一种通过添加剂控制SiC产品孔隙的方法与流程

    专利2026-05-14  8

    本发明涉及材料制备,特别涉及一种通过添加剂控制sic产品孔隙的方法。


    背景技术:

    1、碳化硅(sic)是一种重要的耐高温、高强度陶瓷材料,在航空航天、光电子、石油化工等领域具有广泛应用。然而,传统的sic制备方法在孔隙控制方面存在一定的局限,sic产品中存在的孔隙会改变sic晶体的晶格常数和晶体结构,从而影响sic晶体的机械性能和热力学性能。因此注意控制孔隙的行程和扩散对sic产品的性能至关重要。


    技术实现思路

    1、本发明的目的是提供一种通过添加剂控制sic产品孔隙的方法,用来解决背景技术中提出的问题,方便推广。

    2、为了达到上述发明目的,本发明采用的技术方案为:

    3、一种通过添加剂控制sic产品孔隙的方法,包括以下步骤:

    4、步骤一:提供sic原料和特定添加剂;

    5、步骤二:将sic原料和特定添加剂按照一定比例进行混合;

    6、步骤三:在混合物中加入适量的溶剂,使其形成均匀的糊状物;

    7、步骤四:将糊状物进行均匀压制,形成致密的坯体;

    8、步骤五:将坯体进行热处理,使添加剂在高温条件下发生反应;

    9、步骤六:经过热处理后的坯体进行烧结,得到孔隙控制良好的sic产品。

    10、进一步的,所述特定添加剂为粘合剂;

    11、所述粘合剂的组成为炭黑0.9-5%、硼0.2-1%、聚乙二醇4-10%、丙烯酰胺3-12%、聚乙烯醇树脂2-11%。

    12、进一步的,所述sic原料为碳化硅微粉。

    13、进一步的,所述热处理温度为2000℃。

    14、进一步的,所述热处理所使用的设备为马弗炉。

    15、进一步的,所述溶剂为水。

    16、进一步的,所述sic原料和特定添加剂的比例为3∶1。

    17、作为改进,本发明的有益效果为:

    18、本发明提供一种通过添加剂控制sic产品孔隙的方法,能够有效控制sic产品的孔隙结构,提高其密实性和力学性能,在保证成型稳定性和一致性的同时,能够有效提高干压成型的素坯强度,并能在烧结后保证sic产品无显性气孔,具备高致密度带来的卓越力学和热力学性能。



    技术特征:

    1.一种通过添加剂控制sic产品孔隙的方法,包括以下步骤:

    2.根据权利要求1所述的一种通过添加剂控制sic产品孔隙的方法,其特征在于,所述特定添加剂为粘合剂;

    3.根据权利要求2所述的一种通过添加剂控制sic产品孔隙的方法,其特征在于,所述sic原料为碳化硅微粉。

    4.根据权利要求3所述的一种通过添加剂控制sic产品孔隙的方法,其特征在于,所述热处理温度为2000℃。

    5.根据权利要求4所述的一种通过添加剂控制sic产品孔隙的方法,其特征在于,所述热处理所使用的设备为马弗炉。

    6.根据权利要求1所述的一种通过添加剂控制sic产品孔隙的方法,其特征在于,所述溶剂为水。

    7.根据权利要求1至6任一项所述的一种通过添加剂控制sic产品孔隙的方法,其特征在于,所述sic原料和特定添加剂的比例为3∶1。


    技术总结
    本发明的目的是提供一种通过添加剂控制SiC产品孔隙的方法,能够有效控制SiC产品的孔隙结构,提高其密实性和力学性能,在保证成型稳定性和一致性的同时,能够有效提高干压成型的素坯强度,并能在烧结后保证SiC产品无显性气孔,具备高致密度带来的卓越力学和热力学性能。

    技术研发人员:蔡晓冉,何一旻
    受保护的技术使用者:上海华硕精瓷陶瓷股份有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/4/29
    转载请注明原文地址:https://wp.8miu.com/read-97158.html

    最新回复(0)