本发明涉及qled制备，具体涉及一种高分辨全彩量子点薄膜及其相关发光器件制备方法。
背景技术：
1、随着显示技术的不断发展，高分辨显示成为人们对显示器性能的追求，在电子设备和显示器行业中具有广泛应用。同时，量子点显示技术由于其高色彩饱和度、高亮度和广色域等优点而备受关注。
2、然而，早先报道的通过光刻技术制备的高分辨量子点显示由于工艺产生的有机残留物阻碍电荷传输，导致器件性能下降等问题。同时在转印印刷过程中，存在高分辨像素对准弹性印章结构的形变导致不均匀的像素质量等问题。这使我们迫切地需要一种工艺技术来解决这些关键的问题。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种高分辨全彩量子点薄膜及其相关发光器件制备方法，该方法操作简易，可以制备出高性能的高分辨全彩显示单元。
2、为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种高分辨全彩量子点薄膜的制备方法，通过光刻法制备周期性像素基板单元，基板单元形貌为三级阶梯状，然后对其进行透明电极ito溅射和空穴传输层处理；通过lb膜技术，产生第一颜色单量子点薄膜，通过机器精度控制将基板单元没入其中，使得基板单元三级台阶表面均沾有第一颜色单量子点薄膜；而后，通过溶液处理清洗最上两级台阶上的量子点薄膜；通过lb膜技术，产生第二颜色单量子点薄膜，通过机器精度控制将基板单元没入其中，使得基板单元最上两级台阶表面均沾有第二颜色单量子点薄膜；而后，通过溶液处理清洗最上级台阶上的量子点薄膜；通过lb膜技术，产生第三颜色单量子点薄膜，通过机器精度控制将基板单元没入其中，使得基板单元最上级台阶表面均沾有第三颜色单量子点薄膜；从而得到沾染不同颜色量子点的三级台阶基板单元，实现高分辨全彩显示。
3、进一步地，三种颜色的量子点为红色量子点、绿色量子点和蓝色量子点，三种颜色的量子点分别在langmuir-blodgett槽中的液面上形成致密的薄膜，再通过三级台阶基板单元进行沾取，形成三色rgb单元。
4、本发明还提供了上述高分辨全彩量子点薄膜的qled的制备方法，在透明导电衬底的ito层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、高分辨全彩量子点薄膜、电子传输层和金属阴极。
5、进一步地，所述空穴注入层的材料为聚合物pedot:pss、氧化钼、氧化镍、硫氰亚铜中的一种。
6、进一步地，所述空穴传输层的材料为聚合物tfb、poly:tpd、pvk中的一种或其中至少两种的混合物。
7、进一步地，所述量子点的材料为cdse、inp、卤素钙钛矿中的一种。
8、进一步地，所述电子传输层的材料为zn0纳米颗粒、掺杂金属阳离子的zno纳米颗粒或zno纳米颗粒与聚合物的混合体。
9、进一步地，所述金属阴极的材料为银或铝。
10、与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
11、1、本发明采用的构图技术使量子点薄膜具有超高分辨、全彩显示的特点，最终使qled器件的像素尺寸可缩小至亚微米级以下，从而获取较高性能的全彩高分辨显示单元，可应用于下一代新型显示。
12、2、本发明采用的制备过程安全无污染，不生成副产物，工艺简单易操作。
1.一种高分辨全彩量子点薄膜的制备方法，其特征在于，通过光刻法制备周期性像素基板单元，基板单元形貌为三级阶梯状，然后对其进行透明电极ito溅射和空穴传输层处理；通过lb膜技术，产生第一颜色单量子点薄膜，通过机器精度控制将基板单元没入其中，使得基板单元三级台阶表面均沾有第一颜色单量子点薄膜；而后，通过溶液处理清洗最上两级台阶上的量子点薄膜；通过lb膜技术，产生第二颜色单量子点薄膜，通过机器精度控制将基板单元没入其中，使得基板单元最上两级台阶表面均沾有第二颜色单量子点薄膜；而后，通过溶液处理清洗最上级台阶上的量子点薄膜；通过lb膜技术，产生第三颜色单量子点薄膜，通过机器精度控制将基板单元没入其中，使得基板单元最上级台阶表面均沾有第三颜色单量子点薄膜；从而得到沾染不同颜色量子点的三级台阶基板单元，实现高分辨全彩显示。
2.根据权利要求1所述的高分辨全彩量子点薄膜的制备方法，其特征在于，三种颜色的量子点为红色量子点、绿色量子点和蓝色量子点，三种颜色的量子点分别在langmuir-blodgett槽中的液面上形成致密的薄膜，再通过三级台阶基板单元进行沾取，形成三色rgb单元。
3.基于权利要求1所述的高分辨全彩量子点薄膜的qled的制备方法，其特征在于，在透明导电衬底的ito层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、高分辨全彩量子点薄膜、电子传输层和金属阴极。
4.根据权利要求3所述的基于高分辨全彩量子点薄膜的qled的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的材料为聚合物pedot:pss、氧化钼、氧化镍、硫氰亚铜中的一种。
5.根据权利要求3所述的基于高分辨全彩量子点薄膜的qled的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的材料为聚合物tfb、poly:tpd、pvk中的一种或其中至少两种的混合物。
6.根据权利要求3所述的基于高分辨全彩量子点薄膜的qled的制备方法，其特征在于，所述量子点的材料为cdse、inp、卤素钙钛矿中的一种。
7.根据权利要求3所述的基于高分辨全彩量子点薄膜的qled的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的材料为zn0纳米颗粒、掺杂金属阳离子的zno纳米颗粒或zno纳米颗粒与聚合物的混合体。
8.根据权利要求3所述的基于高分辨全彩量子点薄膜的qled的制备方法，其特征在于，所述金属阴极的材料为银或铝。
