发声振动装置及电子设备的制作方法

    专利2025-12-12  7


    本申请实施例涉及发声振动装置领域,特别涉及一种发声振动装置及电子设备。


    背景技术:

    1、随着消费电子产业特别是游戏设备的迅猛发展,终端消费者对于电子设备使用体验的需求越来越高。除视觉外,对于听觉、触觉的体验需求更是逐步提升。

    2、伴随着电子设备内部空间越来越紧凑,电池以及主板占用空间越来越大,使得扬声器模组及振动马达体积设置与性能提升的需求之间产生冲突,不利于发声振动装置的微型化发展要求。

    3、在现有技术中,位于磁路系统外围的框架、壳体上注塑有用于电连接的焊盘的电路器件,占据了磁路系统外围的较大空间。在发声振动装置整体的空间有限的情况下,导致留给磁路系统自身的可用空间较小。


    技术实现思路

    1、本申请实施例提供一种发声振动装置及电子设备,至少有利于提高发声振动装置的空间利用率。

    2、根据本申请一些实施例,本申请实施例一方面提供一种发声振动装置,包括:盆架;振动部件,所述振动部件位于所述盆架上,所述振动部件包括振膜组件以及音圈,所述振膜组件位于所述盆架上,所述振膜组件与所述盆架形成空腔,所述音圈位于所述空腔内,所述音圈包括沿竖直方向的第一端以及第二端,所述第一端与所述振膜组件相对,所述第二端与所述盆架相对;磁路系统,所述磁路系统位于所述空腔内,所述磁路系统包括与所述盆架的内壁面接触的第一磁路组件以及与所述盆架的底面接触的第二磁路组件,所述第一磁路组件环绕所述第二磁路组件设置,所述第一磁路组件与所述第二磁路组件之间构成磁间隙,所述音圈位于所述磁间隙内;其中,所述第一磁路组件具有第一n极以及第一s极,所述第二磁路组件具有第二n极以及第二s极,所述第一n极与所述第二s极之间构成磁场或者所述第一s极与所述第二n极构成磁场;所述第二n极与第二s极沿水平方向排布;和/或,所述第一n极与所述第一s极沿水平方向排布。

    3、另外,所述第二磁路组件包括m个第二磁部,m≥1,每一所述第二磁部包括朝向所述第一磁路组件的第三磁极以及远离所述第一磁路组件的第四磁极,所述第三磁极为所述第二n极或所述第二s极的一者,所述第四磁极为所述第二n极或所述第二s极的另一者。

    4、另外,所述第一磁路组件包括n个第一磁部,n≥1,每一所述第一磁部包括朝向所述第二磁路组件的第一磁极以及远离所述第二磁路组件的第二磁极,所述第一磁极为所述第一n极或所述第一s极的一者,所述第二磁极为所述第一n极或所述第一s极的另一者。

    5、另外,m=n,所述第一磁部与所述第二磁部一一对应设置。

    6、另外,还包括:导磁柱,所述导磁柱与所述盆架电接触,所述导磁柱的外侧面与所述第二磁路组件电接触。

    7、另外,所述导磁柱贯穿所述盆架的厚度,所述导磁柱为中空结构,还包括:悬臂,所述悬臂位于所述音圈与所述振膜组件之间,所述悬臂相对的两侧分别与所述音圈以及所述振膜组件相粘接;电极,所述电极位于所述导磁柱的内部,所述电极与所述悬臂电接触,所述电极与所述导磁柱之间具有支撑柱。

    8、另外,还包括:支撑柱,所述支撑柱贯穿所述盆架的厚度;悬臂,所述悬臂位于所述支撑柱的顶面,所述音圈位于所述悬臂的顶面。

    9、在一些实施例中,所述悬臂包括m个相连接的支架以及由所述支架相隔开的m个通槽,所述支架在所述盆架的正投影与所述第二磁路组件在所述盆架的正投影不重叠。

    10、另外,还包括:多个导磁片,所述导磁片与所述第二磁部电接触,所述导磁片与所述第二磁部的其中一者贯穿所述通槽且位于相邻的所述支架之间。

    11、另外,所述盆架的底部具有通孔,还包括:动铁单元,所述动铁单元贯穿所述通孔,所述动铁单元的其中一端延伸至所述振膜组件底面,所述动铁单元的其中一端延伸至所述盆架以外。

    12、另外,所述盆架的底部具有通孔,还包括:调音布,所述调音布与所述通孔相对,所述调音布的边缘与所述通孔边缘处对应的所述盆架的表面粘接。

    13、另外,还包括:多个导磁片,所述导磁片与所述第二磁部电接触。

    14、另外,所述导磁片位于所述第二磁部与所述振膜组件之间,所述导磁片与所述第一磁部相对。

    15、另外,所述第二n极与所述第二s极沿竖直方向排布;所述导磁片具有第三n极以及第三s极,所述第三n极与所述第三s极沿水平方向排布。

    16、另外,所述导磁片位于所述第二磁部与所述盆架之间,所述导磁片与所述盆架接触,所述第二磁部与所述第一磁部相对。

    17、另外,所述第二n极与所述第二s极沿水平方向排布;所述导磁片具有第三n极以及第三s极,所述第三n极与所述第三s极沿竖直方向排布。

    18、另外,还包括通气孔,所述通气孔贯穿所述盆架的厚度,所述通气孔位于相邻的所述第二磁部与所述第二磁部之间;和/或,所述通气孔位于相邻的所述第一磁部与第一磁部之间。

    19、根据本申请一些实施例,本申请实施例另一方面还提供一种电子设备,包括上述实施例中任一项所述的发声振动装置。

    20、本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点:

