本申请涉及镀膜，特别是涉及真空镀膜设备。
背景技术：
1、在工业生产中，例如半导体或者金属等工件需要对基材进行表面镀膜工艺，从而使工件获得期望的表面性能。相关技术中，通常需要对基材进行加热，以提高其表面活性或达到适宜的镀膜工艺条件。目前通常通过电阻加热器设置在反应腔内或者反应腔外，通过辐射或直接接触的方式对基材进行加热。这种加热方式存在加热不均匀或基材易发生热敏变形的技术问题，会导致镀膜的质量下降。
技术实现思路
1、本申请的实施例提供一种真空镀膜设备，可提高真空镀膜质量，并能够提高生产效率。
2、本申请实施例提供一种真空镀膜设备。真空镀膜设备包括工艺腔体、第一进气管路、第二进气管路和排气管路；第一进气管路与工艺腔体连通；第二进气管路与工艺腔体连通；排气管路与工艺腔体连通；其中，第一进气管路包括第一气流管路和第一加热管路，第一气流管路与第一加热管路串联，第一加热管路通过第一气流管路与工艺腔体连通，第一加热管路设置有第一流体加热器。
3、本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，通过在第一进气管路中设置流体加热器，能够实现对惰性保护气的加热，从而进一步能够通过已加热的惰性保护气通入工艺腔体内实现对基材的加热。相较于相关技术中通过电阻加热器辐射加热或直接接触基材加热的方式，通过采用已加热的惰性保护气对基材进行加热的方式不仅能够有效缩短将基材加热至预设温度的时间，提高生产效率，并且能够提高加热温度的均匀性，以及减少基材的热敏变形，从而提高镀膜质量。
1.一种真空镀膜设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的真空镀膜设备，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的真空镀膜设备，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的真空镀膜设备，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的真空镀膜设备，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的真空镀膜设备，其特征在于：
7.根据权利要求6所述的真空镀膜设备，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的真空镀膜设备，其特征在于：
9.根据权利要求1所述的真空镀膜设备，其特征在于：
10.根据权利要求1所述的真空镀膜设备，其特征在于：
11.根据权利要求10所述的真空镀膜设备，其特征在于：
