本发明涉及oled器件封装，尤其涉及一种oled器件自适应封装结构及其制备方法。
背景技术：
1、oled显示技术的核心在于自发光材料的开发和运用，其决定了显示面板的发光效率和显示效果，这些自发光材料最大的难点在于其对水氧敏感度很高，易于水氧发生反应。要制备此类显示面板就必须阻隔水氧对自发光材料的破坏，由于目前无法找到不受水氧影响的发光材料，业内的解决方式就是对oled器件进行可靠的封装，把oled器件封装在一个阻隔水氧能力极高(wvtr<＝10e-4(g/m2·天))的密闭空间中。刚性oled面板在整个oled显示面板应用中有着不可以替代的占比，故而一种适合刚性oled显示面板的封装技术和封装结构仍是不可或缺的。
2、现有应用在oled刚性显示面板的主流封装技术为激光熔接(玻璃胶)封装技术和dam&fill(uv胶与填充剂)封装技术，但由于不管是玻璃胶封装还是uv胶封装都受胶材的材质影响，寿命有限，且激光熔接封装技术还受网印技术的影响，网印所出现的马鞍线曲线也是一大技术难题，而对于dam&fill封装技术来说，他的封装寿命极其有限，目前量产产品中基本已经不再使用该技术。
3、目前，oled显示面板在制程过程中，存在两个较大的问题，如下：
4、a)网印技术不稳定，所印制的玻璃胶形貌不佳，影响封装效果；
5、b)激光熔接不充分，玻璃胶无法起来可靠封装的效果。
技术实现思路
1、本发明要解决的技术问题，在于提供一种oled器件自适应封装结构及其制备方法，能够对oled器件进行更加高效的保护，提升oled显示器的使用寿命。
2、本发明是这样实现的：
3、第一方面，本发明提供了一种oled器件自适应封装结构，包括有基板、形成在基板顶部的驱动电路层以及形成在驱动电路层顶部的oled发光层，在所述基板顶部的边缘处设置有第一金属密封层，所述第一金属密封层顶部具有两个凸起，两个凸起之间形成一个凹陷部，所述凹陷部内设置有焊接层，所述封装结构还包括有盖板，所述盖板底部设置有第二金属密封层，所述第二金属密封层具有凸出部，所述盖板盖合在基板上时，所述凸出部位于凹陷部内，且所述凸出部的底部与焊接层接触。
4、进一步地，所述盖板底部还设置有由聚热材质制成的聚热层，所述第二金属密封层覆盖在聚热层的外侧。
5、进一步地，所述聚热层为黑钛吸热膜层。
6、进一步地，除所述凹陷部外，其余所述第一金属密封层表面覆盖有第一无机钝化层；
7、除所述凸出部外，其余所述第二金属密封层表面覆盖有第二无机钝化层。
8、进一步地，所述第一无机钝化层和第二无机钝化层的材质均为氧化硅或者氮化硅。
9、进一步地，所述第一金属密封层和第二金属密封层的材质均为钼或钛。
10、进一步地，所述焊接层的材质为铟、锡或铟锡混合物。
11、第二方面，本发明提供了一种oled器件自适应封装结构的制备方法，基于第一方面中的oled器件自适应封装结构，所述制备方法包括有如下步骤：
12、s1、在所述基板上制备驱动电路层；
13、s2、在所述基板顶部的边缘处通过原子气相沉积生成第一金属密封层；
14、s3、在所述第一金属密封层的凹陷部处通过原子气相沉积生成焊接层；
15、s4、在经过步骤s3处理的基板上制备oled发光层；
16、s5、在盖板底部的边缘处通过原子气相沉积生成第二金属密封层；
17、s6、将经过步骤s4处理的基板与经过步骤s5处理的盖板进行对组贴合，并进行激光焊接。
18、进一步地，在所述步骤s2中，还包括：
19、在所述第一金属密封层成膜后，除所述凹陷部外，在其余所述第一金属密封层的表面，通过涂布的方式形成第一无机钝化层；
20、在所述步骤s5中，还包括：
21、在所述第二金属密封层成膜后，除所述凸出部外，在其余所述第二金属密封层的表面，通过涂布的方式形成第二无机钝化层。
22、进一步地，在所述步骤s5中，在盖板底部生成第二金属密封层前，通过等离子钝化处理的方式将聚热材料成膜在盖板底部，形成聚热层。
23、本发明的优点在于：第一金属密封层和第二金属密封层激光焊接后，形成一个高致密性的整体，利用金属材料的高致密性对oled器件进行封装，不仅可以更有效保护oled器件。而且由于无需使用网印工艺，还可以避免网印工艺带来的缺陷，使产品稳定性可以得到提升。
24、而且在焊接层融化后，根据实际的凸出部的高度或凹陷部的深度，焊接层与凸出部接触部分的厚度，能够自适应的变化，使两个金属密封层更好的密封oled器件。
1.一种oled器件自适应封装结构，包括有基板、形成在基板顶部的驱动电路层以及形成在驱动电路层顶部的oled发光层，其特征在于：在所述基板顶部的边缘处设置有第一金属密封层，所述第一金属密封层顶部具有两个凸起，两个凸起之间形成一个凹陷部，所述凹陷部内设置有焊接层，所述封装结构还包括有盖板，所述盖板底部设置有第二金属密封层，所述第二金属密封层具有凸出部，所述盖板盖合在基板上时，所述凸出部位于凹陷部内，且所述凸出部的底部与焊接层接触。
2.如权利要求1所述的一种oled器件自适应封装结构，其特征在于：所述盖板底部还设置有由聚热材质制成的聚热层，所述第二金属密封层覆盖在聚热层的外侧。
3.如权利要求2所述的一种oled器件自适应封装结构，其特征在于：所述聚热层为黑钛吸热膜层。
4.如权利要求1所述的一种oled器件自适应封装结构，其特征在于：除所述凹陷部外，其余所述第一金属密封层表面覆盖有第一无机钝化层；
5.如权利要求4所述的一种oled器件自适应封装结构，其特征在于：所述第一无机钝化层和第二无机钝化层的材质均为氧化硅或者氮化硅。
6.如权利要求1所述的一种oled器件自适应封装结构，其特征在于：所述第一金属密封层和第二金属密封层的材质均为钼或钛。
7.如权利要求1所述的一种oled器件自适应封装结构，其特征在于：所述焊接层的材质为铟、锡或铟锡混合物。
8.一种oled器件自适应封装结构的制备方法，其特征在于：基于权利要求1-7所述的oled器件自适应封装结构，所述制备方法包括有如下步骤：
9.如权利要求6所述的一种oled器件自适应封装结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤s2中，还包括：
10.如权利要求6所述的一种oled器件自适应封装结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤s5中，在盖板底部生成第二金属密封层前，通过等离子钝化处理的方式将聚热材料成膜在盖板底部，形成聚热层。
