本发明属于半导体加工，特别涉及一种用于银烧结的防覆铜陶瓷基板氧化的方法及装置。
背景技术：
1、在碳化硅模块生产中，芯片和覆铜陶瓷基板会通过银烧结有效连接，在没有保护措施情况下，覆铜陶瓷基板会在较短时间内完全氧化，氧化后的覆铜陶瓷基板严重影响后续工序的生产作业，如超声焊接、回流焊接的焊接效果在覆铜陶瓷基板氧化后会显著恶化，对产品的良率和可靠性能都造成不良影响。
2、目前，在半导体加工技术中，通常是采用真空模具烧结的方法，在烧结模具中设计有排气通道，烧结开始后，通过所设计的排气通道将模具内部抽成真空状态。但是，采用真空模具烧结的方法，需要搭配真空系统，模具的结构设计复杂、成本高，密封件易磨损。在连续作业中，由于模具的密封问题、真空泵异常和真空管路泄漏等原因，会经常导致覆铜陶瓷基板发生氧化。当完成烧结后由于产品再次暴露在空气中，就需要将产品迅速抓取到冷却台，在搬运和冷却过程中覆铜陶瓷基板也容易发生氧化。
3、因此，有必要提供一种新的技术方案以解决上述技术问题。
技术实现思路
1、本发明所要解决的技术问题是覆铜陶瓷基板易氧化，产品良率和可靠性较低的技术问题。
2、为解决上述技术问题，本发明提供了一种用于银烧结的防覆铜陶瓷基板氧化的方法，所述方法包括：将待烧结物移动至上料腔体内，且实时获取所述上料腔体内的第一含氧量，以判断所述第一含氧量是否小于第一设定值；其中所述待烧结物包括芯片和覆铜陶瓷基板；若是，则将所述上料腔体与预充有惰性气体的烧结腔体连通后，再将所述待烧结物移动至所述烧结腔体内；密封烧结腔体且依次对所述待烧结物根据预热温度值和预热时间值进行预热，根据烧结压力值、烧结温度值和烧结时间值进行银烧结，根据设定温度值进行冷却，以获得冷却后的烧结物。
3、可选地，所述方法还包括:实时获取下料腔体内的第二含氧量，以判断所述第二含氧量是否小于第二设定值；若是，则将所述烧结腔体与所述下料腔体连通后，再将冷却后的烧结物移动至所述下料腔体内。
4、可选地，所述实时获取下料腔体内的第二含氧量，以判断所述第二含氧量是否小于第二设定值之后还包括：若否，则分别密封所述烧结腔体和所述下料腔体，且根据第一流量值将惰性气体输送至所述下料腔体内。
5、可选地，所述第一设定值和所述第二设定值分别是250ppm；所述第一流量值的数值范围是50l/min至100l/min。
6、可选地，所述实时获取所述上料腔体内的第一含氧量包括采用设置于所述上料腔体内的第一氧含量分析仪来实时获取所述上料腔体内的第一含氧量；所述实时获取下料腔体内的第二含氧量包括采用设置于下料腔体内的第二氧含量分析仪来实时获取所述下料腔体内的所述第二含氧量。
7、可选地，所述将待烧结物移动至上料腔体内，且实时获取所述上料腔体内的第一含氧量，以判断所述第一含氧量是否小于第一设定值之后还包括:若否，则分别密封所述上料腔体和所述烧结腔体，且根据第二流量输送惰性气体至所述上料腔体内。
8、可选地，所述第二流量值的数值范围是50l/min至100l/min。
9、可选地，所述预热温度值的数值范围是50℃至150℃，所述预热时间值的数值范围是30秒至50秒，所述烧结压力值的数值范围是15mpa至25mpa，所述烧结温度值的数值范围是200℃至300℃，所述烧结时间值的数值范围是300秒至600秒，所述设定温度值的数值范围是30℃至50℃。
10、可选地，所述将所述待烧结物移动至所述烧结腔体内之后还包括：实时获取烧结腔体内的第三含氧量，以判断所述第三含氧量是否小于第三设定值；若否，则输送惰性气体至所述烧结腔体内。
11、依据本发明的又一个方面，本发明还提供一种用于银烧结的防覆铜陶瓷基板氧化的装置，所述装置包括：具有上料腔体的上料舱体、具有烧结腔体的烧结舱体、具有下料腔体的下料舱体、设置于所述上料腔体和所述烧结腔体之间的进料闸门、设置于所述烧结腔体和所述下料腔体之间的出料闸门，以及分别设置于所述烧结腔体内的机械手臂、预热平台、烧结模具和冷却平台，于所述上料腔体、所述烧结腔体和所述下料腔体分别设置有氧含量分析仪，于所述上料腔体、所述烧结腔体和所述下料腔体分别设置有电磁阀，于所述上料腔体和所述下料腔体分别设置有导轨，所述导轨上滑动的设置有用于放置待烧结物的托盘。
12、有益效果：
