本公开涉及发光器件领域，特别涉及一种发光二极管及其制作方法。
背景技术：
1、发光二极管(light emitting diode，led)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等。
2、相关技术中提供了一种具有银镜结构的发光二极管的制作方法：在衬底表面形成外延层，外延层包括依次层叠在衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；在第二半导体层表面形成银镜结构，银镜结构包括ag层和保护层。相关技术中在制作银镜结构时，先在第二半导体层表面形成图形化的光刻胶，随后通过磁控溅射的方式形成银镜结构。
3、但是，相关技术中形成的银镜结构在剥离光刻胶时，ag层易于发生撕裂。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种发光二极管及其制作方法，可以提升银镜结构中膜层的粘附效果，从而提升银镜结构的质量，避免银镜结构发生撕裂。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种发光二极管的制作方法，所述方法包括：
3、在衬底表面形成外延层，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
4、在所述第二半导体层表面形成银镜结构，所述银镜结构包括依次层叠的第一ag层、第二ag层、第三ag层、第四ag层和保护层，所述第一ag层、所述第二ag层、所述第三ag层和所述第四ag层在制作时溅射功率依次升高，且所述第一ag层和所述第二ag层的溅射功率小于或等于第一阈值。
5、可选地，在所述第二半导体层表面形成银镜结构，包括：
6、在氩气气氛下，低真空环境中，采用射频磁控溅射工艺制作依次层叠的所述第一ag层和所述第二ag层；
7、在氩气气氛下，低真空环境中，采用直流磁控溅射和射频磁控溅射工艺制作依次层叠的所述第三ag层和所述第四ag层；
8、在氩气气氛下，低真空环境中，采用直流磁控溅射工艺制作所述保护层。
9、可选地，所述第一阈值的取值范围为50～200w。
10、可选地，溅射所述第一ag层时，所述溅射功率包括射频磁控溅射的交流功率，交流功率为45～55w；溅射所述第二ag层时，所述溅射功率包括射频磁控溅射的交流功率，交流功率为95～105w；
11、溅射所述第三ag层时，所述溅射功率包括直流磁控溅射的直流功率和射频磁控溅射的交流功率，直流功率为95～105w，交流功率为145～155w；溅射所述第四ag层时，所述溅射功率包括直流磁控溅射的直流功率和射频磁控溅射的交流功率，直流功率为195～205w，交流功率为295～305w。
12、可选地，制作所述第一ag层、所述第二ag层、所述第三ag层、所述第四ag层时，所述氩气的流量为170～180sccm。
13、可选地，所述低真空环境为4×10-3～8×10-3pa。
14、可选地，制作所述保护层时，所述氩气的流量为100～120sccm。
15、另一方面，提供了一种发光二极管，所述发光二极管采用如上任一项所述的方法制成，所述发光二极管包括：
16、衬底，位于所述衬底表面的外延层，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
17、银镜结构，所述银镜结构位于所述第二半导体层表面，所述银镜结构包括依次层叠的第一ag层、第二ag层、第三ag层、第四ag层和保护层，所述第一ag层和所述第二ag层的厚度至少为所述第一ag层、所述第二ag层、所述第三ag层、所述第四ag层厚度总和的1/3～1/2。
18、可选地，所述保护层的厚度为所述第一ag层、所述第二ag层、所述第三ag层和所述第四ag层的厚度之和的3～5倍。
19、可选地，所述保护层包括依次层叠的第一ni层、第一tiw层、第二ni层和第二tiw层。
20、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
21、在本公开实施例中，通过采用小于第一阈值的功率制作第一ag层和第二ag层，采用低溅射功率形成ag层有利于提升第一ag层和第二ag层的粘附效果，同时采用依次升高的溅射功率制作第一ag层、第二ag层、第三ag层和第四ag层，依次升高的溅射功率有利于提升ag层的致密性。从而在兼顾第一ag层、第二ag层、第三ag层、第四ag层致密性的同时，提升第一ag层和第二ag层的粘附性，避免ag层发生撕裂，以提升银镜结构的质量。
1.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二半导体层表面形成银镜结构，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一阈值的取值范围为50～200w。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，溅射所述第一ag层时，所述溅射功率包括射频磁控溅射的交流功率，交流功率为45～55w；溅射所述第二ag层时，所述溅射功率包括射频磁控溅射的交流功率，交流功率为95～105w；
5.根据权利要求2至4任一项所述的方法，其特征在于，制作所述第一ag层、所述第二ag层、所述第三ag层、所述第四ag层时，所述氩气的流量为170～180sccm。
6.根据权利要求2至4任一项所述的方法，其特征在于，所述低真空环境为4×10-3～8×10-3pa。
7.根据权利要求2至4任一项所述的方法，其特征在于，制作所述保护层时，所述氩气的流量为100～120sccm。
8.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管采用如权利要求1至7任一项所述的方法制成，所述发光二极管包括：
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述保护层的厚度为所述第一ag层(201)、所述第二ag层(202)、所述第三ag层(203)和所述第四ag层(204)的厚度之和的3～5倍。
10.根据权利要求8或9所述的发光二极管，其特征在于，所述保护层包括依次层叠的第一ni层(205)、第一tiw层(206)、第二ni层(207)和第二tiw层(208)。
