一种基于柔性基底的KNN无铅压电纳米线及其生长方法和应用

    专利2026-03-08  5


    本发明涉及knn无铅压电纳米线,尤其涉及一种基于柔性基底的knn无铅压电纳米线及其生长方法和应用。


    背景技术:

    1、低维铁电压电纳米材料在非易失铁电存储、微机电系统、能量收集装置、先进传感器以及光催化领域有着广泛应用。随着可持续以及绿色环保成为社会的发展主题,低维铁电压电纳米材料在能量收集领域的应用受到越来越多的关注。其中,一维铁电压电材料(纳米棒,纳米管等)是可实现能量转化的最小维度结构,超高的比表面积优势使其在能量收集领域具有重要的应用价值。然而,常用压电纳米材料主要为铅基材料,如锆钛酸铅pb(zr,ti)o3(pzt)等,这些材料中的pbo(或pb3o4)的含量约占60%左右,铅的毒性使得铅基压电材料在生产、使用及废弃后处理过程中都会给人类及生态环境带来严重危害,限制了在生物和医学等领域的应用。因此,研究和开发无铅压电材料具有重大社会意义和经济价值。(k,na)nbo3(knn)被认为是最具发展潜力的无铅压电材料之一,它具有好的生物相容性,稳定的化学特性,较高的居里温度和较好的压电响应。

    2、但现有的生长knn纳米线的方法都是在sto单晶片上生长的,深度依赖sto的诱导,并且单晶片是不可弯曲的硬性基底,这就使得由此材料制成的传感器器件不能弯曲,不能使用在有弯曲要求的测试环境之下,极大限度的限制了传感器的使用场景,并且硬性基底具有较差的生物相容性。

    3、因此,亟需一种可在柔性基底生长knn的方法。


    技术实现思路

    1、本发明的目的在于提供一种基于柔性基底的knn无铅压电纳米线的生长方法。本发明提供的生长方法可在柔性基底生长knn无铅压电纳米线。

    2、为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:

    3、本发明提供了一种基于柔性基底的knn无铅压电纳米线的生长方法,包括以下步骤:

    4、(1)将溶剂、粘结剂和钛酸锶粉末混合,得到混合溶液;

    5、(2)将柔性基底在所述步骤(1)得到的混合溶液中进行浸渍,得到沾有钛酸锶粉末的柔性基底;

    6、(3)将氢氧化钠、氢氧化钾、nb2o5和水混合,得到前驱液;

    7、(4)将所述步骤(2)得到的沾有钛酸锶粉末的柔性基底放入所述步骤(3)得到的前驱液中,再加入水,进行水热反应,得到基于柔性基底的knn无铅压电纳米线;

