本发明属于半导体制造，具体涉及一种y栅晶体管及其制备方法。
背景技术：
1、现有在y栅晶体管器件制造方法为：先对第一层光阻层和第二层光阻层进行开图，然后进行酸蚀刻和金属蒸镀沉积，得到y栅晶体管，如申请号为201810577762.6的发明专利，公开了一种y栅晶体管器件制造方法及晶体管器件，就包括依次进行y栅底部光刻工艺——y栅顶部光刻工艺——y栅金属化沉积工艺的步骤。但由于底层开图线框较小，金属在蒸镀沉积过程中，容易出现y栅晶体管内部金属裂纹，造成产品良率低下仅为46～61％，生产成本较高。
技术实现思路
1、本发明所要解决的技术问题是：提供一种改善y栅晶体管内部金属裂纹的y栅晶体管及其制备方法。
2、为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：y栅晶体管的制备方法，包括在第一次光刻和第二次光刻之间进行保温处理的步骤。
3、本发明的有益效果在于：通过在两次光刻之间增加保温处理的步骤，能够使底部线宽上边缘钝化，使得后续的沉积步骤更容易完成，能够有效改善沉积后出现裂纹的问题，提高了产品的良品率。降低了生产成本。
1.y栅晶体管的制备方法，其特征在于，包括在第一次光刻和第二次光刻之间进行保温处理的步骤。
2.根据权利要求1所述的y栅晶体管的制备方法，其特征在于，第一次光刻在第一光阻层上进行，所述保温处理具体为：升温至形成第一光阻层的光刻胶的tg±20℃并保温100-500s。
3.根据权利要求1所述的y栅晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的y栅晶体管的制备方法，其特征在于，在所述s1前还包括在半导体器件的基片上涂布光刻胶形成第一光阻层的步骤。
5.根据权利要求3所述的y栅晶体管的制备方法，其特征在于，所述s1具体为：在半导体器件的第一光阻层上利用电子束进行底部小线宽第一次光刻，然后进行保温处理。
6.根据权利要求3所述的y栅晶体管的制备方法，其特征在于，所述s2具体为：在第一光阻层上涂布负性光刻胶形成第二光阻层，在第二光阻层上利用i-line/电子束进行第二次光刻。
7.根据权利要求3所述的y栅晶体管的制备方法，其特征在于，所述s3中采用柠檬酸或琥珀酸进行酸蚀刻。
8.根据权利要求3所述的y栅晶体管的制备方法，其特征在于，所述沉积为采用蒸镀或溅镀进行金属沉积。
9.根据权利要求8所述的y栅晶体管的制备方法，其特征在于，采用蒸镀进行金属沉积时所用的材料为ti、pt和au。
10.一种根据权利要求1～9任一项所述的y栅晶体管的制备方法制备得到的y栅晶体管。
