本技术涉及半导体制造，具体为用于硅的刻蚀设备。
背景技术：
1、刻蚀，它是一种半导体制造工艺，微电子ic制造以及微纳制造中的一个相当重要的步骤，即先通过光刻工艺将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀，处理掉所需除去的部分。
2、目前常用的刻蚀方式是，在显影液中盛放显影液，在刻蚀箱内盛放刻蚀液，通过夹具夹持晶圆并将晶圆分别浸没在显影液、刻蚀液中，到达设定的时间后取出，即可完成材料的去除，需要时放入清理箱中，喷淋清水对残留的液体进行清理。
3、上述过程中存在以下几点缺陷：晶圆的放置、取出过程较为繁琐，对于数量多的晶圆加工工作，效率较低；晶圆同时浸没在显影液、刻蚀液中，无法很好的控制晶圆间的间隙，影响液体与晶圆的接触，从而影响刻蚀质量；且清理过程不够便利。
4、因次，为了解决上述问题，提出一种用于硅的刻蚀设备。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种用于硅的刻蚀设备，提升晶圆夹持的便利性，使其在刻蚀和清理的过程中更便利，从而解决上述背景技术中提出的问题。
2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
3、用于硅的刻蚀设备，包括轨道、刻蚀箱和清理箱，所述轨道上安装有若干个行走车，所述行走车的侧壁竖直固定安装有电动丝杠模组，所述电动丝杠模组的滑台竖直固定安装有一级负压管道，所述一级负压管道水平连通安装有若干个二级负压管道，所述二级负压管道通过转动接头连通安装有三级负压管道，所述三级负压管道的顶部连通安装有负压吸盘；所述一级负压管道的侧壁通过轴承座转动安装有转轴，所述一级负压管道的侧壁固定安装有减速电机，所述减速电机与转轴的一端联接，每个所述三级负压管道和转轴之间安装有传动结构；所述清理箱设置有清理装置。
4、具体的，所述传动结构包括驱动链轮、链条和从动链轮，所述驱动链轮与转轴固定装配，所述从动链轮与三级负压管道固定装配，所述驱动链轮和从动链轮之间啮合有链条。
5、具体的，所述二级负压管道为u字形管道。
6、具体的，所述清理装置包括清理组件、电缸和支撑板，所述清理箱的一侧通过光杆滑动安装有支撑板，所述支撑板的中心处固定安装有电缸，所述电缸的推杆与清理箱固定装配，所述支撑板沿着竖直方向设置有若干个清理组件，所述清理箱的侧壁开设有用于穿过清理组件的通孔，每组所述清理组件包括水平设置的一个烘干管和一个清水管，所述清理组件位于清理箱内部的为输出端、位于清理箱外部的为输入端。
7、进一步的，所述烘干管和清水管的输出端连通安装有喷头，位于所述负压吸盘之间的输出端的上下两侧对称安装有喷头。
8、具体的，工作时各个所述喷头位于晶圆靠近支撑板一侧的四分之一处。
9、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
10、通过轨道、行走车和电动丝杠模组等结构的配合，能够提升晶圆运输的灵活性，并且设置的减速电机、转轴、传动结构能够同时转动负压吸盘上的晶圆，提升晶圆夹持的数量和便利性；浸没在显影液、刻蚀液中时也可保持晶圆间具有足够的间隙，同时晶圆可以缓慢旋转，利于与液体充分接触，提升刻蚀效率和质量；清理装置的设置可依次对清理箱中的晶圆进行清水喷淋和热风烘干，将残留的液体清理干净。
1.用于硅的刻蚀设备，包括轨道（1）、显影箱（15）、刻蚀箱（9）和清理箱（14），所述轨道（1）上安装有若干个行走车（2），其特征在于：所述行走车（2）的侧壁竖直固定安装有电动丝杠模组（12），所述电动丝杠模组（12）的滑台（16）竖直固定安装有一级负压管道（11），所述一级负压管道（11）水平连通安装有若干个二级负压管道（8），所述二级负压管道（8）通过转动接头（7）连通安装有三级负压管道（6），所述三级负压管道（6）的顶部连通安装有负压吸盘（5）；
2.根据权利要求1所述的用于硅的刻蚀设备，其特征在于：所述二级负压管道（8）为u字形管道。
3.根据权利要求1所述的用于硅的刻蚀设备，其特征在于：所述清理装置（3）包括清理组件、电缸（33）和支撑板（34），所述清理箱（14）的一侧通过光杆（18）滑动安装有支撑板（34），所述支撑板（34）的中心处固定安装有电缸（33），所述电缸（33）的推杆与清理箱（14）固定装配，所述支撑板（34）沿着竖直方向设置有若干个清理组件，所述清理箱（14）的侧壁开设有用于穿过清理组件的通孔，每组所述清理组件包括水平设置的一个烘干管（32）和一个清水管（31），所述清理组件位于清理箱（14）内部的为输出端、位于清理箱（14）外部的为输入端。
4.根据权利要求3所述的用于硅的刻蚀设备，其特征在于：所述烘干管（32）和清水管（31）的输出端连通安装有喷头，位于所述负压吸盘（5）之间的输出端的上下两侧对称安装有喷头。
5.根据权利要求4所述的用于硅的刻蚀设备，其特征在于：工作时各个所述喷头位于晶圆靠近支撑板（34）一侧的四分之一处。
