本发明涉及半导体结构，特别是涉及高电流密度结构。
背景技术：
1、近几年来，由于对高频以及高功率产品的需求与日俱增，以氮化镓(gan)作为材料的半导体功率元件，例如包含氮化铝镓-氮化镓(algan/gan)的高速电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor；hemt)元件，因为其具有高电子迁移率、高切换速度、以及可于高频、高功率、及高温的工作环境下操作的元件特性，已广泛应用在诸如电源供应器(power supply)、dc/dc整流器(dc/dc converter)、dc/ac换流器(ac/dc inverter)以及工业运用中，且高速电子迁移率晶体管元件的使用领域包含了电子产品、不断电系统、汽车、马达、风力发电等。
2、在高速电子迁移率晶体管元件中，为了追求更高的电流密度，需要进一步改善现有的高速电子迁移率晶体管元件。
技术实现思路
1、本发明实施例提供了一种半导体结构，包含第一沟道层，包括iii族氮化物半导体；第一阻障层，位于第一沟道层上，第一阻障层包括iii族氮化物半导体，其中第一沟道层中邻近与第一阻障层的界面处具有第一位能阱，其中第一位能阱存在有二维电子气；第二沟道层，位于第一阻障层上，其中第二沟道层包括iii族氮化物半导体；第二阻障层，位于第二沟道层上，第二阻障层包括iii族氮化物半导体；以及中间层，位于第二沟道层和第二阻障层之间，中间层包括iii族氮化物半导体，其中第二沟道层中邻近与中间层的界面处具有第二位能阱，其中第二位能阱存在有二维电子气，其中中间层的能隙大于第一阻障层的能隙、及第二阻障层的能隙，其中第一阻障层的能隙不小于第二阻障层的能隙，且低于中间层的能隙，以及其中在能带图中，第二位能阱的深度大于第一位能阱的深度。
2、本发明实施例另提供了一种半导体结构，包含多个沟道结构，沿第一方向依序堆叠设置，其中每个沟道结构包含沟道层；以及阻障层，位于沟道层上，其中沟道层和阻障层各自包含iii族氮化物半导体，且沟道层邻近阻障层的界面处具有位能阱，其中位能阱存在有二维电子气，其中沿第一方向的第n个阻障层的能隙不大于第n+1个阻障层的能隙，且最顶阻障层的能隙大于其他任一阻障层的能隙，其中n为自然数，且其中在能带图中，沿第一方向的第n个位能阱的深度不大于第n+1个位能阱的深度，且最顶位能阱的深度大于其他任一位能阱的深度；以及接触层，位于沟道结构上方，其中接触层包含iii族氮化物半导体，且接触层的能隙不大于上述任一阻障层的能隙。
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一阻障层的能隙比该第二阻障层的能隙大至多0.25ev。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二位能井的深度比该第一位能井的深度深至少0.5ev。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该中间层的al浓度大于该第一阻障层的al浓度、该第二阻障层的al浓度。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一阻障层的al浓度不小于该第二阻障层的al浓度。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一阻障层的iii族元素中al的原子百分比不大于50％，且该第一阻障层的iii族元素中al的原子百分比不小于20％。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二沟道层的厚度介于5纳米至30纳米之间，该第一阻障层的厚度介于5纳米至10纳米之间，该中间层的厚度介于0.5纳米至2纳米之间，且该第一沟道层的厚度介于250纳米至350纳米之间。
8.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：
9.如权利要求8所述的半导体结构，其中在能带图中，该第三位能阱的深度小于该第一位能阱的深度，或该第一阻障层的能隙大于该第三阻障层的能隙，或该第三阻障层的能隙不小于该第二阻障层的能隙。
10.一种半导体结构，包括：
