一种适用于BC电池的平面与侧边绝缘方法及BC电池与流程

    专利2026-07-16  21


    本发明涉及太阳电池,尤其是涉及一种适用于bc电池的平面与侧边绝缘方法及bc电池。


    背景技术:

    1、bc(backcontact)电池是一种基于有机半导体材料的光伏电池,具有高转换效率、低制造成本等特点,被视为未来光伏产业的重要发展方向之一。

    2、在bc电池的制作过程中,需要在电极表面沉积透明导电层、底种子层和掩膜层时,而无论采取何种沉积方式,均难以避免bc电池的侧边和受光面四周边缘处出现透明导电层、底种子层和掩膜层的绕镀。bc电池受光面的绕镀,会导致制绒后电池片的受光面绒面不均匀、受光面外观不良等情况,而bc电池属于外观形电池产品,其受光面外观不良会极大地影响产品的良率,受光面绒面不均匀也会导致电池受光面的局部反射率偏高,影响电池电流,从而影响电池效率。

    3、一般常用化学试剂去除绕镀,但这无疑会降低生产效率、增加生产成本,同时,若化学试剂配比调控不佳,轻则无法有效去净,重则会影响电池受光面的结构,影响电池良率。


    技术实现思路

    1、本发明的目的在于提供一种适用于bc电池的平面与侧边绝缘方法及bc电池,以解决上述背景中的问题。

    2、本发明的第一目的在于提供一种适用于bc电池的平面与侧边绝缘方法,其步骤包括:在半导体基底上镀膜前,将所述半导体基底置于具有环形载台的镀膜载盘上,所述环形载台与所述半导体基底的背光面的边缘抵接。

    3、在一些较优的技术方案中,所述环形载台的宽度为0.2mm~3mm。

    4、在一些较优的技术方案中,镀膜时,在所述半导体基底的背光面依次沉积透明导电层、底种子层和掩膜层。

    5、在一些较优的技术方案中,所述透明导电层为氧化铟锡薄膜、氧化铟钨薄膜或氧化锌铝薄膜,其厚度为5nm~100nm。

    6、在一些较优的技术方案中,所述底种子层为金属层或合金层,其包含金、银、铂、铜、钯、钛、镍、钨、铋中的一种或多种,所述底种子层的厚度为50nm~200nm。

    7、在一些较优的技术方案中,所述掩膜的厚度为1μm~40μm。

    8、在一些较优的技术方案中,镀膜后,在掩膜层上制备图形化栅线开口,将金属栅线转置于所述半导体基底的背光面上的电极上,然后去除金属栅线电镀区外的掩膜层、底种子层和透明导电层。

    9、在一些较优的技术方案中,所述图形化栅线开口采用曝光-显影工艺制备,显影液为浓度0.5%~3%的碳酸钠溶液或浓度0.01%~2%的氢氧化钾溶液,操作温度为25~35℃,操作喷压为0.5kg/cm2~3.5kg/cm2,操作时间为30s~300s。

    10、在一些较优的技术方案中,去除底种子层时,采用浓度1%~10%的无机酸溶液,所述无机酸溶液中包括硫酸、盐酸、硼酸、磷酸和硝酸中的一种或多种。

    11、本发明还提供一种bc电池,其由如上所述的适用于bc电池的平面与侧边绝缘方法制备得到。

    12、本发明具有的有益效果是:在镀膜前,将半导体基底置于具有环形载台的镀膜载盘上,半导体基底的侧边和受光面四周边缘被环形载台和镀膜载盘遮挡,防止发生绕镀,防止影响bc电池受光面的制绒质量,提高电池良率及电池效率。同时,还减少了化学试剂去绕镀的工序,提高生产效率、降低生产成本。



    技术特征:

    1.一种适用于bc电池的平面与侧边绝缘方法,其特征在于,在半导体基底上镀膜前,将所述半导体基底置于具有环形载台的镀膜载盘上,所述环形载台与所述半导体基底的背光面的边缘抵接。

    2.根据权利要求1所述的一种适用于bc电池的平面与侧边绝缘方法,其特征在于,所述环形载台的宽度为0.2mm~3mm。

    3.根据权利要求1或2任一所述的一种适用于bc电池的平面与侧边绝缘方法,其特征在于,镀膜时,在所述半导体基底的背光面依次沉积透明导电层、底种子层和掩膜层。

    4.根据权利要求3所述的一种适用于bc电池的平面与侧边绝缘方法,其特征在于,所述透明导电层为氧化铟锡薄膜、氧化铟钨薄膜或氧化锌铝薄膜,其厚度为5nm~100nm。

    5.根据权利要求3所述的一种适用于bc电池的平面与侧边绝缘方法,其特征在于,所述底种子层为金属层或合金层,其包含金、银、铂、铜、钯、钛、镍、钨、铋中的一种或多种,所述底种子层的厚度为50nm~200nm。

    6.根据权利要求3所述的一种适用于bc电池的平面与侧边绝缘方法,其特征在于,所述掩膜的厚度为1μm~40μm。

    7.根据权利要求4-6任一所述的一种适用于bc电池的平面与侧边绝缘方法,其特征在于,镀膜后,在掩膜层上制备图形化栅线开口,将金属栅线转置于所述半导体基底的背光面上的电极上,然后去除金属栅线电镀区外的掩膜层、底种子层和透明导电层。

    8.根据权利要求7所述的一种适用于bc电池的平面与侧边绝缘方法,其特征在于,所述图形化栅线开口采用曝光-显影工艺制备,显影液为浓度0.5%~3%的碳酸钠溶液或浓度0.01%~2%的氢氧化钾溶液,操作温度为25~35℃,操作喷压为0.5kg/cm2~3.5kg/cm2,操作时间为30s~300s。

    9.根据权利要求7所述的一种适用于bc电池的平面与侧边绝缘方法,其特征在于,去除底种子层时,采用浓度1%~10%的无机酸溶液,所述无机酸溶液中包括硫酸、盐酸、硼酸、磷酸和硝酸中的一种或多种。

    10.一种bc电池,其特征在于,由权利要求1-9任一所述的适用于bc电池的平面与侧边绝缘方法制备得到。


    技术总结
    本发明提供一种适用于BC电池的平面与侧边绝缘方法及BC电池,所述方法包括步骤:在半导体基底上镀膜前,将所述半导体基底置于具有环形载台的镀膜载盘上,所述环形载台与所述半导体基底的背光面的边缘抵接;在所述半导体基底的背光面依次沉积透明导电层、底种子层和掩膜层;在掩膜层上制备图形化栅线开口,将金属栅线转置于所述半导体基底的背光面上的电极上,然后去除金属栅线电镀区外的掩膜层、底种子层和透明导电层。本发明中半导体基底的侧边和受光面四周边缘被环形载台和镀膜载盘遮挡,防止发生绕镀,防止影响BC电池受光面的制绒质量,提高电池良率及电池效率;同时,还减少了化学试剂去绕镀的工序,提高生产效率、降低生产成本。

    技术研发人员:吴芋萍
    受保护的技术使用者:苏州捷得宝机电设备有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/4/29
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