一种MicroLED显示背板、修补方法及隐蔽式凹槽的制作方法与流程

    专利2026-06-13  29


    本发明涉及半导体相关,具体涉及一种micro led显示背板、修补方法及隐蔽式凹槽的制作方法。


    背景技术:

    1、微型发光二极管(micro led)是一种尺寸为微米级的发光二极管,由于micro led的尺寸较小,因此其可以作为显示面板上的像素,采用micro led制备得到的显示面板可称为micro led显示面板,与有机发光二极管(oled)显示面板相比,micro led显示面板的使用寿命和可视角度均优于oled显示面板,因此micro led显示技术成为目前显示技术领域的研究重点。

    2、micro led显示器在制造过程中一般采用巨量转移的方式将micro led芯片转移至背板上,由于micro led芯片无法测试,转移至背板上,会存在诸多坏点;现有技术中,为不影响坏点处的显示效果,通常会采用两种方法加以解决,其一为剔除修补,即在检测到坏点之后,一般先采用激光的的方式把坏点剔除掉,然后再在坏点的区域重新点锡膏,最后再在锡膏处置上一颗同光别及型号的micro led芯片,使micro led芯片通过锡膏和背板上的线路重新互联,完成最终修复;其二为冗余设计,通常,背板上,一个像素点对应一颗microled芯片,该颗micro led芯片坏了,此像素点即成为坏点,在冗余设计中,一个像素点由两颗或更多颗micro led芯片并联而成,当一颗micro led芯片失效,其余micro led芯片继续工作,除非该像素点内的所有micro led芯片均失效,如此,可显著降低像素点的失效比例。

    3、然而,第一种方案的修复方式,会存在两个问题,第一,在芯片剔除的过程中,难免会存在锡膏剔除不干净,再点锡膏后,锡膏会存在区域不均,导致芯片和背板线路和芯片电极之间存在虚焊,进而存在可靠性问题;第二,由于micro led芯片的像素间距比较小,无论在剔除还是植入新的micro led芯片过程中,难免会碰触到周边的芯片,影响周边芯片性能;第二种方案,冗余设计的方式,由于每个像素点需要增加至少一倍数量的micro led芯片,成本增加。

    4、解决上述问题,本发明给出了一种micro led显示背板、修补方法及隐蔽式凹槽的制作方法。


    技术实现思路

    1、本发明的目的在于提供一种micro led显示背板、修补方法及隐蔽式凹槽的制作方法,大大简化了micro led的修补手法,而且显著提升了修补的可靠性。

    2、为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:

    3、一种micro led显示背板,包括

    4、背板衬底,所述背板衬底包括敞开式凹槽及隐蔽式凹槽;所述隐蔽式凹槽包括槽体和槽盖;

    5、第一金属电极线,所述第一金属电极线位于背板衬底和隐蔽式凹槽的槽盖之上且延伸至背板衬底的敞开式凹槽底部和侧壁;

    6、第二金属电极线和第三金属电极线,所述第二金属电极线和第三金属电极线位于背板衬底之上且延伸至背板衬底的敞开式凹槽底部和侧壁;

    7、键合金属层,所述键合金属层位于所述第一金属电极线、第二金属电极线和第三金属电极线之上;

    8、micro led芯片,所述micro led芯片位于所述键合金属层之上。

    9、优选地一种方案,所述背板衬底为pi或pet绝缘衬底。

    10、优选地一种方案,所述敞开式凹槽的宽度大于其内的第一金属电极线、第二金属电极线、第三金属电极线的宽度。

    11、优选地一种方案,所述敞开式凹槽和隐蔽式凹槽的深度为2-20um,形状为圆形、椭圆形、方形、菱形中的一种,其孔径大小要求从底面至顶面逐渐增加;所述隐蔽式凹槽的槽盖为绝缘材料,其厚度为2-20um。

    12、优选地一种方案,所述第一金属电极线和第二金属电极线区域交叉,且二者交叉区域以绝缘层隔离;所述绝缘层的宽度大于其两侧的第一金属电极线和第二金属电极线宽度;所述绝缘层为有机绝缘材料或无机绝缘材料,其厚度为100-1000nm。

    13、优选地一种方案,所述第一金属电极线、第二金属电极线和第三金属电极线为金属叠层材料,其从下至上依次包括粘结层和扩展层;所述粘结层为ti、ni、cr中的一种金属材料,其厚度2-20nm;所述扩展层位于所述粘结层之上,为al、ag、pt、au中的一种金属材料,其厚度1-5um。

    14、优选地一种方案,所述micro led芯片包括micro led主体及焊线电极,所述焊线电极和键合金属层之间通过共晶或锡膏印刷的方式互联。

    15、优选地一种方案,所述micro led芯片为蓝光micro led芯片、绿光micro led芯片、红光micro led芯片中的一种。

    16、为了更好的配合显示背板修补,提出对应的一种micro led显示背板的修补方法,包括如下步骤:

