天线元件以及电子设备的制作方法

    专利2025-12-12  2


    本技术涉及具备天线导体层的天线元件。


    背景技术:

    1、作为以往的有关天线元件的发明,例如,已知专利文献1记载的微带天线。该微带天线具备电介质基板、方形形状导体以及接地导体。电介质基板具有上主面以及下主面。方形形状导体设置在电介质基板的上主面。接地导体设置在电介质基板的下主面。方形形状导体在上下方向上观察与接地导体重叠。在这样的微带天线中,方形形状导体作为天线发挥功能。

    2、在先技术文献

    3、专利文献

    4、专利文献1:日本特开2004-096259号公报


    技术实现思路

    1、实用新型要解决的问题

    2、可是,在专利文献1记载的微带天线中,有想要得到微带天线能够收发的高频信号的频率的设计自由度高的构造这样的要求。

    3、因此,本实用新型的目的在于,提供一种具有天线元件能够收发的高频信号的频率的设计自由度高的构造的天线元件。

    4、用于解决问题的技术方案

    5、本实用新型的一个方式涉及的天线元件,具备:

    6、绝缘基材,具有在上下方向上排列的第1主面以及第2主面:和

    7、天线导体层,设置在所述绝缘基材的第1主面,

    8、在上下方向上观察具有环状的外缘的1个以上的第1开口设置于所述天线导体层,

    9、1个以上的第1绝缘基材非形成区域在上下方向上位于所述绝缘基材与所述天线导体层之间,

    10、在所述1个以上的第1绝缘基材非形成区域,不存在所述绝缘基材,

    11、所述1个以上的第1开口的外缘分别在上下方向上观察与1个以上的所述第1绝缘基材非形成区域重叠,不与所述绝缘基材接触,

    12、所述天线元件具有(a)或者(b)的构造,

    13、(a)所述1个以上的第1绝缘基材非形成区域为第1空孔;

    14、(b)在所述1个以上的第1绝缘基材非形成区域,设置有低介电常数材料或者高介电常数材料,该低介电常数材料具有比所述绝缘基材的材料的介电常数低的介电常数,该高介电常数材料具有比所述绝缘基材的材料的介电常数高的介电常数。

    15、本实用新型的一个方式涉及的天线元件,具备:

    16、绝缘基材,具有在上下方向上排列的第1主面以及第2主面;

    17、天线导体层,设置在所述绝缘基材的第1主面;和

    18、参考导体层,设置在所述绝缘基材的第2主面,

    19、所述参考导体层在上下方向上观察,与所述天线导体层重叠,

    20、在上下方向上观察具有环状的外缘的1个以上的第2开口设置于所述参考导体层,

    21、1个以上的第2绝缘基材非形成区域在上下方向上位于所述绝缘基材与所述参考导体层之间,

    22、在所述1个以上的第2绝缘基材非形成区域,不存在所述绝缘基材,

    23、所述1个以上的第2开口的外缘分别在上下方向上观察与1个以上的所述第2绝缘基材非形成区域重叠,不与所述绝缘基材接触,

    24、所述天线元件具有(c)或者(d)的构造,

    25、(c)所述1个以上的第2绝缘基材非形成区域为第2空孔;

    26、(d)在所述1个以上的第2绝缘基材非形成区域,设置有低介电常数材料或者高介电常数材料,该低介电常数材料具有比所述绝缘基材的材料的介电常数低的介电常数,该高介电常数材料具有比所述绝缘基材的材料的介电常数高的介电常数。

    27、本实用新型的一个方式涉及的电子设备具备上述的天线元件。

    28、本实用新型的一个方式涉及的天线元件的制造方法,具备:

    29、天线导体层形成工序,在第1绝缘体层形成天线导体层,该天线导体层设置了在上下方向上观察具有环状的外缘的1个以上的第1开口;

    30、压接工序,通过对包括所述第1绝缘体层在内的多个绝缘体层进行压接,从而形成绝缘基材;和

    31、第1空孔形成工序,通过将所述天线导体层作为掩模对所述第1绝缘体层实施蚀刻,从而形成1个以上的第1空孔,该1个以上的第1空孔在上下方向上观察分别包含所述1个以上的第1开口。

    32、本实用新型的一个方式涉及的天线元件的制造方法,具备:

    33、参考导体层形成工序,在第2绝缘体层形成参考导体层,该参考导体层设置了在上下方向上观察具有环状的外缘的1个以上的第2开口;

    34、压接工序,通过对包括设置了天线导体层的第1绝缘体层以及所述第2绝缘体层在内的多个绝缘体层进行压接,从而形成绝缘基材:和

    35、第2空孔形成工序,通过将所述参考导体层作为掩模对所述第2绝缘体层实施蚀刻,从而形成1个以上的第2空孔,该1个以上的第2空孔在上下方向上观察分别包含所述1个以上的第2开口。

    36、实用新型效果

    37、根据本实用新型涉及的天线元件、电子设备以及天线元件的制造方法,能够得到天线元件能够收发的高频信号的频率的设计自由度高的构造。



    技术特征:

    1.一种天线元件,其特征在于,具备:

    2.根据权利要求1所述的天线元件,其特征在于,

    3.根据权利要求1或权利要求2所述的天线元件,其特征在于,

    4.根据权利要求1或权利要求2所述的天线元件,其特征在于,

    5.根据权利要求1或权利要求2所述的天线元件,其特征在于,

    6.根据权利要求1或权利要求2所述的天线元件,其特征在于,

    7.根据权利要求6所述的天线元件,其特征在于,

    8.根据权利要求6所述的天线元件,其特征在于,

    9.根据权利要求6所述的天线元件,其特征在于,

    10.根据权利要求1或权利要求2所述的天线元件,其特征在于,

    11.一种天线元件,其特征在于,具备:

    12.根据权利要求11所述的天线元件,其特征在于,

    13.根据权利要求11或权利要求12所述的天线元件,其特征在于,

    14.根据权利要求11或权利要求12所述的天线元件,其特征在于,

    15.根据权利要求11或权利要求12所述的天线元件,其特征在于,

    16.根据权利要求15所述的天线元件,其特征在于,

    17.根据权利要求15所述的天线元件,其特征在于,

    18.根据权利要求15所述的天线元件,其特征在于,

    19.根据权利要求11或权利要求12所述的天线元件,其特征在于,

    20.一种电子设备,其特征在于,


    技术总结
    本技术为天线元件以及电子设备。天线元件具备绝缘基材以及天线导体层。在上下方向上观察具有环状的外缘的第1开口设置于天线导体层。第1绝缘基材非形成区域在上下方向上设置于绝缘基材与天线导体层之间。在第1绝缘基材非形成区域,不存在绝缘基材。第1开口的外缘在上下方向上观察与1个以上的第1绝缘基材非形成区域重叠,不与绝缘基材接触。天线元件具有(A)或者(B)的构造。(A)第1绝缘基材非形成区域为第1空孔。(B)在第1绝缘基材非形成区域,设置有低介电常数材料或者高介电常数材料,该低介电常数材料具有比绝缘基材的材料的介电常数低的介电常数,该高介电常数材料具有比绝缘基材的材料的介电常数高的介电常数。

    技术研发人员:池本伸郎,西尾恒亮,须藤薰,市川敬一,天野信之
    受保护的技术使用者:株式会社村田制作所
    技术研发日:
    技术公布日:2024/4/29
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