本发明涉及搞去驱动电路，具体涉及一种钳位电路和高边开关。
背景技术：
1、如图1所示，图1为现有的高压钳位电路结构，在图1所示结构中才用了一个单向tvs管(瞬态电压抑制器二极管)，将其反向并联于被保护电路的两端。在被保护电路正常工作是，tvs管处于截止状态(高阻态)，且不影响电路的正常工作。在被保护电路出现异常过电压并达到tvs管的击穿电压时，tvs管能够迅速由高阻态突变为低阻态，泄放由异常过电压导致的瞬时过电流到地，同时把异常瞬态电压钳制在较低的水平，从而保护后级电路免遭异常过电压的损坏。当异常过电压消失后，tvs阻值又恢复为高阻态。
2、现有技术中，由于tvs管被设计的比较大，这无疑占据了较多的电路板面积。
3、目前，针对于现有技术中使用tvs管作为钳位电路结构导致占据了较多的电路板面积的问题，尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
1、有鉴于此，本发明实施例提供一种钳位电路和高边开关，以至少解决现有技术中使用tvs管作为钳位电路导致占据了较多的电路板面积的问题。
2、本发明实施例提供以下技术方案：
3、本发明实施例提供一种钳位电路，包括：
4、第一电感，所述第一电感与电压vdd连接；
5、第一驱动电路，所述第一驱动电路与所述第一电感串联连接，所述第一驱动电路包括串联设置的第一钳位保护电路；
6、第二驱动电路，所述第二驱动电路与所述第一驱动电路串联连接，所述第二驱动电路包括串联设置的第二钳位保护电路；
7、外部负载，所述外部负载与所述第二驱动电路串联连接，并接地设置。
8、进一步地，所述第一驱动电路包括：
9、多个串联设置的第一反向齐纳管，所述多个串联设置的第一反向齐纳管的第一端与所述第一电感连接；
10、多个串联设置的第一正向齐纳管，所述多个串联设置的第一正向齐纳管的第一端与所述多个第一反向齐纳管的第二端连接，其中，所述多个第一反向齐纳管和所述多个第一正向齐纳管共同构成所述第一钳位保护电路；
11、第一mos管，所述第一mos管的栅极与所述多个第一正向齐纳管的第二端连接，所述第一mos管的漏极分别与所述多个串联设置的第一反向齐纳管的第一端、所述第一电感连接，所述第一mos管的源极与所述第二驱动电路连接。
12、进一步地，所述第一正向齐纳管为两个。
13、进一步地，所述第一mos管为nmos管。
14、进一步地，所述第二驱动电路包括：
15、多个串联设置的第二反向齐纳管，所述多个串联设置的第二反向齐纳管的第一端与所述第一驱动电路连接；
16、多个串联设置的第二正向齐纳管，所述多个串联设置的第二正向齐纳管的第一端与所述多个第二反向齐纳管的第二端连接，其中，所述多个第二反向齐纳管和所述多个第二正向齐纳管共同构成所述第二钳位保护电路；
17、第二mos管，所述第二mos管的栅极与所述多个第二正向齐纳管的第二端连接，所述第二mos管的漏极分别与所述多个第二反向齐纳管的第一端、所述第一驱动电路连接，所述第二mos管的源极与所述外部负载连接。
18、进一步地，所述第二正向齐纳管为两个。
19、进一步地，所述第二mos管为nmos管。
20、进一步地，所述外部负载包括串联设置的感性负载和阻性负载。
21、进一步地，所述外部负载包括串联设置的第二电感和电阻。
22、本发明实施例还提供了一种高边开关，包括如上任一所述的钳位电路
23、本发明实施例还提供了一种高边开关，包括如上任一所述的钳位电路。
24、与现有技术相比，本发明实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：
25、本发明的一种钳位电路，通过使用第一驱动电路和第二驱动电路对瞬态电压进行钳制，且第一驱动电路和第二驱动电路采用片内正向齐纳管和片内反向齐纳管，从而使得钳位电路的面积相对于片外tvs管面积明显减少，解决了现有技术中使用tvs管作为钳位电路导致占据了较多的电路板面积的问题。
1.一种钳位电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的钳位电路，其特征在于，所述第一驱动电路包括：
3.根据权利要求2所述的钳位电路，其特征在于，所述第一正向齐纳管为两个。
4.根据权利要求2所述的钳位电路，其特征在于，所述第一mos管为nmos管。
5.根据权利要求1所述的钳位电路，其特征在于，所述第二驱动电路包括：
6.根据权利要求5所述的钳位电路，其特征在于，所述第二正向齐纳管为两个。
7.根据权利要求5所述的钳位电路，其特征在于，所述第二mos管为nmos管。
8.根据权利要求1所述的钳位电路，其特征在于，所述外部负载包括串联设置的感性负载和阻性负载。
9.根据权利要求8所述的钳位电路，其特征在于，所述外部负载包括串联设置的第二电感和电阻。
10.一种高边开关，其特征在于，包括如权利要求1～9任一所述的钳位电路。
