本公开涉及半导体领域，特别涉及一种石墨载盘及其制作方法。
背景技术：
1、石墨载盘广泛应用于半导体领域，用于进行外延片制作。
2、相关技术中，提供了一种外延片的制作方法，该方法包括：将衬底放置在反应腔内的石墨载盘中的凹槽区域，在衬底表面生长外延片。
3、在外延片的生长过程中，外延片生长时所需的热量通过石墨载盘传递至衬底表面，通过衬底传递至外延片。由于进行外延片生长时，石墨载盘会自转，使得位于衬底表面的外延片侧面会与石墨载盘侧面接触。石墨盘的温度高于外延片的生长温度，会导致外延片与石墨载盘直接接触的部分的温度高于外延片的生长温度，从而导致外延片中与石墨载盘直接接触的部分的发光波长比未接触部分的发光波长更短，导致包括该外延片的发光二极管发射的光的波长波动范围过大，影响了发光二极管的质量。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种石墨载盘及其制作方法，可以解决在外延片生长时，外延片与石墨载盘接触，导致石墨载盘上的温度影响到外延片波长的问题。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种石墨载盘，所述石墨载盘包括：
3、石墨盘本体和位于所述石墨盘本体的表面的多个凹槽；
4、所述多个凹槽间隔分布，所述凹槽的底面为斜面，所述斜面用于阻止位于所述凹槽中的外延片与所述凹槽的侧面的至少指定部位接触。
5、可选地，所述多个凹槽以所述石墨盘本体的表面的中心为圆心同心分布在两个圆形轨迹上，所述多个凹槽中位于内圈的为第一凹槽，所述多个凹槽中位于外圈的为第二凹槽；
6、所述第一凹槽的斜面用于阻止所述第一凹槽中的外延片与所述第一凹槽靠近所述中心的侧面接触，所述第二凹槽的斜面用于阻止所述第二凹槽中的外延片与所述第二凹槽的侧面的整体接触。
7、可选地，所述第一凹槽的斜面从靠近所述中心的侧面向远离所述中心的侧面倾斜，且所述第一凹槽的斜面从靠近所述中心的侧面向远离所述中心的侧面高度逐渐降低。
8、可选地，所述第一凹槽的斜面的最高处与最低处的高度差的范围为20-60μm。
9、可选地，所述第二凹槽的斜面从远离所述中心的侧面向靠近所述中心的侧面倾斜，且所述第二凹槽的斜面从远离所述中心的侧面向靠近所述中心的侧面高度逐渐降低。
10、可选地，所述第二凹槽的斜面的最高处与最低处的高度差的范围为10-50μm。
11、可选地，所述石墨载盘还包括：碳化硅涂层；
12、所述碳化硅涂层覆盖所述石墨盘本体的表面以及所述凹槽的底面和侧面。
13、可选地，位于所述凹槽的底面的所述碳化硅涂层的表面为粗糙表面。
14、另一方面，提供了一种石墨载盘的制作方法，所述方法包括：
15、提供一石墨盘本体；
16、对所述石墨盘本体进行图形化，在所述石墨盘本体的表面形成多个间隔分布的凹槽，所述凹槽的底面为斜面，所述斜面用于阻止位于所述凹槽中的外延片与所述凹槽的侧面的至少指定部位接触。
17、可选地，所述方法还包括：
18、制作碳化硅涂层，所述碳化硅涂层覆盖所述石墨盘本体的表面和所述凹槽的底面和侧面；
19、对位于所述凹槽的底面的所述碳化硅涂层进行打磨，使位于所述凹槽的底面的所述碳化硅涂层的表面为粗糙表面。
20、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
21、在本公开实施例中，通过将凹槽的底面设置为斜面，在进行外延片生长时，石墨载盘会进行旋转，衬底位于凹槽底部的斜面上，在该斜面的作用下使得衬底不会与凹槽的指定部位接触，从而避免石墨载盘指定部位处的高温影响到外延片的波长，从而提升包括该外延片的发光二极管的质量。
1.一种石墨载盘，其特征在于，所述石墨载盘包括：
2.根据权利要求1所述的石墨载盘，其特征在于，所述多个凹槽(102)以所述石墨盘本体(101)的表面的中心为圆心同心分布在两个圆形轨迹上，所述多个凹槽(102)中位于内圈的为第一凹槽(121)，所述多个凹槽(102)中位于外圈的为第二凹槽(122)；
3.根据权利要求2所述的石墨载盘，其特征在于，所述第一凹槽(121)的斜面从靠近所述中心的侧面向远离所述中心的侧面倾斜，且所述第一凹槽(121)的斜面从靠近所述中心的侧面向远离所述中心的侧面高度逐渐降低。
4.根据权利要求3所述的石墨载盘，其特征在于，所述第一凹槽(121)的斜面的最高处与最低处的高度差的范围为20-60μm。
5.根据权利要求2所述的石墨载盘，其特征在于，所述第二凹槽(122)的斜面从远离所述中心的侧面向靠近所述中心的侧面倾斜，且所述第二凹槽(122)的斜面从远离所述中心的侧面向靠近所述中心的侧面高度逐渐降低。
6.根据权利要求5所述的石墨载盘，其特征在于，所述第二凹槽(122)的斜面的最高处与最低处的高度差的范围为10-50μm。
7.根据权利要求1至5任一项所述的石墨载盘，其特征在于，所述石墨载盘还包括：碳化硅涂层(103)；
8.根据权利要求7所述的石墨载盘，其特征在于，位于所述凹槽(102)的底面的所述碳化硅涂层(103)的表面为粗糙表面。
9.一种石墨载盘的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
