本技术涉及化学气相沉积，尤其涉及一种mpcvd生长台设备的升降装置。
背景技术：
1、微波等离子体化学气相沉积(mpcvd)单晶金刚石生长技术由于其微波能量无污染、气体原料纯净等优势而在众多单晶金刚石制备方法中脱颖而出，成为制备大尺寸、高品质单晶金刚石最有发展前景的技术之一。目前，微波等离子体化学气相沉积(mpcvd)被认为是一种理想的沉积金刚石的方法。其原理为：在微波能量的作用下，将沉积气体激发成等离子体状态，在由微波产生的电磁场的作用下，腔内的电子相互碰撞并产生剧烈的振荡，促进了谐振腔内其他的原子、基团及分子之间的相互碰撞，从而有效地提高反应气体的离化程度，产生更高密度的等离子体的产生。在反应过程中原料气体电离化程度达到10％以上，使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团，从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积质量得到改善。
2、在反应过程中，通过调节生长台与等离子体之间的距离来控制金刚石的生长温度，提升产品的成品率。但现有技术中，调节生长台升降的机构并不稳定，进而存在误差。
技术实现思路
1、针对背景技术提出的问题，本实用新型的目的在于提出一种mpcvd生长台设备的升降装置，解决了现有mpcvd生长台设备的升降装置不稳定的问题。
2、为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：
3、一种mpcvd生长台设备的升降装置，包括生长台、升降机构和升降管，所述升降管的上端与所述生长台连接，所述升降管的下端与所述升降机构连接；
4、所述升降机构包括驱动电机、上固定板、下固定板、升降台、导向柱和两根丝杠；
5、所述升降台设于设所述上固定板和所述下固定板之间，所述丝杠和所述导向柱垂直地设于所述上固定板和所述下固定板之间，所述升降台通过螺母与所述丝杠滑动连接，所述导向柱垂直地贯穿所述升降台，所述升降管的下端与所述升降台连接；
6、所述驱动电机设于所述下固定板，两根所述丝杠通过同步带与所述驱动电机的驱动端连接。
7、优选地，所述升降管通过水平调节器与所述升降台连接，所述水平调节器包括水平板和三个螺栓，所述水平板和所述升降台设有对应的螺纹孔，所述螺纹孔沿所述水平板的周向等间隔地分布，所述螺栓通过所述螺纹孔与所述升降台连接，通过调节所述螺栓，实现水平板的水平安装。
8、优选地，所述水平板与所述上固定板之间设有伸缩波纹管，所述伸缩波纹管同轴套设于所述升降管的外部。
9、优选地，所述生长台通过钼环与所述升降管连接。
10、优选地，所述钼环的底部设有进出水管道结构，所述进出水管道结构贯穿所述水平板，并固设于所述水平板上；
11、所述进出水管道结构包括进水管、出水管、进水口和出水口，所述进水管与所述进水口连接，所述出水管与所述出水口连接；
12、所述进水管贯穿所述水平板，所述进水管的上部位于所述升降管之内，所述进水管的下部位于所述升降管之外，所述出水管同轴套设于所述进水管的下部，且固定于所述水平板的底部，所述出水管与所述进水管之间形成出水腔，所述进水口和所述出水口位于所述升降管的下部。
13、优选地，所述进水管的顶部设有走水板，所述走水板卡设连接于所述升降管的内部，并与所述钼环留有间距，所述走水板设有若干个排水孔。
14、优选地，所述走水板下方设有缓冲板，所述缓冲板的外周卡设于所述升降管的内部，所述缓冲板的中心设有中心通孔，所述中心通孔的边缘向上凸起有凸台，所述中心通孔的直径大于所述进水管的外管径。
15、与现有技术相比，上述技术方案中的一个技术方案具有以下有益效果：
16、mpcvd生长台设备的升降装置利用驱动电机驱动两根平行设置的丝杠实现同步及同向转动，带动升降台和升降管稳定地上下升降，以提升生长台的升降稳定性。
1.一种mpcvd生长台设备的升降装置，其特征在于：包括生长台、升降机构和升降管，所述升降管的上端与所述生长台连接，所述升降管的下端与所述升降机构连接；
2.根据权利要求1所述的一种mpcvd生长台设备的升降装置，其特征在于：所述升降管通过水平调节器与所述升降台连接，所述水平调节器包括水平板和三个螺栓，所述水平板和所述升降台设有对应的螺纹孔，所述螺纹孔沿所述水平板的周向等间隔地分布，所述螺栓通过所述螺纹孔与所述升降台连接，通过调节所述螺栓，实现水平板的水平安装。
3.根据权利要求2所述的一种mpcvd生长台设备的升降装置，其特征在于：所述水平板与所述上固定板之间设有伸缩波纹管，所述伸缩波纹管同轴套设于所述升降管的外部。
4.根据权利要求3所述的一种mpcvd生长台设备的升降装置，其特征在于：所述生长台通过钼环与所述升降管连接。
5.根据权利要求4所述的一种mpcvd生长台设备的升降装置，其特征在于：所述钼环的底部设有进出水管道结构，所述进出水管道结构贯穿所述水平板，并固设于所述水平板上；
6.根据权利要求5所述的一种mpcvd生长台设备的升降装置，其特征在于：所述进水管的顶部设有走水板，所述走水板卡设连接于所述升降管的内部，并与所述钼环留有间距，所述走水板设有若干个排水孔。
7.根据权利要求6所述的一种mpcvd生长台设备的升降装置，其特征在于：所述走水板下方设有缓冲板，所述缓冲板的外周卡设于所述升降管的内部，所述缓冲板的中心设有中心通孔，所述中心通孔的边缘向上凸起有凸台，所述中心通孔的直径大于所述进水管的外管径。
