本发明涉及一种半导体结构及其制作方法，尤其是涉及一种包括焊盘的半导体结构及其制作方法。
背景技术：
1、随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，动态随机存储器(dynamic randomaccess memory,dram)单元的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于一具备凹入式闸极结构的dram单元而言，由于其可以在相同的半导体衬底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构的漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面闸极结构的dram单元。一般来说，具备凹入式闸极结构的dram单元会包括一晶体管组件与一电荷存储器件，以接收来自位线及字线的电压信号。然而，受限于工艺技术的缘故，现有具备凹入式闸极结构的dram单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器器件的效能及可靠度。
技术实现思路
1、本发明之一目的在于提供一种半导体结构及其制作方法，通过在焊盘阵列的两相对侧设置长度不同的周围焊盘，改善所述半导体结构因存储单元密度持续提升而可能衍生的结构缺陷。
2、为了实现上述目的，本发明的一个实施例提供了一种半导体结构，包括焊盘阵列。所述焊盘阵列包括多个第一焊盘、第一焊盘边界、第二焊盘边界、第二焊盘及第三焊盘。多个第一焊盘沿着第一方向与第二方向相互隔离分开设置。第一焊盘边界设置在所述焊盘阵列的一侧，所述第一焊盘边界包括在第三方向延伸的多个第一分支焊盘。第二焊盘边界设置在与所述第一焊盘边界相对的所述焊盘阵列的另一侧，所述第二焊盘边界包括在所述第三方向延伸的多个第二分支焊盘。第二焊盘在所述第二方向上相互分离地设置在所述第一分支焊盘之间。第三焊盘在所述第二方向上相互分离地设置在所述第二分支焊盘之间。其中所述第二焊盘在所述第三方向的长度小于所述第三焊盘在所述第三方向的长度。
3、为了实现上述目的，本发明的另一个实施例提供了另一种半导体结构，包括焊盘阵列，所述焊盘阵列包括多个第一焊盘，所述第一焊盘被布置成在第一方向上延伸的多个行，被布置成在第二方向上延伸的多个列。第一焊盘边界，设置在所述焊盘阵列的一侧，所述第一焊盘边界包括多个第一分支焊盘。第二焊盘边界，设置在与所述第一焊盘边界相对的所述焊盘阵列的另一侧，所述第二焊盘边界包括多个第二分支焊盘。其中，各所述行中最靠近所述第一焊盘边界的所述第一焊盘具有第一锯齿轮廓，各所述行中最靠近所述第二焊盘边界的所述第一焊盘具有不同于所述第一锯齿轮廓的第二锯齿轮廓。
4、为了实现上述目的，本发明的一个实施例提供了另一种半导体结构的制作方法，包括以下步骤：在芯片上形成插塞阵列，包括多个插塞，定义出各所述插塞的插塞中心。在所述芯片上定义一预设存储焊盘阵列，所述预设存储焊盘阵列包括多个预设存储焊盘图案。在所述预设存储焊盘阵列上定义出各所述预设存储焊盘图案的预设焊盘中心。通过所述预设存储焊盘阵列，在所述插塞上形成多个焊盘，各所述焊盘分别重合下方的各所述插塞，各所述焊盘分别具有一焊盘中心。通过比较所述插塞中心、所述预设焊盘中心和所述焊盘中心的位置关系处理所述焊盘。
5、整体来说，半导体结构及其制作方法借助在焊盘阵列的两相对侧分别设置长度不同的周围焊盘，使得焊盘阵列整体呈现不对称的布局，以维持存储区域内的焊盘与其对应插塞之间的接触范围，由此，使得半导体结构得以具备优化的结构与效能。
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在所述第三方向上，所述第一分支焊盘之间或所述第二焊盘之间未夹设所述第一焊盘，所述第二分支焊盘或所述第三焊盘之间夹设所述第一焊盘。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一焊盘在所述第一方向上具有第一长度，所述第二焊盘在所述第一方向上具有第二长度，所述第三焊盘在所述第一方向上具有第三长度，其中，所述第一长度、所述第二长度和所述第三长度均不相同。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，各所述第二焊盘和各所述第一分支焊盘(的端部在所述第三方向上彼此对齐排列，各所述第三焊盘和所述第二分支焊盘的端部在所述第三方向上部分错位排列。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，在所述第一方向上最靠近所述第二焊盘、所述第一分支焊盘、所述第三焊盘或所述第二分支焊盘的所述第一焊盘的重心到与其对应的所述插塞的重心之间的距离大于其余所述第一焊盘的重心到对应的所述插塞的重心之间的距离。
7.一种半导体结构，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一锯齿轮廓的开口大于所述第二锯齿状轮廓的开口。
9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一锯齿轮廓的锯齿高度大于所述第二锯齿轮廓的锯齿高度。
10.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述焊盘阵列还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，在所述第三方向上，所述第一分支焊盘之间或所述第二焊盘之间未夹设所述第一焊盘，所述第二分支焊盘或所述第三焊盘之间夹设所述第一焊盘。
12.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，在所述第一方向上最靠近所述第二焊盘、所述第一分支焊盘、所述第三焊盘或所述第二分支焊盘的所述第一焊盘的重心到与其对应的所述插塞的重心之间的距离小于其余所述第一焊盘的重心到对应的所述插塞的重心之间的距离。
14.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述通过比较所述插塞中心、所述预设焊盘中心和所述焊盘中心的位置关系处理所述焊盘还包括：
16.根据权利要求15所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：
17.根据权利要求16所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：
18.根据权利要求16所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：
19.根据权利要求18所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，修正所述焊盘还包括：
20.根据权利要求18所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，修正所述焊盘还包括：
