本发明涉及通过使用了非线性光学晶体的光注入型太赫兹参量产生(injectionseeded terahertz-wave parametric generation(以下简称为is-tpg。))方式产生太赫兹波的太赫兹波产生装置、以及在基于is-tpg方式的太赫兹波产生装置中使用的近红外脉冲光源，所述非线性光学晶体能够通过光参量效应产生太赫兹波。
背景技术：
1、太赫兹波是波长为30μm～300μm、且频率超过1thz的电磁波。
2、太赫兹波是兼具电波这样的“透射性”和激光光线这样的“直行性”的富有多样性的电磁波，在基础科学领域、工学领域和医用/生物领域等各种领域中，应用可能性正在扩大。
3、作为太赫兹波产生装置，在专利文献1中提出了基于is-tpg方式的太赫兹波产生装置。
4、专利文献1所示的基于is-tpg方式的太赫兹波产生装置包含泵浦光生成系统、泵浦光导光系统、泵浦光放大系统、种子光生成系统和太赫兹波生成系统。
5、构成泵浦光生成系统的泵浦光源是输出重复频率为100khz、中心波长为1064nm、脉冲宽度为140ps的泵浦光的无源q开关型的微片激光器。
6、现有技术文献
7、专利文献
8、专利文献1：日本特开2019-35789号公报
技术实现思路
1、发明要解决的课题
2、在专利文献1所示的太赫兹波产生装置中，为了避免非线性光学晶体的光损伤，来自泵浦光源的泵浦光设定为平均激励功率密度成为规定的光折变效应产生阈值以下，但是，使用输出中心波长为1064nm的泵浦光的微片激光器作为泵浦光源，因此，光折变效应的抑制仍然不充分。
3、此外，很难制作输出脉冲宽度为140ps的泵浦光的微片激光器。
4、本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，得到如下的近红外脉冲光源：在被应用于基于is-tpg方式的太赫兹波产生装置的情况下，制作容易，能够抑制光折变效应，并且能够抑制受激布里渊(brillouin)散射这样的非线性现象。
5、用于解决课题的手段
6、本发明的近红外脉冲光源具有：第1近红外光源，其辐射波长比1240nm长的作为连续波的近红外激光；以及脉冲调制器，其通过脉冲对来自第1近红外光源的近红外激光进行调制，射出近红外脉冲光作为第1近红外光，其中关于该近红外脉冲光，脉冲宽度为1纳秒以下，消光比为对脉冲的占空比(db)加上10db而得的值以上，脉冲的占空比是脉冲宽度与脉冲周期之比。
7、发明效果
8、根据本发明，能够得到如下的近红外脉冲光：针对基于is-tpg方式的太赫兹波产生装置中的非线性光学晶体能够抑制光折变效应，并且能够抑制受激布里渊散射。
1.一种近红外脉冲光源，其具有：
2.一种近红外脉冲光源，其具有：
3.根据权利要求1所述的近红外脉冲光源，其中，
4.根据权利要求3所述的近红外脉冲光源，其中，
5.根据权利要求2所述的近红外脉冲光源，其中，
6.根据权利要求3～5中的任意一项所述的近红外脉冲光源，其中，
7.根据权利要求3～5中的任意一项所述的近红外脉冲光源，其中，
8.根据权利要求3～5中的任意一项所述的近红外脉冲光源，其中，
9.根据权利要求1～8中的任意一项所述的近红外脉冲光源，其中，
10.根据权利要求9所述的近红外脉冲光源，其中，
11.根据权利要求3～8中的任意一项所述的近红外脉冲光源，其中，
12.一种太赫兹波产生装置，其具有：
13.根据权利要求12所述的太赫兹波产生装置，其中，
14.根据权利要求12或13所述的太赫兹波产生装置，其中，
15.根据权利要求12或13所述的太赫兹波产生装置，其中，
16.根据权利要求12～15中的任意一项所述的太赫兹波产生装置，其中，
17.根据权利要求12～16中的任意一项所述的太赫兹波产生装置，其中，
18.根据权利要求12～17中的任意一项所述的太赫兹波产生装置，其中，
