一种新型超声波扫描装置的制作方法

    专利2025-07-17  18


    本发明涉及超声波扫描,尤其涉及一种新型超声波扫描装置。


    背景技术:

    1、超声波扫描技术是用于检测igbt内部空洞、裂纹、分层、焊接不良等缺陷的一种无损检测手段,可对igbt内部逐层扫描成像,检测模块内部各个结合面缺陷,准确找到igbt模块材料、工艺中出现的问题。该技术原理是通过超声波探头的换能器将超声波通过水介质以脉冲的方式传送到样品内部,由于超声波在不同材料结合界面会发生反射,一旦产品内部存在缺陷,就会产生有明显区别的回波,在计算机的辨别和图像化处理后,最终生成igbt模块内部的扫描成像图。

    2、目前常用的igbt模块超声波扫描方法是将模块倒置相应装置上,通过定位柱使模块定位,模块底板冷却面朝上,超声波探头对底板冷却面面进行扫描,检测模块内部焊接缺陷。

    3、由于igbt模块超声波扫描介质为纯水,现有超声波扫描方法虽然比较简单,但扫描过程中igbt模块很容易与水直接接触,造成产品内部受潮、烘干不充分、产品表面遇水易氧化、易受到污染等风险,从而影响产品的封装良率及产品可靠性。


    技术实现思路

    1、本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点,提供一种新型超声波扫描装置,包括:上密封盖和下密封盖,所述上密封盖和下密封盖之间采用密封配合连接,所述上密封盖与下密封盖位置相对应的两侧均设置有固定件,将所述上密封盖和下密封盖固定连接,所述上密封盖的中部区域为开口状,在所述上密封盖和下密封盖的内侧固定设置有密封件,在所述下密封盖上设置有与igbt模块配合的定位柱。

    2、进一步地,所述下密封盖的中部为上开口的密封盒状,将igbt模块放置于所述密封盒内。

    3、进一步地,在所述密封盒的外侧设置有下盖密封圈,当所述上密封盖和下密封盖盖合时,所述下盖密封圈与所述上密封盖紧密接触。

    4、进一步地,所述定位柱设置于所述密封盒的四个角上端,所述定位柱与igbt模块四个角上的定位孔相配合。

    5、进一步地,所述上密封盖的内侧设置有上盖密封圈,当所述上密封盖和下密封盖盖合时,所述上盖密封圈与igbt模块的底板冷却面紧密接触。

    6、进一步地,所述固定件包括合页和锁扣,所述合页设置于所述上密封盖和下密封盖的同侧面,将所述上密封盖和下密封盖固定连接,所述锁扣设置于所述合页对应侧的所述下密封盖的侧边上,在所述上密封盖上设置与锁扣位置对应的凸起部,所述上密封盖和下密封盖通过所述锁扣扣紧。

    7、进一步地,在所述下密封盖的底部设置有定位部。

    8、本发明具有以下有益效果:采用本发明提供的新型超声波扫描装置可以提升igbt模块的封装良率及可靠性,在利用水介质的超声波扫描过程中保证igbt模块内部不直接接触水,即本发明采用密封盒密封的方式将igbt模块密封在密封盒内,避免igbt模块内部进水,从而提升模块的可靠性。



    技术特征:

    1.一种新型超声波扫描装置,其特征在于,包括:上密封盖和下密封盖,所述上密封盖和下密封盖之间采用密封配合连接,所述上密封盖与下密封盖位置相对应的两侧均设置有固定件,将所述上密封盖和下密封盖固定连接,所述上密封盖的中部区域为开口状,

    2.根据权利要求1所述的新型超声波扫描装置,其特征在于,所述下密封盖的中部为上开口的密封盒状,将igbt模块放置于所述密封盒内。

    3.根据权利要求2所述的新型超声波扫描装置,其特征在于,在所述密封盒的外侧设置有下盖密封圈,当所述上密封盖和下密封盖盖合时,所述下盖密封圈与所述上密封盖紧密接触。

    4.根据权利要求2所述的新型超声波扫描装置,其特征在于,所述定位柱设置于所述密封盒的四个角上端,所述定位柱与igbt模块四个角上的定位孔相配合。

    5.根据权利要求1所述的新型超声波扫描装置,其特征在于,所述上密封盖的内侧设置有上盖密封圈,当所述上密封盖和下密封盖盖合时,所述上盖密封圈与igbt模块的底板冷却面紧密接触。

    6.根据权利要求1所述的新型超声波扫描装置,其特征在于,所述固定件包括合页和锁扣,

    7.根据权利要求1所述的新型超声波扫描装置,其特征在于,在所述下密封盖的底部设置有定位部。


    技术总结
    本发明提供了一种新型超声波扫描装置,包括:上密封盖和下密封盖,所述上密封盖和下密封盖之间采用密封配合连接,所述上密封盖与下密封盖位置相对应的两侧均设置有固定件,将所述上密封盖和下密封盖固定连接,所述上密封盖的中部区域为开口状,在所述上密封盖和下密封盖的内侧固定设置有密封件,在所述下密封盖上设置有与IGBT模块配合的定位柱。本发明的超声波扫描装置结构简单,操作方便,在产品扫描过程中保证了IGBT模块内部完全密封,防止IGBT模块内部与水接触,提高了IGBT模块的封装良率和可靠性。

    技术研发人员:刘爽,李刚,刘艳宏,邢毅
    受保护的技术使用者:西安中车永电电气有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/4/29
    转载请注明原文地址:https://wp.8miu.com/read-89551.html

    最新回复(0)