本申请涉及x射线探测材料，尤其涉及一种金属卤化物单晶及其制备方法、半导体材料、x射线探测器。
背景技术：
1、x射线由于拥有波长短、能量高、穿透性强等特性，如今被广泛应用于工业探伤、医学成像、安检等各大领域。x射线探测器类型中的半导体型探测器利用半导体吸收x射线直接转换为电信号，结构简单，灵敏度高，可实现低剂量探测。
2、目前，对于具有各向异性材料的研究，主要集中在二维层状材料，然而这些层状材料比如二维钙钛矿的光轴通常是c轴，a-b面较大而a-c面较小，所以很难利用各向异性较大的a-c平面制备器件。
技术实现思路
1、本申请提供了一种金属卤化物单晶及其制备方法、半导体材料、x射线探测器，以解决现有难以制备出具有各向异性的x射线探测器材料。
2、第一方面，本申请提供了一种金属卤化物单晶，所述金属卤化物单晶的化学式为(c10h26n2)sbbr5，所述金属卤化物单晶的晶体结构由有机阳离子(c10h26n2)2+和无机结构单元[sbbr6]3-组成，晶体中(c10h26n2)2+与[sbbr6]3-之间存在库伦作用和氢键相互作用；其中，
3、sb3+离子与6个br-离子配位形成八面体结构，所述八面体通过共享顶点的方式而连接形成1d链状结构，溴化锑链位于由(c10h26n2)2+阳离子组成的棱形柱状笼中。
4、可选的，所述金属卤化物单晶的晶体结构属于单斜晶系，空间群为p21/n。
5、第二方面，本申请提供了一种制备第一方面所述的金属卤化物单晶的方法，所述方法包括：
6、得到溴化锑溶液；
7、将n,n,n,n-四甲基-1,6-己二胺与第一氢溴酸进行第一混合，得到第一混合溶液；
8、将所述第一混合溶液逐步加入所述溴化锑溶液中，后进行第一加热溶解，得到第二混合溶液；
9、将所述第二混合溶液进行冷却，以析出晶体，得到金属卤化物单晶。
10、可选的，所述n,n,n,n-四甲基-1,6-己二胺的物质的量n1与所述第一氢溴酸的体积v1满足关系：n1:v1＝2:(1～5)。
11、可选的，所述得到溴化锑溶液，包括：
12、将sb2o3固体与第二氢溴酸进行第二混合，后进行第二加热溶解，得到溴化锑溶液。
13、可选的，所述sb2o3固体的物质的量n2与所述第二氢溴酸的体积v2满足关系：
14、n2:v2＝1:(2～6)。
15、可选的，所述第一氢溴酸和所述第二氢溴酸的重量浓度均为48％～52％。
16、可选的，所述第一加热溶解的温度为60℃～120℃，和/或所述第二加热溶解的温度为50℃～80℃。
17、第三方面，本申请提供了一种半导体材料，所述探测材料包括第一方面所述的金属卤化物单晶。
18、第四方面，本申请提供了一种x射线探测器，所述x射线探测器的组成包括第三方面所述的半导体材料。
19、本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：
20、本申请实施例提供的该金属卤化物单晶，该单晶的化学式为(c10h26n2)sbbr5，单晶的晶体结构由有机阳离子(c10h26n2)2+和无机结构单元[sbbr6]3-组成，晶体中(c10h26n2)2+与[sbbr6]3-之间存在库伦作用和氢键相互作用；其中，sb3+离子与6个br-离子配位形成八面体结构，所述八面体通过共享顶点的方式而连接形成1d链状结构，溴化锑链位于由(c10h26n2)2+阳离子组成的棱形柱状笼中，这些链沿着主轴方向，光轴处于解理面，这使得链内和链间具有很大的平面各向异性，从而得到具有各向异性的x射线探测器材料。
1.一种金属卤化物单晶，其特征在于，所述金属卤化物单晶的化学式为(c10h26n2)sbbr5，所述金属卤化物单晶的晶体结构由有机阳离子(c10h26n2)2+和无机结构单元[sbbr6]3-组成，晶体中(c10h26n2)2+与[sbbr6]3-之间存在库伦作用和氢键相互作用；其中，
2.根据权利要求1所述的金属卤化物单晶，其特征在于，所述金属卤化物单晶的晶体结构属于单斜晶系，空间群为p21/n。
3.一种制备权利要求1或2所述的金属卤化物单晶的方法，其特征在于，所述方法包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述n,n,n,n-四甲基-1,6-己二胺的物质的量n1与所述第一氢溴酸的体积v1满足关系：n1:v1＝2:(1～5)。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述得到溴化锑溶液，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述sb2o3固体的物质的量n2与所述第二氢溴酸的体积v2满足关系：n2:v2＝1:(2～6)。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一氢溴酸和所述第二氢溴酸的重量浓度均为48％～52％。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一加热溶解的温度为60℃～120℃，和/或所述第二加热溶解的温度为50℃～80℃。
9.一种半导体材料，其特征在于，所述半导体材料包括权利要求1或2所述的金属卤化物单晶。
10.一种x射线探测器，其特征在于，所述x射线探测器的组成包括权利要求9所述的半导体材料。