    8、所述步骤(1)~(2)与步骤(3)没有先后顺序。

    9、优选地,所述步骤(1)中钛酸锶粉末和粘结剂的质量比为(6~12):1。

    10、优选地,所述步骤(1)中溶剂的体积和粘结剂的质量比为(3~5)ml:(20~30)mg。

    11、优选地,所述步骤(2)中浸渍的时间为3s。

    12、优选地,所述步骤(3)中氢氧化钾、氢氧化钠和nb2o5的质量比为(10~20):(2~4):(0.5~1)。

    13、优选地,所述步骤(3)中氢氧化钾的质量和水的体积比为(10~20)g:(20~30)ml。

    14、优选地,所述步骤(4)前驱液中再加入水后得到的混合溶液的碱度为6~10mol/l。

    15、优选地,所述步骤(4)中水热反应的温度为170~200℃,水热反应的时间为20~28h。

    16、本发明提供了上述技术方案所述生长方法得到的基于柔性基底的knn无铅压电纳米线。

    17、本发明还提供了上述技术方案所述基于柔性基底的knn无铅压电纳米线在非易失铁电存储、微机电系统、能量收集装置、先进传感器及光催化领域中的应用。

    18、本发明提供了一种基于柔性基底的knn无铅压电纳米线的生长方法,包括以下步骤:(1)将溶剂、粘结剂和钛酸锶粉末混合,得到混合溶液;(2)将柔性基底在所述步骤(1)得到的混合溶液中进行浸渍,得到沾有钛酸锶粉末的柔性基底;(3)将氢氧化钠、氢氧化钾、nb2o5和水混合,得到前驱液;(4)将所述步骤(2)得到的沾有钛酸锶粉末的柔性基底放入所述步骤(3)得到的前驱液中,再加入水,进行水热反应,得到基于柔性基底的knn无铅压电纳米线;所述步骤(1)~(2)与步骤(3)没有先后顺序。本发明首先将溶剂、粘结剂和钛酸锶粉末混合,得到混合溶液,然后将柔性基底在混合溶液中进行浸渍,粘结剂使得钛酸锶粉末粘结在柔性基底上,然后再在氢氧化钠、氢氧化钾和nb2o5组成的前驱液中进行水热反应,nb2o5会在强碱的作用下形成单八面体nbo67-,然后同na+、k+结晶成核,最终在水热条件下形成knn纳米线;本发明提供的生长方法解决了对钛酸锶单晶片的深度依赖,使其转移到柔性基底上,使组装成的传感器能够在有弯曲需求的环境下使用,在保证压电性的同时,极大的提高了传感器的柔性,同时也提高了生物相容性,同时钛酸锶粉末相比钛酸锶单晶片,价格更低,极大的降低了生产成本。实施例的结果表明,由本发明生长的knn纳米线的压电性能相比于在钛酸锶单晶片上生长的knn纳米线的压电性能并未衰减。



    技术特征:

    1.一种基于柔性基底的knn无铅压电纳米线的生长方法,包括以下步骤:

    2.根据权利要求1所述的生长方法,其特征在于,所述步骤(1)中钛酸锶粉末和粘结剂的质量比为(6~12):1。

    3.根据权利要求1所述的生长方法,其特征在于,所述步骤(1)中溶剂的体积和粘结剂的质量比为(3~5)ml:(20~30)mg。

    4.根据权利要求1所述的生长方法,其特征在于,所述步骤(2)中浸渍的时间为3s。

    5.根据权利要求1所述的生长方法,其特征在于,所述步骤(3)中氢氧化钾、氢氧化钠和nb2o5的质量比为(10~20):(2~4):(0.5~1)。

    6.根据权利要求1所述的生长方法,其特征在于,所述步骤(3)中氢氧化钾的质量和水的体积比为(10~20)g:(20~30)ml。

    7.根据权利要求1所述的生长方法,其特征在于,所述步骤(4)前驱液中再加入水后得到的混合溶液的碱度为6~10mol/l。

    8.根据权利要求1所述的生长方法,其特征在于,所述步骤(4)中水热反应的温度为170~200℃,水热反应的时间为20~28h。

    9.权利要求1~8任意一项所述生长方法得到的基于柔性基底的knn无铅压电纳米线。

    10.权利要求9所述基于柔性基底的knn无铅压电纳米线在非易失铁电存储、微机电系统、能量收集装置、先进传感器及光催化领域中的应用。


    技术总结
    本发明提供了一种基于柔性基底的KNN无铅压电纳米线及其生长方法和应用,属于KNN无铅压电纳米线技术领域。本发明首先将柔性基底在含有钛酸锶粉末的混合溶液中进行浸渍,然后再在氢氧化钠、氢氧化钾和Nb<subgt;2</subgt;O<subgt;5</subgt;组成的前驱液中进行水热反应,Nb<subgt;2</subgt;O<subgt;5</subgt;会在强碱的作用下形成单八面体NbO<subgt;6</subgt;<supgt;7‑</supgt;,然后同Na<supgt;+</supgt;、K<supgt;+</supgt;结晶成核,最终在水热条件下形成KNN纳米线;本发明提供的生长方法解决了对钛酸锶单晶片的深度依赖,使其转移到柔性基底上,使组装成的传感器能够在有弯曲需求的环境下使用,在保证压电性的同时,极大的提高了传感器的柔性,同时也提高了生物相容性,同时钛酸锶粉末相比钛酸锶单晶片,价格更低,极大的降低了生产成本。

    技术研发人员:王钊,梅旭,姜蕾,赵奔,顾豪爽
    受保护的技术使用者:湖北大学
    技术研发日:
    技术公布日:2024/4/29
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