    17、s1,测试显示背板,找到存在坏点的位置,通过针刺的方式把该坏点对应的microled芯片的隐蔽式凹槽上方的第一金属电极线刺断;

    18、s2,在坏点备用区的敞开式凹槽内点锡膏,然后把micro led芯片置于该坏点的备用区内,实现备用micro led芯片的正负极和第一金属电极线互联,启动备用micro led芯片。

    19、为了更好的方便显示背板的修补,提出了配套的一种micro led显示背板的隐蔽式凹槽的制作方法,包括如下步骤:

    20、s10,提供一背板衬底;

    21、s20,通过光刻、刻蚀、去胶的方式,去除部分区域的背板衬底,形成背板衬底的敞开式凹槽;

    22、s30,在敞开式凹槽内填充光刻胶;

    23、s40,通过沉积、光刻、蚀刻、去胶的方式,在敞开式凹槽内的光刻胶、及其边缘的背板衬底之上制作槽盖,其中,槽盖不完全覆盖光刻胶而是留有窗口;

    24、s50,浸泡去胶液,去胶液通过留有的槽盖的窗口浸入光刻胶,去除敞开式凹槽内的光刻胶,形成隐蔽式凹槽。

    25、由于上述技术方案的运用,本申请与现有技术相比的有益效果在于:

    26、本申请提供的一种micro led显示背板、修补方法及隐蔽式凹槽的制作方法;micro led显示背板通过设置备用区、敞开式凹槽及隐蔽式凹槽,当显示背板存在坏点时,无需对坏点处的micro led做任何处理,仅通过普通的针刺切断和点锡膏修补手段就可以实现坏点处的再显示,不仅大大简化了micro led的修补手法,而且显著提升了修补的可靠性。



    技术特征:

    1.一种micro led显示背板,其特征在于,包括

    2.如权利要求1所述的micro led显示背板,其特征在于,所述背板衬底为pi或pet绝缘衬底。

    3.如权利要求1所述的micro led显示背板,其特征在于,所述敞开式凹槽的宽度大于其内的第一金属电极线、第二金属电极线、第三金属电极线的宽度。

    4.如权利要求1所述的micro led显示背板,其特征在于,所述敞开式凹槽和隐蔽式凹槽的深度为2-20um,形状为圆形、椭圆形、方形、菱形中的一种,其孔径大小要求从底面至顶面逐渐增加;所述隐蔽式凹槽的槽盖为绝缘材料,其厚度为2-20um。

    5.如权利要求1所述的micro led显示背板,其特征在于,所述第一金属电极线和第二金属电极线区域交叉,且二者交叉区域以绝缘层隔离;所述绝缘层的宽度大于其两侧的第一金属电极线和第二金属电极线宽度;所述绝缘层为有机绝缘材料或无机绝缘材料,其厚度为100-1000nm。

    6.如权利要求1所述的micro led显示背板,其特征在于,所述第一金属电极线、第二金属电极线和第三金属电极线为金属叠层材料,其从下至上依次包括粘结层和扩展层;所述粘结层为ti、ni、cr中的一种金属材料,其厚度2-20nm;所述扩展层位于所述粘结层之上,为al、ag、pt、au中的一种金属材料,其厚度1-5um。

    7.如权利要求1所述的micro led显示背板,其特征在于,所述micro led芯片包括micro led主体及焊线电极,所述焊线电极和键合金属层之间通过共晶或锡膏印刷的方式互联。

    8.如权利要求1所述的micro led显示背板,其特征在于,所述micro led芯片为蓝光micro led芯片、绿光micro led芯片、红光micro led芯片中的一种。

    9.一种micro led显示背板的修补方法,其特征在于,包括如下步骤:

    10.一种micro led显示背板的隐蔽式凹槽的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:


    技术总结
    本申请公开了一种集成显示晶圆的制备方法,包括如下步骤:S10,提供一第一临时透明基板,且在该基板上涂覆第一临时键合胶;S20,提供一第二临时透明基板,并且在该基板表面涂覆第二临时键合胶;S30,第一透明基板的有机透明绝缘层和第二临时透明基板的第二临时键合胶之间相接触;40,使Micro LED芯片和有机透明绝缘层通过第二临时键合胶置于第二临时透明基板之上;S50,在有机透明绝缘层和Micro LED芯片之上制作第一隔离绝缘层;S60,在第一隔离绝缘层之上制作布线线路;S70,在布线线路和第一隔离绝缘层之上制作第二隔离绝缘层;S80,在第二隔离绝缘层之上制作焊线电极;本申请大大的提升了Micro LED芯片性能和效率,符合企业的发展需求,提升了企业竞争力。

    技术研发人员:陈波
    受保护的技术使用者:昆山麦沄显示技术有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/4/29
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