可以包括所述阱部分。

    15、根据实施例,所述显示装置还可以包括:第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素各自包括所述发光元件。所述存储电容器可以包括所述凹陷部分中的阱部分。所述存储电容器可以包括所述第一子像素的第一存储电容器、所述第二子像素中的第二存储电容器和所述第三子像素中的第三存储电容器。所述阱部分可以不形成在所述第一存储电容器和所述第二存储电容器中。所述阱部分可以形成在所述第三存储电容器中。所述第三存储电容器的电容可以大于所述第一存储电容器的电容和所述第二存储电容器的电容。

    16、根据实施例,在平面图中,所述第一存储电容器的面积、所述第二存储电容器的面积和所述第三存储电容器的面积可以彼此基本上相等。

    17、根据实施例,在平面图中,所述第一存储电容器的结构、所述第二存储电容器的结构和所述第三存储电容器的结构可以彼此基本上相同。

    18、根据实施例,所述像素电路层可以包括无电路区域,所述像素电路不设置在所述无电路区域中。所述基体层可以配置为透射光,使得所述显示装置具有背部发射结构。

    19、根据实施例,所述存储电容器可以包括在所述凹陷部分中的阱部分。所述阱部分可以具有包括在第一方向上延伸的长边和在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的短边的形状。

    20、根据实施例,所述存储电容器可以包括在所述凹陷部分中的阱部分。所述阱部分可以包括多个阱部分。所述多个阱部分可以在沿着第一方向的行方向和沿着与所述第一方向不同的第二方向的列方向上以矩阵结构布置。

    21、根据实施例,所述存储电容器可以包括在所述凹陷部分中的阱部分。所述阱部分可以包括多个阱部分。所述多个阱部分可以沿着一方向顺序地布置。

    22、根据实施例,所述发光元件可以是有机发光二极管(oled)。

    23、根据实施例,所述显示装置可以是可弯折显示装置、弯曲显示装置和可折叠显示装置中的一种或多种。

    24、根据实施例,所述显示装置可以是沿着弯折线可弯折的。所述存储电容器可以包括所述凹陷部分中的阱部分。所述弯折线延伸的方向和所述阱部分延伸的方向可以彼此相同。

    25、根据实施例,所述晶体管可以包括:栅极电极,由第一层间导电层形成;以及源极电极和漏极电极,所述源极电极和所述漏极电极由在所述第一层间导电层上的第二层间导电层形成。所述第一电容器电极可以由所述第一层间导电层形成。所述第二电容器电极可以由所述第二层间导电层形成。

    26、根据实施例,一种显示装置可以包括:基体层;像素电路层,设置在所述基体层上并且包括像素电路;以及发光元件,设置在所述基体层上并且电连接到所述像素电路。所述像素电路可以包括晶体管和存储电容器,所述存储电容器包括形成彼此面对的面对表面的第一电容器电极和第二电容器电极。所述面对表面可以包括沿着第一平面的第一面对表面和沿着与所述第一平面形成角度的第二平面的第二面对表面。所述第二平面的法线方向可以与所述基体层的厚度方向不同。

    27、根据实施例,配置为沿着弯折线折叠的柔性显示装置可以包括:基体层,包括凹入部分;像素电路,包括存储电容器,所述存储电容器包括设置在所述凹入部分中的电容器电极;以及发光元件,电连接到所述像素电路。所述凹入部分可以具有沿着所述弯折线延伸的形状。

    28、根据实施例,一种用于显示装置的制造方法可以包括:通过去除基体层的至少一部分形成凹陷部分;在所述基体层上形成下部线;以及在所述基体层上形成发光元件。所述形成所述下部线可以包括形成下部辅助电极层、有源层和层间导电层。所述形成所述下部辅助电极层可以包括图案化所述下部辅助电极层以形成存储电容器的第一电容器电极,使得所述存储电容器的所述第一电容器电极的至少一部分在所述凹陷部分中。所述形成所述有源层可以包括图案化所述有源层以形成所述存储电容器的第二电容器电极,使得所述存储电容器的所述第二电容器电极的至少一部分在所述凹陷部分中。

    29、根据实施例,所述第一电容器电极和所述第二电容器电极可以包括彼此面对的面对表面,绝缘层设置在所述面对表面之间。所述面对表面可以包括第一面对表面和第二面对表面。所述第一面对表面可以沿着第一表面延伸。所述第二面对表面可以沿着与所述第一表面不同的第二表面延伸。所述第二表面的法线方向可以与所述基体层的厚度方向不同。

    30、根据实施例,所述基体层可以包括玻璃基底。所述形成所述凹陷部分可以包括对所述基体层执行湿蚀刻工艺。

    31、根据实施例,所述基体层可以包括聚酰亚胺。所述形成所述凹陷部分可以包括对所述基体层执行激光工艺。

    32、根据实施例,所述形成所述下部线可以包括形成驱动晶体管和开关晶体管。所述形成所述有源层可以包括:形成所述驱动晶体管的第一有源层,以及形成所述开关晶体管的第二有源层和第二源极电极。所述形成所述层间导电层可以包括形成所述驱动晶体管的第一源极电极、第一栅极电极、第一漏极电极、所述开关晶体管的第二栅极电极和第二漏极电极。所述第一电容器电极可以电连接到所述驱动晶体管的所述第一源极电极。所述第二电容器电极可以电连接到所述开关晶体管的所述第二漏极电极。

    33、根据实施例,提供了一种显示装置、一种柔性显示装置以及一种用于显示装置的制造方法,其中,可以有效地设置存储电容器,并且因此可以容易地执行对于像素电路的工艺和设计。


    技术特征:

    1.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:

    2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一电容器电极和所述第二电容器电极包括彼此面对的面对表面,绝缘层设置在所述面对表面之间,

    3.根据权利要求1所述的显示装置,其中

    4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:

    5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:

    6.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:

    7.根据权利要求3所述的显示装置,其中,在平面图中,所述阱部分与所述层间导电层不重叠。

    8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:

    9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:

    10.根据权利要求1所述的显示装置,其中

    11.根据权利要求1所述的显示装置,其中

    12.根据权利要求1所述的显示装置,其中

    13.根据权利要求1所述的显示装置,其中

    14.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置是可弯折显示装置、弯曲显示装置和可折叠显示装置中的一种或多种,

    15.根据权利要求1所述的显示装置,其中

    16.一种用于显示装置的制造方法,其中,所述制造方法包括:

    17.根据权利要求16所述的制造方法,其中

    18.根据权利要求16所述的制造方法,其中

    19.根据权利要求16所述的制造方法,其中

    20.根据权利要求16所述的制造方法,其中


    技术总结
    本公开涉及一种显示装置和一种用于显示装置的制造方法。根据本公开的实施例,所述显示装置包括:像素电路层,包括基体层和设置在所述基体层上的像素电路;以及发光元件,设置在所述基体层上并且电连接到所述像素电路。所述像素电路包括晶体管和存储电容器,所述存储电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极。所述基体层包括凹陷部分。所述第一电容器电极和所述第二电容器电极中的每一者的至少一部分设置在所述凹陷部分中。

    技术研发人员:林相亨
    受保护的技术使用者:三星显示有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/4/29
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