本技术属于半导体检测设备领域，特别涉及一种基于太赫兹雷达的半导体检测仪。
背景技术：
1、半导体是一种电子材料，具有介于导体和绝缘体之间的导电性能，它的导电性介于金属导体和非导电绝缘体之间，可以通过施加电场或控制温度来调节电流的流动，半导体检测仪是用于测试半导体器件性能的仪器，如果检测仪没有盖板的设计可能会导致来自外部环境的干扰和噪声对检测结果产生影响，太赫兹波段的信号非常敏感，容易受到电磁干扰的影响，而没有盖板无法提供屏蔽和隔离的作用，可能导致检测结果的误差和不稳定性，可能影响检测结果的准确性和可靠性，增加操作的复杂性和风险，降低仪器的使用便捷性和安全性，所以需要提出一种新的结构，用于解决上述技术问题。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足，本实用新型目的是提供一种基于太赫兹雷达的半导体检测仪，解决上述背景技术中提出的问题。
2、本实用新型通过以下的技术方案实现：一种基于太赫兹雷达的半导体检测仪，包括：检测台、盖板、检测组件，所述检测台的下侧表面四个拐角处分别安装有一个支撑腿，所述检测台的上侧表面铰接有盖板，所述检测台的前侧表面开设有抽槽，所述抽槽内部活动卡装有抽屉，所述检测台的上侧表面安装有检测组件，所述检测组件包括安装座、旋转电机、电动推杆、半导体台以及电动吸盘，所述安装座的上侧表面安装有旋转电机，所述旋转电机的上侧安装有电动推杆，所述电动推杆的上端安装有半导体台，所述半导体台的上侧表面安装有电动吸盘，所述检测台的上侧表面安装有气泵与太赫兹探测仪，所述盖板内部的底部安装有太赫兹发射器。
3、作为一优选的实施方式，所述检测台的上侧表面后侧边缘位置胶接有盖板，所述盖板的内部填充有铝板，所述盖板的长度、宽度与检测台的上侧表面的长度、宽度相同，所述盖板与检测台的抵接处设置有密封胶圈，所述盖板内部的底部安装有两个太赫兹发射器。
4、作为一优选的实施方式，两个所述太赫兹发射器结构相同，且两个所述太赫兹发射器均通过电线与电源和控制显示板电性相连接，所述太赫兹发射器的型号为impattdiode，所述检测台的右侧表面安装有控制台。
5、作为一优选的实施方式，所述控制台的前侧表面呈前低后高斜35度设计，所述控制台的前侧表面安装有控制显示板，所述控制显示板的型号为impatt diode，且通过电线与电源电性相连接。
6、作为一优选的实施方式，所述检测台的上侧表面中心位置安装有安装座，所述安装座的上侧表面中心位置安装有旋转电机，所述旋转电机的输出轴安装有电动推杆，所述电动推杆远离旋转电机的一端安装有半导体台，所述半导体台的上侧表面安装有两个电动吸盘。
7、作为一优选的实施方式，两个所述电动吸盘结构相同且均通过气管与气泵的吸气端相连接，所述气泵通过电线与控制显示板和电源电性相连接，所述检测台的上侧表面安装有两个太赫兹探测仪。
8、作为一优选的实施方式，两个所述太赫兹探测仪结构相同，且均通过电线与电源和控制显示板电性相连接，所述太赫兹探测仪的型号为gc-1p，所述太赫兹探测仪的接收端与太赫兹发射器的发射端均与电动吸盘的中轴线共线对齐。
9、采用了上述技术方案后，本实用新型的有益效果是：通过设置盖板与抽屉，盖板铰接在检测台上侧表面的后侧边缘，盖板的内部填充有铝板，盖板的内部的底部安装有两个太赫兹发射器，检测台的前侧表面开设有抽槽，检测台的前侧表面通过抽槽活动卡装有抽屉，盖板可以提供屏蔽和隔离的作用，因盖板内部填充有铝板，使其可以防止外部电磁干扰对测量结果产生干扰，可以减少来自环境中其他电磁波源的影响，提高检测的测量精度和稳定性，且通过抽屉，操作人员可以方便地将待测半导体的半导体放入或取出半导体检测仪，这样可以减少半导体处理的时间和人为误操作的风险，提高检测效率。
