电子设备的制作方法

    专利2026-05-10  3


    本申请属于通信,具体涉及一种电子设备。


    背景技术:

    1、随着电子设备(如手机)的市场竞争加剧,降本增效成了各电子设备品牌的重点要求,冲压铝合金材料相比于压铸铝合金,因其成本低的优势,现在广泛的应用在低端手机市场中作为主板上盖。

    2、当前冲压铝主板上盖主要应用在4g终端手机上,极少数手机厂商会在5g项目中搭配激光直接成型(laser direct structure,lds)天线来实现冲压铝结构的主板上盖。究其原因,主要是因为手机中会使用同轴线把副板端的信号传输到主板端,在信号传输的过程中因电磁感应,会在同轴线的周围会产生电场,该电场会对附近的天线造成干扰,即产生杂波干扰。而冲压铝的壁厚均匀,在使用冲压铝结构作为主板上盖时,只能在与同轴线间隔的区域内形成u形折弯,冲压铝与同轴线之间填充塑胶,该结构造成同轴线无法接地,且冲压铝无法形成同轴线与天线之间的金属挡墙。

    3、因此,使用冲压铝结构作为主板上盖,无法规避同轴线对天线的杂波干扰问题,会导致天线的性能下降。


    技术实现思路

    1、本申请实施例的目的是提供一种电子设备,能够在电子设备上搭配冲压金属结构的主板上盖的情况下,降低电子设备内的同轴线对天线的杂波干扰,提升了天线的性能。

    2、本申请实施例提供了一种电子设备,该电子设备包括:主板、副板、同轴线、主板上盖、第一天线和第二天线;所述第一天线包括第一辐射体,所述第二天线包括第二辐射体,所述主板上盖为冲压金属结构;

    3、所述同轴线连接在所述主板和所述副板之间,且所述同轴线的至少部分沿所述电子设备的第一侧边延伸;

    4、所述第二辐射体位于所述电子设备的第二侧边,所述第一侧边和所述第二侧边相邻;

    5、所述第一辐射体沿所述第一侧边延伸,且所述第一辐射体的第一端与第一区域的重叠长度小于或等于第一阈值,其中,所述第一区域为所述同轴线所在的区域,所述重叠长度为沿所述第一侧边的长度,所述第一阈值与所述第一天线的杂波干扰需求相关;

    6、所述第一辐射体的第二端与所述第二辐射体之间具有第一间隙。

    7、在本申请实施例中,在电子设备上搭配冲压金属结构的主板上盖,该冲压金属结构的主板上盖无法屏蔽同轴线上的电磁场对第一天线的杂波干扰,也无法将同轴线接地以防止同轴线上的电磁场外扩,此时,通过将第一天线的第一端与同轴线所在区域的重叠长度缩小,并将第一天线的第二端朝向第二天线辐射体的方向延伸,以在确保第一辐射体的尺寸满足第一天线的各频段的辐射要求的前提下,使第一辐射体尽可能的远离同轴线,使得第一天线的第一端与同轴线所在区域的重叠长度小于或等于第一阈值,可以降低同轴线上的电磁场对第一天线的杂波干扰,提升了第一天线的天线性能。



    技术特征:

    1.一种电子设备,其特征在于,包括:主板、副板、同轴线、主板上盖、第一天线和第二天线;所述第一天线包括第一辐射体,所述第二天线包括第二辐射体,所述主板上盖为冲压金属结构;

    2.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述电子设备还包括:主板支架和第三天线;所述第三天线包括第三辐射体;

    3.根据权利要求2所述的电子设备,其特征在于,所述第三天线为单级天线。

    4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子设备,其特征在于,所述第一阈值小于或等于1mm。

    5.根据权利要求2或3所述的电子设备,其特征在于,所述第三辐射体与所述主板之间的距离大于或等于1.5mm。

    6.根据权利要求1至3中任一项所述的电子设备,其特征在于,所述第一天线为环形loop天线。

    7.根据权利要求1至3中任一项所述的电子设备,其特征在于,所述第一天线还包括第一馈电和第二馈电;

    8.根据权利要求7所述的电子设备,其特征在于,所述第一天线还包括第一切换开关和第一调谐模组;

    9.根据权利要求1至3中任一项所述的电子设备,其特征在于,所述第二天线为lte主天线。

    10.根据权利要求2或3所述的电子设备,其特征在于,所述第三天线用于以下至少一个频段的分集接收drx:nsa n77频段、nsa 78频段、sa n77频段、sa 78频段。

    11.根据权利要求2或3所述的电子设备,其特征在于,所述第一天线、所述第二天线和所述第三天线中的至少一项为柔性电路板fpc天线。


    技术总结
    本申请公开了一种电子设备,属于通信技术领域。电子设备包括:主板、副板、同轴线、主板上盖、第一天线和第二天线;第一天线包括第一辐射体,第二天线包括第二辐射体,主板上盖为冲压金属结构;同轴线连接在主板和副板之间,且同轴线的至少部分沿电子设备的第一侧边延伸;第二辐射体位于电子设备的第二侧边,第一侧边和第二侧边相邻;第一辐射体沿第一侧边延伸,且第一辐射体的第一端与第一区域的重叠长度小于或等于第一阈值,第一区域为同轴线所在的区域,重叠长度为沿第一侧边的长度,第一阈值与第一天线的杂波干扰需求相关;第一辐射体的第二端与第二辐射体之间具有第一间隙。

    技术研发人员:姚奇
    受保护的技术使用者:维沃移动通信有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/4/29
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