本发明属于半导体激光器叠阵的封装，具体涉及一种宏通道半导体激光器叠阵的封装方法。本发明属于战略性新型产业目录之1 新一代信息技术产业中的1.3 电子核心产业重点方向下1.3.3新型元器件 半导体激光器件。
背景技术：
1、宏通道半导体激光器叠阵是由若干个激光器单模块依次排列构成，这些激光器单模块按正负极依次顺序排列，各激光器单模块之间利用焊料焊接，每个激光器单模块又利用焊料焊接在宏通道散热器上，由于激光器单模块的体积很小，在毫米量级，所以封装过程很难操作。再加上需要在宏通道散热器上进行后续电极的焊接，并且这些电极在宏通道散热器的侧面，给封装工艺带来很大的困难。覆铜板在宏通道半导体激光器叠阵封装中有重要作用，它连接着激光器模块和外部电源，并起着和宏通道散热器绝缘的作用。由于宏通道底座是金属制成，电极没有覆铜板绝缘，就会短路，因此，电极不能直接焊接在宏通道散热器的侧面，需要焊接在覆铜板上，再通过覆铜板焊接在宏通道散热器侧面。由于宏通道散热器是由纯铜制成，并且体积大，普通的焊接方法无法将覆铜板焊接在宏通道散热器的侧面。
技术实现思路
1、针对现有技术中宏通道半导体激光器叠阵存在的封装困难问题，本发明提供一种宏通道半导体激光器叠阵封装方法，减少了人工手动焊接造成的故障，提高成品率。
2、本发明的目的是以下述方式实现的：
3、一种宏通道半导体激光器叠阵的封装方法，包括以下步骤，首先把宏通道散热器放置在加热板上表面，然后将表面涂上焊料的覆铜板立在宏通道散热器的两侧面，再利用加热柱顶住覆铜板，使覆铜板紧靠宏通道散热器，加热柱中间有通孔，打开真空泵，通过真空泵及加热柱中间的通孔吸紧覆铜板，打开加热板和加热柱，实现对覆铜板进行焊接；
4、将涂上焊料的激光器单模块放到宏通道散热器的相应位置，利用超声换能器压住激光器单模块，利用超声换能器提供的震动摩擦将激光器单模块完成焊接，进行下一个激光器单模块的焊接时，利用压力杆装置压住已经完成焊接的前一个激光器单模块，重复多次，直至完成所有激光器单模块的焊接。
5、调节加热柱的位置，从而调节覆铜板的焊接位置。
6、所述激光器单模块包括陶瓷片，以及位于陶瓷片上的正电极和负电极，正电极和负电极之间封装芯片。
7、压力杆装置包括底座，固定在底座上的支架，支架上端设置固定杆，固定杆末端通过螺栓连接压力杆，固定杆与压力杆之间还设置压缩状态的弹簧，压力杆前端设有与单模块大小匹配的凹槽。
8、相对于现有技术，本发明利用加热板，加热柱，超声换能器等装置，可同时完成覆铜板和激光器单模块的焊接，避免了反复加热对激光器造成的损伤。利用超声换能器完成对激光器单模块的迅速焊接，提高焊接质量，节省焊接时间，减少了人工手动焊接造成的故障，提高成品率。利用加热柱和真空泵，完成对覆铜板的精确定位和焊接。
1.一种宏通道半导体激光器叠阵的封装方法，其特征在于：包括以下步骤，首先把宏通道散热器（2）放置在加热板（1）上表面，然后将表面涂上焊料的覆铜板（3）立在宏通道散热器（2）的两侧面，再利用加热柱（4）顶住覆铜板（3），使覆铜板紧靠宏通道散热器（2），加热柱（4）中间有通孔（9），打开真空泵（5），通过真空泵（5）及加热柱中间的通孔（9）吸紧覆铜板（3），打开加热板（1）和加热柱（4），实现对覆铜板进行焊接；
2.根据权利要求1所述一种宏通道半导体激光器叠阵的封装方法，其特征在于：调节加热柱（4）的位置，从而调节覆铜板的焊接位置。
3.根据权利要求1所述一种宏通道半导体激光器叠阵的封装方法，其特征在于：所述激光器单模块（6）包括陶瓷片（61），以及位于陶瓷片上的正电极（62）和负电极（63），正电极（62）和负电极（63）之间封装芯片（64）。
4.根据权利要求1所述一种宏通道半导体激光器叠阵的封装方法，其特征在于：压力杆装置（8）包括底座（81），固定在底座上的支架（82），支架（82）上端设置固定杆（83），固定杆（83）末端通过螺栓（84）连接压力杆（65），固定杆（83）与压力杆（85）之间还设置压缩状态的弹簧（86），压力杆前端设有与单模块大小匹配的凹槽（87）。
