本技术涉及成像耗材，特别是一种防磁场干扰的mram存储器芯片。
背景技术：
1、为了节能环保，降低用户使用成本，打印机耗材(例如：碳粉)使用完后，往往采用加碳粉、修复芯片数据的方法，使耗材得到回收利用。然而，耗材芯片功能不良会导致耗材无法与打印机通信，导致无法打印。
2、部分打印耗材厂商推出了去电池mram存储器芯片，虽然避免了带电池芯片的漏液、接触不良、寿命短等不良，但是mram存储器易受打印机内部磁辊、外部电子设备磁场影响，导致芯片存储的内容被意外改写，最终导致耗材芯片功能失效，耗材无法被打印机使用。
技术实现思路
1、本实用新型的目的是提供一种防磁场干扰的mram存储器芯片，以解决现有技术中的问题，提供一种布局合理并且可以防止外部磁场对芯片管芯的干扰的存储器芯片。
2、本实用新型提供了一种防磁场干扰的mram存储器芯片，包括pcb基板，所述pcb基板包括第一表面和第二表面，所述第一表面与所述第二表面相对设置，所述第一表面设有芯片管芯，所述第一表面还设有屏蔽件，所述屏蔽件覆盖所述芯片管芯，所述屏蔽件用于屏蔽外部磁场对所述芯片管芯的干扰，所述第二表面设有芯片触点以及线轨，所述芯片触点通过所述线轨与所述芯片管芯连接。
3、如上所述的一种防磁场干扰的mram存储器芯片，其中，优选的是，所述屏蔽件为第一屏蔽罩体，所述第一屏蔽罩体设于所述第一表面上，所述第一屏蔽罩体罩设于所述芯片管芯上。
4、如上所述的一种防磁场干扰的mram存储器芯片，其中，优选的是，所述屏蔽件还包括第一屏蔽层，所述第一屏蔽层设于所述第一表面上，所述芯片管芯设于所述第一屏蔽层上，所述第一屏蔽罩体固定于所述第一屏蔽层上。
5、如上所述的一种防磁场干扰的mram存储器芯片，其中，优选的是，所述第一屏蔽罩体为长方体形、半球形或者半椭球形状中的任意一种。
6、如上所述的一种防磁场干扰的mram存储器芯片，其中，优选的是，所述屏蔽件为第二屏蔽罩体，所述第二屏蔽罩体包括第一屏蔽面和第二屏蔽面，所述芯片管芯包括第一面、第二面、第三面以及第四面，所述第一屏蔽面用于屏蔽外部磁场对所述第一面的干扰，所述第二屏蔽面用于屏蔽外部磁场对所述第二面的干扰，所述第三面与所述第四面上设有第二屏蔽层。
7、如上所述的一种防磁场干扰的mram存储器芯片，其中，优选的是，所述第一屏蔽面与所述第一面之间具有既定间距，所述第二屏蔽面与所述第二面之间具有既定间距。
8、如上所述的一种防磁场干扰的mram存储器芯片，其中，优选的是，所述第二屏蔽层由高磁导率材料组成。
9、如上所述的一种防磁场干扰的mram存储器芯片，其中，优选的是，所述屏蔽件由铁磁性材料组成。
10、如上所述的一种防磁场干扰的mram存储器芯片，其中，优选的是，所述屏蔽件贴焊或黏贴于所述第一表面。
11、与现有技术相比，本实用新型的pcb基板包括第一表面和第二表面，在第一表面设置屏蔽件，一方面能够屏蔽外部磁场对芯片管芯的干扰，有效避免了耗材芯片被意外改写的情况发生，另一方面提高了芯片管芯本身的强度，防止耗材芯片在测试、搬运、安装过程中产生的以外刮擦，从而保护耗材芯片内部完好。在第二表面设置芯片触点和线轨，通过线轨将芯片触点与芯片管芯连接，便于布线，使得mram存储器芯片的布局更加合理。
1.一种防磁场干扰的mram存储器芯片，包括pcb基板，所述pcb基板包括第一表面和第二表面，所述第一表面与所述第二表面相对设置，所述第一表面设有芯片管芯，其特征在于，所述第一表面还设有屏蔽件，所述屏蔽件覆盖所述芯片管芯，所述屏蔽件用于屏蔽外部磁场对所述芯片管芯的干扰，所述第二表面设有芯片触点以及线轨，所述芯片触点通过所述线轨与所述芯片管芯连接。
2.根据权利要求1所述的防磁场干扰的mram存储器芯片，其特征在于，所述屏蔽件为第一屏蔽罩体，所述第一屏蔽罩体设于所述第一表面上，所述第一屏蔽罩体罩设于所述芯片管芯上。
3.根据权利要求2所述的防磁场干扰的mram存储器芯片，其特征在于，所述屏蔽件还包括第一屏蔽层，所述第一屏蔽层设于所述第一表面上，所述芯片管芯设于所述第一屏蔽层上，所述第一屏蔽罩体固定于所述第一屏蔽层上。
4.根据权利要求2所述的防磁场干扰的mram存储器芯片，其特征在于，所述第一屏蔽罩体为长方体形、半球形或者半椭球形状中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的防磁场干扰的mram存储器芯片，其特征在于，所述屏蔽件为第二屏蔽罩体，所述第二屏蔽罩体包括第一屏蔽面和第二屏蔽面，所述芯片管芯包括第一面、第二面、第三面以及第四面，所述第一屏蔽面用于屏蔽外部磁场对所述第一面的干扰，所述第二屏蔽面用于屏蔽外部磁场对所述第二面的干扰，所述第三面与所述第四面上设有第二屏蔽层。
6.根据权利要求5所述的防磁场干扰的mram存储器芯片，其特征在于，所述第一屏蔽面与所述第一面之间具有既定间距，所述第二屏蔽面与所述第二面之间具有既定间距。
7.根据权利要求5所述的防磁场干扰的mram存储器芯片，其特征在于，所述第二屏蔽层由高磁导率材料组成。
8.根据权利要求1所述的防磁场干扰的mram存储器芯片，其特征在于，所述屏蔽件由铁磁性材料组成。
9.根据权利要求1所述的防磁场干扰的mram存储器芯片，其特征在于，所述屏蔽件贴焊或黏贴于所述第一表面。