    21、上述技术方案中,第一磁路组件具有第一n极以及第一s极,第二磁路组件具有第二n极以及第二s极,第一n极与第二s极之间构成磁场或者第一s极与第二n极构成磁场;第二n极与第二s极沿水平方向排布;和/或,第一n极与第一s极沿水平方向排布。如此,第一磁路组件以及第二磁路组件的充磁方向为水平充磁方向,将传统竖向充磁的磁路系统用水平充磁替代,有效降低具有发声振动装置的器件的总厚,从而提高发声振动装置的空间利用率。相对大尺寸下,水平充磁向上尺寸利用空间加大,相比于常规竖直方向充磁的方案,在不需要增加模组厚度的情况下,可以显著提高性能。本申请实施例提供的发声振动装置可以有效的简化结构,降低成本,降低器件总高,得到更具竞争力的器件产品。



    技术特征:

    1.一种发声振动装置,其特征在于,包括:

    2.根据权利要求1所述的发声振动装置,其特征在于,所述第二磁路组件包括m个第二磁部,m≥1,每一所述第二磁部包括朝向所述第一磁路组件的第三磁极以及远离所述第一磁路组件的第四磁极,所述第三磁极为所述第二n极或所述第二s极的一者,所述第四磁极为所述第二n极或所述第二s极的另一者。

    3.根据权利要求2所述的发声振动装置,其特征在于,所述第一磁路组件包括n个第一磁部,n≥1,每一所述第一磁部包括朝向所述第二磁路组件的第一磁极以及远离所述第二磁路组件的第二磁极,所述第一磁极为所述第一n极或所述第一s极的一者,所述第二磁极为所述第一n极或所述第一s极的另一者。

    4.根据权利要求3所述的发声振动装置,其特征在于,m=n,所述第一磁部与所述第二磁部一一对应设置。

    5.根据权利要求2~4任一项所述的发声振动装置,其特征在于,还包括:导磁柱,所述导磁柱与所述盆架电接触,所述导磁柱的外侧面与所述第二磁路组件电接触。

    6.根据权利要求5所述的发声振动装置,其特征在于,所述导磁柱贯穿所述盆架的厚度,所述导磁柱为中空结构,还包括:悬臂,所述悬臂位于所述音圈与所述振膜组件之间,所述悬臂相对的两侧分别与所述音圈以及所述振膜组件相粘接;电极,所述电极位于所述导磁柱的内部,所述电极与所述悬臂电接触,所述电极与所述导磁柱之间具有支撑柱。

    7.根据权利要求2所述的发声振动装置,其特征在于,还包括:支撑柱,所述支撑柱贯穿所述盆架的厚度;悬臂,所述悬臂位于所述支撑柱的顶面,所述音圈位于所述悬臂的顶面。

    8.根据权利要求6或7所述的发声振动装置,其特征在于,所述悬臂包括m个相连接的支架以及由所述支架相隔开的m个通槽,所述支架在所述盆架的正投影与所述第二磁路组件在所述盆架的正投影不重叠。

    9.根据权利要求8所述的发声振动装置,其特征在于,还包括:多个导磁片,所述导磁片与所述第二磁部电接触,所述导磁片与所述第二磁部的其中一者贯穿所述通槽且位于相邻的所述支架之间。

    10.根据权利要求2所述的发声振动装置,其特征在于,所述盆架的底部具有通孔,还包括:

    11.根据权利要求2所述的发声振动装置,其特征在于,所述盆架的底部具有通孔,还包括:

    12.根据权利要求10或11所述的发声振动装置,其特征在于,还包括:多个导磁片,所述导磁片与所述第二磁部电接触。

    13.根据权利要求12所述的发声振动装置,其特征在于,所述导磁片位于所述第二磁部与所述振膜组件之间,所述导磁片与所述第一磁部相对。

    14.根据权利要求13所述的发声振动装置,其特征在于,所述第二n极与所述第二s极沿竖直方向排布;所述导磁片具有第三n极以及第三s极,所述第三n极与所述第三s极沿水平方向排布。

    15.根据权利要求12所述的发声振动装置,其特征在于,所述导磁片位于所述第二磁部与所述盆架之间,所述导磁片与所述盆架接触,所述第二磁部与所述第一磁部相对。

    16.根据权利要求15所述的发声振动装置,其特征在于,所述第二n极与所述第二s极沿水平方向排布;所述导磁片具有第三n极以及第三s极,所述第三n极与所述第三s极沿竖直方向排布。

    17.根据权利要求5所述的发声振动装置,其特征在于,还包括通气孔,所述通气孔贯穿所述盆架的厚度,所述通气孔位于相邻的所述第二磁部与所述第二磁部之间;和/或,所述通气孔位于相邻的所述第一磁部与第一磁部之间。

    18.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1-17任一项所述的发声振动装置。


    技术总结
    本申请实施例提供一种发声振动装置以及电子设备,发声振动装置包括:盆架;位于盆架上的振动部件,振动部件包括振膜组件以及音圈,振膜组件与盆架形成空腔,音圈位于空腔内;磁路系统,磁路系统位于空腔内,磁路系统包括与盆架的内壁面接触的第一磁路组件以及与盆架的底面接触的第二磁路组件,第一磁路组件环绕第二磁路组件设置,第一磁路组件与第二磁路组件之间构成磁间隙,音圈位于磁间隙内;其中,第一磁路组件具有第一N极以及第一S极,第二磁路组件具有第二N极以及第二S极,第一N极与第二S极之间构成磁场或者第一S极与第二N极构成磁场;第二N极与第二S极沿水平方向排布;和/或,第一N极与第一S极沿水平方向排布。

    技术研发人员:高俊平,闫鑫,孙伟
    受保护的技术使用者:东莞华贝电子科技有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/4/29
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