一种P型BC电池及P型BC电池制备方法与流程

    专利2026-05-18  6


    本申请涉及太阳能电池领域,特别涉及一种p型bc电池及p型bc电池制备方法。


    背景技术:

    1、太阳能电池是一种可以将光能转化为电能的器件,当电池受到光照时,电池基底吸收光子产生电子和空穴对,该空穴对在pn结内建电场作用下分离,并通过太阳能电池的发射极和背场引出,最终被设置在基底上的电极收集传输至外部。bc(back contact,背接触)电池发射极和基极均放在背面,电池正面无任何遮挡,提升了短路电流。传统的背接触电池具有边缘主栅及设置在边缘主栅上的焊盘,但该结构后续焊接制程可能导致边缘应力较大,生成隐裂。业界也公开有一种p型背接触电池,背面设置有钝化层,且在钝化层表面设置有多条主栅与用于后续焊接的焊盘,靠近边缘的焊盘设置在边缘主栅内侧,两者之间设置互联栅线进行连接。然而由于互联栅线与主栅、焊盘通常采用非烧穿型浆料印制,使得互联栅线难以突破钝化层形成有效的欧姆接触,从而无法收集发射区载流子,会导致电池转化效率降低。因此,如何提升电池转化效率,是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。


    技术实现思路

    1、本申请的目的是提供一种p型bc电池及p型bc电池制备方法,从而提升电池转化效率。

    2、为实现上述目的,本申请提供了一种p型bc电池,包括:p型衬底;

    3、所述p型衬底背面的n区沿厚度方向依次设置有隧穿层、掺杂多晶硅层和钝化膜;所述钝化膜包括氧化铝层和复合钝化层;

    4、所述n区还设置有第一电极与第二电极,所述第一电极与所述第二电极两者组成不同;所述第一电极包括边缘主栅、焊盘、连接所述边缘主栅与所述焊盘的互联栅线,所述第二电极包括连接所述边缘主栅与所述焊盘的细栅,所述细栅与所述互联栅线沿所述边缘主栅的延伸方向间隔设置,所述细栅穿透所述钝化膜以与所述掺杂多晶硅层相接触。

    5、可选的,所述细栅的宽度小于所述互联栅线的宽度,所述细栅的宽度设置为20μm-50μm,且包括两端的值。

    6、可选的,所述互联栅线和所述细栅均与所述焊盘的中间区域连接;所述互联栅线包括第一互联栅线和第二互联栅线;所述第一互联栅线和所述第二互联栅线分别位于所述细栅两侧。

    7、可选的,所述第一互联栅线与所述第二互联栅线的间距为50μm-200μm,且包括两端的值。

    8、可选的,所述第一互联栅线与所述第二互联栅线的宽度均设置为100μm-500μm,且包括两端的值;所述第一互联栅线与所述第二互联栅线的宽度之和大于所述边缘主栅的宽度。

    9、可选的,所述互联栅线与所述焊盘的一端边缘区域连接;所述细栅与所述焊盘的另一端边缘区域连接。

    10、可选的,所述互联栅线与穿过所述焊盘中心且垂直于所述边缘主栅的中心线的距离为100μm-900μm,且包括两端的值;

    11、所述细栅与所述中心线的距离同样为100μm-900μm,且包括两端的值。

    12、可选的,所述第二电极还包括垂直于所述边缘主栅的第一副栅,所述p型衬底背面的p区设置有第二副栅,所述第一副栅与所述第二副栅平行间隔设置;

    13、所述第一电极与所述第二电极采用不同的银浆烧结制得,所述第二副栅采用铝浆或银铝浆烧结制得。

    14、为实现上述目的,本申请还提供了一种p型bc电池制备方法,包括:

    15、在p型衬底背面的n区沿厚度方向依次沉积隧穿层和掺杂多晶硅层;

    16、在所述p型衬底背面依次制备氧化铝层和复合钝化层,所述氧化铝层和所述复合钝化层构成钝化膜;

    17、在所述n区的钝化膜表面先后印刷两种浆料,并经高温烧结得到第一电极与第二电极,所述第一电极包括边缘主栅、焊盘、连接所述边缘主栅与所述焊盘的互联栅线,所述第二电极包括连接所述边缘主栅与所述焊盘的细栅,所述细栅与所述互联栅线沿所述边缘主栅的延伸方向间隔设置,所述细栅穿透所述钝化膜以与所述掺杂多晶硅层相接触。

