本发明涉及半导体，特别涉及一种去除光刻胶的方法及去胶机台。
背景技术：
1、在集成电路中，经过刻蚀或者离子注入之后，已经不需要光刻胶作为掩膜层，因此需要采用去胶工艺将光刻胶去除。去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶。干法去胶是利用等离子体将光刻胶去除。以使用氧等离子体为例，晶圆上的光刻胶通过在氧等离子体中发生化学反应，生成气态的co、co2和h2o可以由真空系统抽走。相对于湿法去胶，干法去胶的效果更好。
2、在干法去胶工艺中，晶圆100位于去胶机台上，晶圆(wafer)靠近承载台的一面中心区域与氧气难以接触，致使晶圆靠近承载台的一面中心区域生成的氧化膜不足以完全阻隔晶圆靠近承载台的一面的硅与后续清洗工艺中的湿法药液中的羟胺组分(rhn2)相互接触，而羟胺组分会与硅发生反应，导致晶圆靠近承载台的一面中心区域的硅损伤(sidamage)形成凹坑110，如图1所示，影响后续光刻对准，造成散焦(defocus)，进而导致产品良率偏低。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种去除光刻胶的方法及去胶机台，以解决晶圆靠近去胶机台一侧的中心区域在清洗工艺中被破坏，影响后续光刻对准，造成散焦，进而导致产品良率偏低的问题。
2、为解决上述技术问题，本发明提供一种去胶机台，包括承载台，所述承载台用于支撑晶圆，所述晶圆靠近所述承载台的一面充分接触反应气体，以使去胶工艺中的所述晶圆靠近所述承载台的一面形成保护层。
3、可选的，所述承载台上设置有多个凸起，所述凸起用于支撑所述晶圆以使所述承载台与所述晶圆具有预定距离。
4、可选的，所述承载台上设置有多个支撑架，所述支撑架用于固定所述晶圆的边缘以使所述承载台与所述晶圆具有预定距离。
5、可选的，所述承载台的中心设置有凹坑，以使所述晶圆的中心区域与所述承载台具有预定距离。
6、可选的，所述凹坑位置设置有通气孔，所述通气孔用于将反应气体输送至所述晶圆的靠近所述承载台的一面中心区域。
7、可选的，所述承载台上均匀设置有多个通气孔，所述通气孔用于将反应气体均匀输送至所述晶圆的靠近所述承载台的一整面。
8、可选的，所述保护层为氧化层。
9、基于同一发明构思，本发明还提供一种去除光刻胶的方法，采用上述任一项所述的去胶机台，包括：
10、提供一晶圆，所述晶圆包括第一表面和第二表面，所述晶圆的第一表面上形成有光刻胶层；
11、将所述晶圆放在去胶机台的承载台上，并通入反应气体，所述反应气体与所述光刻胶层反应以去除所述光刻胶层，同时所述晶圆靠近所述承载台的一面充分接触反应气体以在所述晶圆的第二表面上形成保护层。
12、可选的，所述反应气体为氧气。
13、可选的，所述保护层为氧化层。
14、在本发明提供的去除光刻胶的方法及去胶机台中，所述晶圆靠近所述承载台的一面充分接触反应气体，以使在去胶工艺中晶圆靠近承载台的一面形成保护层，在后续湿法清洗工艺中，湿法药液中的羟胺组分与保护层几乎不发生反应，有效保护经过湿法清洗过程的晶圆靠近承载台的一面，避免晶圆靠近承载台的一面中心区域被损伤；保证了后续光刻对准，避免了散焦的发生。本发明提供的去除光刻胶的方法及去胶机台提高了产品的良率。
1.一种去胶机台，其特征在于，包括承载台，所述承载台用于支撑晶圆，所述晶圆靠近所述承载台的一面充分接触反应气体，以使去胶工艺中的所述晶圆靠近所述承载台的一面形成保护层。
2.根据权利要求1所述的去胶机台，其特征在于，所述承载台上设置有多个凸起，所述凸起用于支撑所述晶圆以使所述承载台与所述晶圆具有预定距离。
3.根据权利要求1所述的去胶机台，其特征在于，所述承载台上设置有多个支撑架，所述支撑架用于固定所述晶圆的边缘以使所述承载台与所述晶圆具有预定距离。
4.根据权利要求1所述的去胶机台，其特征在于，所述承载台的中心设置有凹坑，以使所述晶圆的中心区域与所述承载台具有预定距离。
5.根据权利要求4所述的去胶机台，其特征在于，所述凹坑位置设置有通气孔，所述通气孔用于将反应气体输送至所述晶圆的靠近所述承载台的一面的中心区域。
6.根据权利要求1所述的去胶机台，其特征在于，所述承载台上均匀设置有多个通气孔，所述通气孔用于将反应气体均匀输送至所述晶圆的靠近所述承载台的一整面。
7.根据权利要求1所述的去胶机台，其特征在于，所述保护层为氧化层。
8.一种去除光刻胶的方法，其特征在于，采用如权利要求1～7任一项所述的去胶机台，包括：
9.根据权利要求8所述的去除光刻胶的方法，其特征在于，所述反应气体为氧气。
10.根据权利要求8所述的去除光刻胶的方法，其特征在于，所述保护层为氧化层。
