本技术涉及陶瓷热压成型，具体为一种cvd用氮化铝陶瓷喷嘴压制成型设备。
背景技术：
1、cvd是chemicalvapordeposition的简称，是指高温下的气相反应。cvd原料一般为两种及以上的气态物质，在一定的温度和压力下进行反应，生成薄膜沉积在基材的表面。cvd工艺中最佳的气场条件是要求原料气即时、均匀的混合，因此cvd对喷嘴的精度要求极高。
2、现有cvd喷嘴大多采用氮化铝陶瓷热压成型制成，cvd喷嘴对原料均匀性要求极高，为使原料充分混合不产生沉降，从而导致而现有的热压成型设备的原料桶较小，大批量生产时，需要频繁勾兑原料，而若直接更换大容量的原料桶，则容易导致原料混合不均匀，原料沉降，导致底层物料和顶部物料浓度不同，从而影响喷嘴质量，因此，需要一种cvd用氮化铝陶瓷喷嘴压制成型设备来解决上述问题。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种cvd用氮化铝陶瓷喷嘴压制成型设备，以解决现有技术中陶瓷喷嘴热压成型设备的原料桶过小影响生产效率的问题。
2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种cvd用氮化铝陶瓷喷嘴压制成型设备，包括压制机主体，所述压制机主体的上端面设置有上压模和下压模，所述压制机主体内设置有料筒和料泵，所述料泵的两端分别与上压模的顶部和料筒的底部贯通连接，所述料筒的上端面设置有桶盖，所述压制机主体的上端面设置有搅拌架，所述搅拌架上转动连接有电机架，所述电机架上设置有第一电机，所述第一电机的下端设置有搅拌轴，所述搅拌轴上设置有搅拌叶，所述搅拌架的侧端面设置有第二电机，所述第二电机与搅拌架键接，所述搅拌桶的底部设置有涡流气孔，所述压制机主体内设置有空压机，所述涡流气孔与空压机通过橡胶管贯通连接。
3、优选的，所述桶盖上设置有滑槽，所述滑槽内设置有防尘垫，所述防尘垫采用硅胶材质制成，通过滑槽搅拌轴具有一定的空间摆动，通过防尘垫避免灰尘或异物通过滑槽落入料筒内。
4、优选的，所述料筒的底部为圆底结构，圆底结构避免搅拌轴摆动时，搅拌叶与桶底干涉，同时方便排空物料。
5、优选的，所述涡流气孔为若干圆周阵列的涡流气孔，使空压机向涡流气孔通入高压空气，从而使高压空气将底部浓稠物料向上吹，加速底部和上层物料混合。
6、优选的，所述空压机和涡流气孔之间设置有单向阀，通过单向阀防止涡流气孔回料。
7、优选的，所述桶盖上通过合页转动连接有投料翻板，通过投料翻板方便快速投料。
8、优选的，所述搅拌叶采用聚四氟乙烯材质制成，聚四氟乙烯耐磨和耐腐蚀性能好。
9、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
10、1.本实用新型通过在料筒的上端设置电机架和第二电机，使第二电机带动电机架往复旋转，从而带动搅拌轴摆动，大大提升了搅拌轴搅拌的均匀性，能够将大容量搅拌桶内物料搅拌均匀。
11、2.本实用新型通过在搅拌桶的底部设置有涡流气孔，并在设备内设置空压机，使空压机向涡流气孔通入高压空气，从而使高压空气将底部浓稠物料向上吹，加速底部和上层物料混合。
12、3.本实用新型通过在桶盖的滑槽上设置防尘垫，能够避免灰尘或异物通过滑槽落入料筒内，保证了原料质量。
1.一种cvd用氮化铝陶瓷喷嘴压制成型设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种cvd用氮化铝陶瓷喷嘴压制成型设备，其特征在于：所述桶盖(13)上设置有滑槽(131)，所述滑槽(131)内设置有防尘垫(133)，所述防尘垫(133)采用硅胶材质制成。
3.根据权利要求1所述的一种cvd用氮化铝陶瓷喷嘴压制成型设备，其特征在于：所述料筒(15)的底部为圆底结构。
4.根据权利要求1所述的一种cvd用氮化铝陶瓷喷嘴压制成型设备，其特征在于：所述涡流气孔(151)为若干圆周阵列的涡流气孔(151)。
5.根据权利要求1所述的一种cvd用氮化铝陶瓷喷嘴压制成型设备，其特征在于：所述空压机(4)和涡流气孔(151)之间设置有单向阀(41)。
6.根据权利要求1所述的一种cvd用氮化铝陶瓷喷嘴压制成型设备，其特征在于：所述桶盖(13)上通过合页转动连接有投料翻板(132)。
7.根据权利要求1所述的一种cvd用氮化铝陶瓷喷嘴压制成型设备，其特征在于：所述搅拌叶(24)采用聚四氟乙烯材质制成。