10、通过设置检测组件，检测组件包括安装座、旋转电机、电动推杆、半导体台以及电动吸盘，安装座的上侧表面安装有旋转电机，旋转电机上端的输出轴安装有电动推杆，电动推杆的上端安装有半导体台，半导体台的上侧表面安装有两个电动吸盘，两个电动吸盘通过气管与检测台上侧表面安装的气泵相连接，且检测台的上侧表面安装有两个太赫兹探测仪，两个太赫兹探测仪的接收端与两个太赫兹发射器的发射端对齐，使用户通过旋转电机、电动推杆和电动吸盘的组合，可以实现对待测半导体的自动化操作，旋转电机可以使半导体在检测过程中进行旋转，以获取更全面的检测信息，电动推杆可以控制半导体的位置进行上下移动，以便对不同位置进行扫描和测量，电动吸盘可以方便地固定和释放半导体，提高操作的便捷性和稳定性。
1.一种基于太赫兹雷达的半导体检测仪，包括：检测台(100)、盖板(300)、检测组件(400)，其特征在于，所述检测台(100)的下侧表面四个拐角处分别安装有一个支撑腿(110)，所述检测台(100)的上侧表面铰接有盖板(300)，所述检测台(100)的前侧表面开设有抽槽(101)；
2.如权利要求1所述的一种基于太赫兹雷达的半导体检测仪，其特征在于：所述检测台(100)的上侧表面后侧边缘位置胶接有盖板(300)，所述盖板(300)的内部填充有铝板，所述盖板(300)的长度、宽度与检测台(100)的上侧表面的长度、宽度相同，所述盖板(300)与检测台(100)的抵接处设置有密封胶圈，所述盖板(300)内部的底部安装有两个太赫兹发射器(310)。
3.如权利要求2所述的一种基于太赫兹雷达的半导体检测仪，其特征在于：两个所述太赫兹发射器(310)结构相同，且两个所述太赫兹发射器(310)均通过电线与电源和控制显示板(210)电性相连接，所述太赫兹发射器(310)的型号为impatt diode，所述检测台(100)的右侧表面安装有控制台(200)。
4.如权利要求3所述的一种基于太赫兹雷达的半导体检测仪，其特征在于：所述控制台(200)的前侧表面呈前低后高斜35度设计，所述控制台(200)的前侧表面安装有控制显示板(210)，且通过电线与电源电性相连接。
5.如权利要求4所述的一种基于太赫兹雷达的半导体检测仪，其特征在于：所述检测台(100)的上侧表面中心位置安装有安装座(410)，所述安装座(410)的上侧表面中心位置安装有旋转电机(420)，所述旋转电机(420)的输出轴安装有电动推杆(430)，所述电动推杆(430)远离旋转电机(420)的一端安装有半导体台(440)，所述半导体台(440)的上侧表面安装有两个电动吸盘(441)。
6.如权利要求5所述的一种基于太赫兹雷达的半导体检测仪，其特征在于：两个所述电动吸盘(441)结构相同且均通过气管(442)与气泵(140)的吸气端相连接，所述气泵(140)通过电线与控制显示板(210)和电源电性相连接，所述检测台(100)的上侧表面安装有两个太赫兹探测仪(130)。
7.如权利要求6所述的一种基于太赫兹雷达的半导体检测仪，其特征在于：两个所述太赫兹探测仪(130)结构相同，且均通过电线与电源和控制显示板(210)电性相连接，所述太赫兹探测仪(130)的型号为gc-1p，所述太赫兹探测仪(130)的接收端与太赫兹发射器(310)的发射端均与电动吸盘(441)的中轴线共线对齐。
