本申请属于光伏硅片生产设备，尤其是涉及一种光伏硅片干燥方法。
背景技术：
1、链式光伏硅片生产设备，如cn219476621u一种链式酸抛系统，通常包括：
2、喷淋单元，用于在制绒后的硅片的顶面形成水膜；
3、工艺单元，在硅片底面进行工艺；
4、清洗单元，使用清水对硅片进行清洗；
5、干燥单元，对经过清洗的硅片进行热风干燥。
6、由于在工艺过程会对硅片上的部分区域进行腐蚀，会导致硅片上的温度不均匀，经过清洗后的温度通常也还存在差异，如果直接送入干燥单元进行热风干燥，会导致不同区域升温速度不一致，是硅片上容易出现应力，进而影响硅片质量。
技术实现思路
1、本发明要解决的技术问题是：为解决现有技术中的不足，从而提供一种能够提高硅片质量的光伏硅片干燥方法。
2、本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
3、一种光伏硅片清洗干燥方法，包括以下步骤：
4、在光伏硅片顶面形成水膜；
5、将光伏硅片底面通过工艺区进行工艺处理；
6、将光伏硅片通过喷淋区，通过清水清洗掉工艺液体；
7、将光伏硅片通过第一温度喷吹区，以将光伏硅片上的能够流淌地液体吹走；
8、将光伏硅片通过热风干燥区对光伏硅片进行热风干燥，所述热风具有比第一温度高的第二温度；
9、将光伏硅片送入冷却区进行冷却。
10、优选地，本发明的光伏硅片清洗干燥方法，所述第一温度为室温或者室温上浮10-20℃。
11、优选地，本发明的光伏硅片清洗干燥方法，第一温度喷吹区由吹风风干装置进行吹干，所述吹风风干装置，包括风刀，所述风刀包括本体，所述本体中间开设有供半导体硅片通过的通道，所述通道的上下表面上开设有通孔，所述本体内具有围绕所述通道的空腔，所述本体的顶部两端具有气体通入口。
12、优选地，本发明的光伏硅片清洗干燥方法，所述风刀由粘结或者焊接成一体的从上至下依次分布的第一部分、第二部分和第三部分组成，其中第一部分下表面和第三部分的上表面分别与第二部分连通，通道设置在第二部分中间。
13、优选地，本发明的光伏硅片清洗干燥方法，第一部分和第三部分内设置有隔板以使第一部分和第三部分内空腔的高度从两端向着中间逐渐减小。
14、优选地，本发明的光伏硅片清洗干燥方法，所述通道的上下表面上开设的通孔与竖直方向呈10°-30°夹角，且与光伏硅片运行方向的夹角为锐角。
15、优选地，本发明的光伏硅片清洗干燥方法，
16、光伏硅片由传输辊机构运输以经过喷吹区和热风干燥区；
17、所述传输辊机构包括第一传输辊和第二传输辊，第一传输辊和第二传输辊相对设置并分别抵靠住光伏硅片的顶面和底面。
18、优选地，本发明的光伏硅片清洗干燥方法，所述第一传输辊和第二传输辊顶面具有凸肋，用于降低与光伏硅片的接触面积，打破光伏硅片表面的水膜。
19、本发明的有益效果是：
20、1.本发明的光伏硅片清洗方法中，光伏硅片经过工艺和清水清洗后，通过使用较低温度的第一温度将光伏硅片表面流淌的清水吹除，同时，使用第一温度使整个光伏硅片的表面温度变为更均匀，且温度较正式烘干时的温度更低。之后再对均匀温度的光伏硅片进行较高温度的干燥，使得光伏硅片不应温度的不同而产生部分区域应力，提高光伏硅片的安全性。由于先将表面的清水吹除，也能提高后续热风干燥时的干燥效果。
21、2.本发明的光伏硅片清洗方法中，风刀设置成一体式结构后，无需像现有技术那样分别安装上下两个风刀，且无需再进行对位操作，也无需调整两个风刀的高度位置，使得安装更加便捷。
22、3.本发明的光伏硅片清洗方法中，风刀的三部分分别加工，然后粘结或者焊接在一起，加工方便，通过设置隔板，使得离气体通入口越远的区域的腔体截面积越小，使得整个风刀内部的压力更加均匀。
1.一种光伏硅片清洗干燥方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的光伏硅片清洗干燥方法，其特征在于，所述第一温度为室温或者室温上浮10-20℃。
3.根据权利要求1所述的光伏硅片清洗干燥方法，其特征在于，第一温度喷吹区由吹风风干装置(2)进行吹干，所述吹风风干装置(2)，包括风刀(21)，所述风刀(21)包括本体(211)，所述本体(211)中间开设有供半导体硅片通过的通道(212)，所述通道(212)的上下表面(213)上开设有通孔，所述本体(211)内具有围绕所述通道(212)的空腔(215)，所述本体(211)的顶部两端具有气体通入口(214)。
4.根据权利要求3所述的光伏硅片清洗干燥方法，其特征在于，所述风刀(21)由粘结或者焊接成一体的从上至下依次分布的第一部分(22)、第二部分(23)和第三部分(24)组成，其中第一部分(22)下表面和第三部分(24)的上表面分别与第二部分(23)连通，通道(212)设置在第二部分(23)中间。
5.根据权利要求3所述的光伏硅片清洗干燥方法，其特征在于，第一部分(22)和第三部分(24)内设置有隔板以使第一部分(22)和第三部分(24)内空腔的高度从两端向着中间逐渐减小。
6.根据权利要求3所述的光伏硅片清洗干燥方法，其特征在于，所述通道(212)的上下表面(213)上开设的通孔与竖直方向呈10°-30°夹角，且与光伏硅片运行方向的夹角为锐角。
7.根据权利要求1所述的光伏硅片清洗干燥方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的光伏硅片清洗干燥方法，其特征在于，所述第一传输辊(11)和第二传输辊(12)顶面具有凸肋，用于降低与光伏硅片的接触面积，打破光伏硅片表面的水膜。
