本发明涉及硅片加工，具体涉及一种在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液及其使用方法。
背景技术：
1、cmp抛布与抛液是cmp工艺中几乎最重要的物料，目前市场上抛布与抛液为不同公司分开设计，设计时没有搭配设计，达到的效果很有限。在使用中出现很多问题，比如硅片吸片，抛液在抛布上难以充分流动和硅片nt值过大等。
2、cmp过程中抛光布需要承担的作用有：承载硅片及其运动、承载抛液和及时排出反应后的抛液和硅渣、抛布渣等废料。所以抛布本身的材料特性，如硬度、、厚度、成分、表面活性和结构等对于抛光过程影响非常大。目前cmp行业很大一痛点便是抛布难以使用无沟槽抛布，使用无沟槽抛布时易有抛布吸片情况发生，使作业中断，无法按正常作业。
技术实现思路
1、本发明主要解决现有技术中存在 的不足，提供了一种在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液及其使用方法，其具有省时省力、抛光效果好和运行稳定性高的优点。硅片、抛布、抛液之间流动型增强，利于控制硅片去除形貌，使得产品平坦度更佳。
2、本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
3、一种在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液及其使用方法，包括如下操作步骤：
4、第一步：采用溶胶凝胶法制备出的高活性硅溶胶作为磨料成分。
5、第二步： 配比抛液，抛液由ph调节剂、磨料、氧化剂、表面活性剂和润滑剂组成，fa/o作为表面活性剂添加，进一步降低硅片与抛液之间的分子间作用力，减少硅片与抛布的吸片现象。表面活性剂吸附在硅片表面，利于后续的清洗。
6、高活性硅溶胶使得抛液分散性能提升，抛液与硅片之间润湿性提升，降低抛液与硅片之间分子间作用力，减少了抛布吸片现象。
7、第三步：抛布由纱线编织为抛布中心层和抛布表层，抛布表层材料生产时加入羟乙基纤维素和cmc类丝状物质。
8、第四步：硅片进行cmp反应过程，由抛液中的碱、有机物与硅片反应，生成硬度较单晶硅更低的结合产物。
9、第五步：抛液中的磨料在抛布与硅片的相对运动中机械去除这层反应层。
10、作为优选，使用有机碱作为ph调节剂，ph调节剂的含量范围为10%～18.88%，此时的抛光速率最大。相较于普通无机koh，与硅溶胶结合性能更好，较少抛液团聚。
11、作为优选，溶胶凝胶法就是用含高化学活性组分的化合物作前驱体，在液相下将这些原料均匀混合，并进行水解、缩合化学反应，在溶液中形成稳定的透明溶胶体系，溶胶经陈化胶粒间缓慢聚合，形成三维网络结构的凝胶，凝胶网络间充满了失去流动性的溶剂，形成凝胶。
12、作为优选，表面活性剂为羟乙基纤维素。达到提高抛液流动性，降低与硅片之间的分子间作用力，从而减小吸片现象。添加羟乙基纤维素使硅片表面粗糙度进一步下降，提升表面品质。
13、作为优选，抛布中表面覆盖羟乙基纤维素和cmc类丝状物质，与抛液中的高活性硅溶胶和羟乙基纤维素结合，增加抛布表面的抛液量，提升化学去除速度，并保护硅片正面，降低划伤发生率。
14、由于羟乙基纤维素和cmc类丝状物质的存在，硅片与抛布接触面减小，降低硅片与抛布之间分子间作用力，减少抛布吸片的发生。实现无沟槽抛布的使用，提升产品nt。
15、作为优选，抛光液中添加助溶剂gc。提高硅片抛光速度，提高抛液分散性，降低抛液团聚。
16、本发明能够达到如下效果：
17、本发明提供了一种在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液及其使用方法，与现有技术相比较，具有省时省力、抛光效果好和运行稳定性高的优点。硅片、抛布、抛液之间流动型增强，利于控制硅片去除形貌，使得产品平坦度更佳。
1.一种在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液的使用方法，其特征在于包括如下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液的使用方法，其特征在于：使用有机碱作为ph调节剂，ph调节剂的含量范围为10%～18.88%，此时的抛光速率最大。
3.根据权利要求1所述的在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液的使用方法，其特征在于：溶胶凝胶法就是用含高化学活性组分的化合物作前驱体，在液相下将这些原料均匀混合，并进行水解、缩合化学反应，在溶液中形成稳定的透明溶胶体系，溶胶经陈化胶粒间缓慢聚合，形成三维网络结构的凝胶，凝胶网络间充满了失去流动性的溶剂，形成凝胶。
4.根据权利要求1所述的在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液的使用方法，其特征在于：表面活性剂为羟乙基纤维素。
5.根据权利要求4所述的在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液的使用方法，其特征在于：抛布中表面覆盖羟乙基纤维素和cmc类丝状物质，与抛液中的高活性硅溶胶和羟乙基纤维素结合，增加抛布表面的抛液量，提升化学去除速度，并保护硅片正面，降低划伤发生率。
6.根据权利要求1所述的在硅片抛光中搭配使用的抛布和抛液的使用方法，其特征在于：抛光液中添加助溶剂gc。