    18、可选的,在所述n区的钝化膜表面先后印刷两种浆料,并经高温烧结得到第一电极与第二电极,包括:

    19、在所述n区的钝化膜表面印刷第一种浆料,烘干;接着在所述n区的钝化膜表面印刷第二种浆料,烘干;

    20、对所述第一种浆料和所述第二种浆料进行高温烧结,分别得到所述第一电极与所述第二电极,所述第二电极的高度高于所述第一电极的高度。

    21、本申请提供的一种p型bc电池,包括:p型衬底;所述p型衬底背面的n区沿厚度方向依次设置有隧穿层、掺杂多晶硅层和钝化膜;所述钝化膜包括氧化铝层和复合钝化层;所述n区还设置有第一电极与第二电极,所述第一电极与所述第二电极两者组成不同;所述第一电极包括边缘主栅、焊盘、连接所述边缘主栅与所述焊盘的互联栅线,所述第二电极包括连接所述边缘主栅与所述焊盘的细栅,所述细栅与所述互联栅线沿所述边缘主栅的延伸方向间隔设置,所述细栅穿透所述钝化膜以与所述掺杂多晶硅层相接触。

    22、显然,本申请优化了p型bc电池的发射极,在边缘主栅与焊盘之间增设细栅,细栅组成不同于第一电极且能烧穿钝化膜,实现发射区载流子更有效的收集,从而提升了电池转化效率。本申请还提供一种p型bc电池制备方法,具有上述有益效果。



    技术特征:

    1.一种p型bc电池,其特征在于,包括:p型衬底;

    2.根据权利要求1所述的p型bc电池,其特征在于,所述细栅的宽度小于所述互联栅线的宽度,所述细栅的宽度设置为20μm-50μm,且包括两端的值。

    3.根据权利要求1所述的p型bc电池,其特征在于,所述互联栅线和所述细栅均与所述焊盘的中间区域连接;所述互联栅线包括第一互联栅线和第二互联栅线;所述第一互联栅线和所述第二互联栅线分别位于所述细栅两侧。

    4.根据权利要求3所述的p型bc电池,其特征在于,所述第一互联栅线与所述第二互联栅线的间距为50μm-200μm,且包括两端的值。

    5.根据权利要求3所述的p型bc电池,其特征在于,所述第一互联栅线与所述第二互联栅线的宽度均设置为100μm-500μm,且包括两端的值;所述第一互联栅线与所述第二互联栅线的宽度之和大于所述边缘主栅的宽度。

    6.根据权利要求1所述的p型bc电池,其特征在于,所述互联栅线与所述焊盘的一端边缘区域连接;所述细栅与所述焊盘的另一端边缘区域连接。

    7.根据权利要求6所述的p型bc电池,其特征在于,所述互联栅线与穿过所述焊盘中心且垂直于所述边缘主栅的中心线的距离为100μm-900μm,且包括两端的值;

    8.根据权利要求1所述的p型bc电池,其特征在于,所述第二电极还包括垂直于所述边缘主栅的第一副栅,所述p型衬底背面的p区设置有第二副栅,所述第一副栅与所述第二副栅平行间隔设置;

    9.一种p型bc电池制备方法,其特征在于,包括:

    10.根据权利要求9所述的p型bc电池制备方法,其特征在于,在所述n区的钝化膜表面先后印刷两种浆料,并经高温烧结得到第一电极与第二电极,包括:


    技术总结
    本申请公开了一种P型BC电池及P型BC电池制备方法,属于太阳能电池领域,该电池包括:P型衬底;P型衬底背面的N区沿厚度方向依次设置有隧穿层、掺杂多晶硅层和钝化膜;钝化膜包括氧化铝层和复合钝化层;N区还设置有第一电极与第二电极,第一电极与第二电极两者组成不同;第一电极包括边缘主栅、焊盘、连接边缘主栅与焊盘的互联栅线,第二电极包括连接边缘主栅与焊盘的细栅,细栅与互联栅线沿边缘主栅的延伸方向间隔设置,细栅穿透钝化膜以与掺杂多晶硅层相接触。本申请优化了P型BC电池的发射极,在边缘主栅与焊盘之间增设细栅,细栅组成不同于第一电极且能烧穿钝化膜,实现发射区载流子更有效的收集,从而提升了电池转化效率。

    技术研发人员:张佳,王伟伟
    受保护的技术使用者:正泰新能科技股份有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/4/29
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