13、本发明提供一种用于银烧结的防覆铜陶瓷基板氧化的方法，通过将待烧结物移动至上料腔体的内部，并且实时获取上料腔体内部的第一含氧量，以判断第一含氧量是否小于第一设定值；其中待烧结物包括芯片和覆铜陶瓷基板。若是，则将上料腔体与预充有惰性气体的烧结腔体相互连通后，再将待烧结物移动至烧结腔体的内部。密封烧结腔体并且依次对位于烧结腔体内的待烧结物根据预热温度值和预热时间值进行预热，根据烧结压力值、烧结温度值和烧结时间值进行银烧结，根据设定温度值进行冷却，以获得冷却后的烧结物。这样待烧结物能够从上料腔体的内部移动至烧结腔体的内部，上料腔体的内部的第一含氧量会保持在小于第一设定值，使得位于烧结腔体内部的惰性气体始终没有损耗，有利于降低所消耗的惰性气体。同时待烧结物在烧结腔体内进行银烧结和冷却的过程中，待烧结物中的覆铜陶瓷基板不会发生氧化的情况，能够提高产品良率和可靠性，并且避免采用真空模具，使得结构更简单，有利于降低成本。从而达到了覆铜陶瓷基板不会氧化，有利于提高产品良率和可靠性的技术效果。
1.一种用于银烧结的防覆铜陶瓷基板氧化的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的用于银烧结的防覆铜陶瓷基板氧化的方法，其特征在于，所述方法还包括:实时获取下料腔体内的第二含氧量，以判断所述第二含氧量是否小于第二设定值；若是，则将所述烧结腔体与所述下料腔体连通后，再将冷却后的烧结物移动至所述下料腔体内。
3.根据权利要求2所述的用于银烧结的防覆铜陶瓷基板氧化的方法，其特征在于，所述实时获取下料腔体内的第二含氧量，以判断所述第二含氧量是否小于第二设定值之后还包括：若否，则分别密封所述烧结腔体和所述下料腔体，且根据第一流量值将惰性气体输送至所述下料腔体内。
4.根据权利要求3所述的用于银烧结的防覆铜陶瓷基板氧化的方法，其特征在于：所述第一设定值和所述第二设定值分别是250ppm；所述第一流量值的数值范围是50l/min至100l/min。
5.根据权利要求2所述的用于银烧结的防覆铜陶瓷基板氧化的方法，其特征在于：所述实时获取所述上料腔体内的第一含氧量包括采用设置于所述上料腔体内的第一氧含量分析仪来实时获取所述上料腔体内的第一含氧量；所述实时获取下料腔体内的第二含氧量包括采用设置于下料腔体内的第二氧含量分析仪来实时获取所述下料腔体内的所述第二含氧量。
6.根据权利要求1所述的用于银烧结的防覆铜陶瓷基板氧化的方法，其特征在于，所述将待烧结物移动至上料腔体内，且实时获取所述上料腔体内的第一含氧量，以判断所述第一含氧量是否小于第一设定值之后还包括:若否，则分别密封所述上料腔体和所述烧结腔体，且根据第二流量输送惰性气体至所述上料腔体内。
7.根据权利要求6所述的用于银烧结的防覆铜陶瓷基板氧化的方法，其特征在于：所述第二流量值的数值范围是50l/min至100l/min。
8.根据权利要求1所述的用于银烧结的防覆铜陶瓷基板氧化的方法，其特征在于：所述预热温度值的数值范围是50℃至150℃，所述预热时间值的数值范围是30秒至50秒，所述烧结压力值的数值范围是15mpa至25mpa，所述烧结温度值的数值范围是200℃至300℃，所述烧结时间值的数值范围是300秒至600秒，所述设定温度值的数值范围是30℃至50℃。
9.根据权利要求1所述的用于银烧结的防覆铜陶瓷基板氧化的方法，其特征在于，所述将所述待烧结物移动至所述烧结腔体内之后还包括：实时获取烧结腔体内的第三含氧量，以判断所述第三含氧量是否小于第三设定值；若否，则输送惰性气体至所述烧结腔体内。
10.一种用于银烧结的防覆铜陶瓷基板氧化的装置，其特征在于，所述装置包括：具有上料腔体的上料舱体、具有烧结腔体的烧结舱体、具有下料腔体的下料舱体、设置于所述上料腔体和所述烧结腔体之间的进料闸门、设置于所述烧结腔体和所述下料腔体之间的出料闸门，以及分别设置于所述烧结腔体内的机械手臂、预热平台、烧结模具和冷却平台，于所述上料腔体、所述烧结腔体和所述下料腔体分别设置有氧含量分析仪，于所述上料腔体、所述烧结腔体和所述下料腔体分别设置有电磁阀，于所述上料腔体和所述下料腔体分别设置有导轨，所述导轨上滑动的设置有用于放置待烧结物的托盘。
