一种激光分段曝光的拼接成像方法与流程

    专利2026-04-04  6


    本发明涉及一种激光直接成像方法,尤其涉及一种激光分段曝光的拼接成像方法。


    背景技术:

    1、激光直接成像方法是用激光扫描的方法直接将图像在掩膜板上成像,用于pcb工艺及丝网印刷中的曝光工序,曝光后图像留在掩膜板上,结合后续的镀铜工序,完成pcb或丝网制作。激光成像方法的核心成像部分包括分图系统、dmd(数字微镜元件)控制系统、光学投影系统、运动平台控制系统等。

    2、pcb工艺及丝网印刷中的图像在掩膜板上成像,首先要通过分图系统将原始图形分割成多个单元,dmd控制系统处理分图数据,实现dmd的图形显示。对于高度较大的图形,通常需要将图形分段曝光。目前现有技术中采用调整相邻两段曝光区域的拼接区域高度实现图形的拼接,然而调整相邻两段图形拼接区域高度通常会处理不当,导致出现拼接处能量过高或者拼接处图形断开的现象。因此如何实现高质量分段曝光的拼接成为当下急需解决的技术难题。


    技术实现思路

    1、为解决上述技术问题,本发明提供了一种激光分段曝光的拼接成像方法。本发明的技术方案是:一种激光分段曝光的拼接成像方法,该成像方法包括以下步骤:

    2、s1:拼接区域图形高度数据处理

    3、设定掩膜板上的一片总曝光图形为矩形pqts,矩形pqts尺寸为w×h,该片总曝光图形分为第一段理论曝光图形和第二段理论曝光图形,根据第一段理论曝光图形尺寸w×h1,第二段理论曝光图形尺寸w×h2,计算得出拼接区域图形高度δy=h1+h2–h,拼接区域图形为矩形p1 bp2a,所述矩形p1 bp2a尺寸为w×δy;

    4、s2:获取第一段实际曝光图形和第二段实际曝光图形

    5、根据步骤s1所获得的拼接区域图形为矩形p1 bp2a,将所述拼接区域图形按照矩形对角线p1 p2切开,总曝光图形上段部分属于第一段实际曝光图形p1 p2ts,定义为图形id=0,总曝光图形下段部分属于第二段实际曝光图形pqp2p1,定义为图形i d=1;

    6、s3:对位曝光处理

    7、设定矩形p1 bp2a对角线的p1点坐标为(x1,y1),矩形p1 bp2a对角线的p2点坐标为(x2,y2),计算得出第一段实际曝光图形p1 p2ts的位置信息,并对曝光区域内图形i d=0的图形进行曝光;

    8、计算得出第二段实际曝光图形pqp2p1的位置信息,并对曝光区域内图形i d=1的图形进行曝光。

    9、进一步的,步骤s2中设定拼接区域中的图形重叠区域高度为h,点p1、点p2向上平移h获得点p3、点p4,点p3坐标为(x1,y1+h),点p4坐标为(x2,y2+h),则第一段实际曝光图形p1 p2ts定义为图形i d=0,第二段实际曝光图形pqp4p3定义为图形i d=1。

    10、进一步的,重复步骤s1、s2,对掩模板上的所有待曝光图形进行寻找,分别定义为图形i d=0和图形i d=1,步骤s3中对所有图形i d=0进行曝光之后再对所有图形i d=1进行曝光。

    11、进一步的,步骤s1中拼接区域高度δy为0.5-5mm。

    12、进一步的,步骤s2中拼接区域中的图形重叠区域高度h为0.001-0.1mm。

    13、进一步的,步骤s2中拼接区域中的图形重叠区域高度h为0.01mm。

    14、进一步的,步骤s3中对位曝光处理时,激光器固定,掩模板在三维运动台上移动。

    15、本发明的有益技术效果是:

    16、将拼接区域图形按照矩形对角线切开,则拼接区域上段以上部分属于第一段实际曝光图形,下段以下部分属于第二段实际曝光图形。曝光时先曝光第一段实际曝光图形,再曝光第二段实际曝光图形,拼接区域避免了二次曝光,即使拼接区域采用重叠区域曝光的方式,拼接区域中的图形重叠区域高度h仅为0.001-0.1mm,达到了理想的拼接效果。



    技术特征:

    1.一种激光分段曝光的拼接成像方法,其特征在于,该成像方法包括以下步骤:

    2.根据权利要求1所述的一种激光分段曝光的拼接成像方法,其特征在于,步骤s2中设定拼接区域中的图形重叠区域高度为h,点p1、点p2向上平移h获得点p3、点p4,点p3坐标为(x1,y1+h),点p4坐标为(x2,y2+h),则第一段实际曝光图形p1 p2ts定义为图形id=0,第二段实际曝光图形pqp4p3定义为图形id=1。

    3.根据权利要求1或2所述的一种激光分段曝光的拼接成像方法,其特征在于,重复步骤s1、s2,对掩模板上的所有待曝光图形进行寻找,分别定义为图形id=0和图形id=1,步骤s3中对所有图形id=0进行曝光之后再对所有图形id=1进行曝光。

    4.根据权利要求1或2所述的一种激光分段曝光的拼接成像方法,其特征在于,步骤s1中拼接区域高度δy为0.5-5mm。

    5.根据权利要求1或2所述的一种激光分段曝光的拼接成像方法,其特征在于,步骤s2中拼接区域中的图形重叠区域高度h为0.001-0.1mm。

    6.根据权利要求5所述的一种激光分段曝光的拼接成像方法,其特征在于,步骤s2中拼接区域中的图形重叠区域高度h为0.01mm。

    7.根据权利要求1所述的一种激光分段曝光的拼接成像方法,其特征在于,步骤s3中对位曝光处理时,激光器固定,掩模板在三维运动台上移动。


    技术总结
    本发明公开了一种激光分段曝光的拼接成像方法,属于激光直接成像领域,该拼接成像方法包括步骤S1拼接区域图形高度数据处理,步骤S2获取第一段实际曝光图形和第二段实际曝光图形,步骤S3对位曝光处理,其中拼接区域图形按照矩形对角线切开,则总曝光图形上段属于第一段实际曝光图形,总曝光图形下段属于第二段实际曝光图形。曝光时先曝光第一段实际曝光图形,再曝光第二段实际曝光图形,拼接区域避免了二次曝光,即使拼接区域采用重叠区域曝光的方式,拼接区域中的图形重叠区域高度h仅为0.001‑0.1mm,达到了理想的拼接效果。

    技术研发人员:廖绍良,张雷
    受保护的技术使用者:源卓微纳科技(苏州)股份有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/4/29
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