一种拉制单晶硅棒的方法、装置及计算机存储介质与流程

    专利2025-06-25  8


    本发明实施例涉及硅片制造,尤其涉及一种拉制单晶硅棒的方法、装置及计算机存储介质。


    背景技术:

    1、当前,采用直拉(cz)法拉制单晶硅棒(后可简称拉晶)的过程主要包括稳温、引晶、放肩、等径、收尾等工序。在常规的直拉法拉制单晶硅棒的过程中,通常是在拉制之前,由操作人员在单晶炉的控制系统内预先根据晶棒的规格需求设定相应的控制程序,然后单晶炉的控制系统按照设定好的控制程序完成拉制过程,这种单向控制的方式完全依靠操作人员的经验和技能,导致产品规格的一致性较低;此外,在拉制过程中如果出现了控制及参数出现偏差这类不利因素,就会导致整个晶棒报废,从而造成较大的资源浪费并且增加了制造成本。


    技术实现思路

    1、有鉴于此,本发明实施例期望提供一种拉制单晶硅棒的方法、装置及计算机存储介质;能够提高拉制晶棒规格的一致性,提高晶棒良率,降低资源浪费以及制造成本。

    2、本发明实施例的技术方案是这样实现的:

    3、第一方面,本发明实施例提供了一种拉制单晶硅棒的方法,所述方法包括:

    4、实时采集拉晶炉内的实时工艺参数;

    5、基于所述实时工艺参数通过设定的模拟模型进行模拟,得到晶棒成品的规格模拟结果;

    6、相应于所述晶棒成品的规格模拟结果不满足设定的期望晶棒规格,基于所述期望晶棒规格通过所述模拟模型针对所述实时工艺参数进行校正,得到校正后的工艺参数;

    7、相应于所述校正后的工艺参数被确认,按照被确认的校正后的工艺参数继续拉制单晶硅棒。

    8、第二方面,本发明实施例提供了一种拉制单晶硅棒的装置,所述装置包括:采集部分、规格结果模拟部分、校正部分和控制部分;其中,

    9、所述采集部分,经配置为实时采集拉晶炉内的实时工艺参数;

    10、所述规格结果模拟部分,经配置为基于所述实时工艺参数通过设定的模拟模型进行模拟,得到晶棒成品的规格模拟结果;

    11、所述校正部分,经配置为相应于所述晶棒成品的规格模拟结果不满足设定的期望晶棒规格,基于所述期望晶棒规格通过所述模拟模型针对所述实时工艺参数进行校正,得到校正后的工艺参数;

    12、所述控制部分,经配置为相应于所述校正后的工艺参数被确认,按照被确认的校正后的工艺参数继续拉制单晶硅棒。

    13、第三方面,本发明实施例提供了一种计算机存储介质,所述计算机存储介质存储有拉制单晶硅棒的程序,所述拉制单晶硅棒的程序被至少一个处理器执行时实现第一方面所述拉制单晶硅棒的方法的步骤。

    14、第四方面,本发明实施例提供了一种计算设备,包括:通信接口,存储器和处理器;各个组件通过总线系统耦合在一起;其中,

    15、所述通信接口,用于接收采集到的单晶炉的工艺参数;

    16、所述存储器,用于存储能够在所述处理器上运行的计算机程序;

    17、所述处理器,用于在运行所述计算机程序时,执行上述技术方案中所述拉制单晶硅棒的方法的步骤。

    18、本发明实施例提供了一种拉制单晶硅棒的方法、装置及计算机存储介质;通过利用模拟模型对晶棒的规格进行提前预判,并且当不满足期望的晶棒规格时利用模拟模型进行工艺参数的校正,从而实时监控晶棒的规格品质,并实时校正以获得期望规格的晶棒,减少因工艺参数异常所导致的晶棒良率降低现象,降低资源浪费以及制造成本。



    技术特征:

    1.一种拉制单晶硅棒的方法,其特征在于,所述方法包括:

    2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

    3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述基于所述实时工艺参数通过设定的模拟模型进行模拟,得到晶棒成品的规格模拟结果,包括:

    4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述基于所述期望晶棒规格通过所述模拟模型针对所述实时工艺参数进行校正,得到校正后的工艺参数,包括:

    5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,若所述期望晶棒规格为无晶体原生缺陷cop free,则所述初步筛选得到的拉晶数据中的历史晶棒成品规格结果为cop free;相应地,所述在初步筛选得到的拉晶数据中,根据设定的需求和所述实时工艺参数,从所述历史工艺参数中确定所述校正后的工艺参数,包括:

    6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

    7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述模拟模型包括双输出的长短期记忆lstm模型;所述双输出的lstm模型包括:输入层、第一lstm层、第二lstm层、全连接层和输出层;其中,输出层包括:晶棒品质输出层和工艺参数修正输出层;相应地,所述方法还包括:

    8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述基于所述实时工艺参数通过设定的模拟模型进行模拟,得到晶棒成品的规格模拟结果,包括:

    9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述基于所述期望晶棒规格通过所述模拟模型针对所述实时工艺参数进行校正,得到校正后的工艺参数,包括:

    10.一种拉制单晶硅棒的装置,其特征在于,所述装置包括:采集部分、规格结果模拟部分、校正部分和控制部分;其中,

    11.一种计算机存储介质,其特征在于,所述计算机存储介质存储有拉制单晶硅棒的程序,所述拉制单晶硅棒的程序被至少一个处理器执行时实现权利要求1至9任一项所述拉制单晶硅棒的方法步骤。


    技术总结
    本发明实施例公开了一种拉制单晶硅棒的方法、装置及计算机存储介质;该方法可以包括:实时采集拉晶炉内的实时工艺参数;基于所述实时工艺参数通过设定的模拟模型进行模拟,得到晶棒成品的规格模拟结果;相应于所述晶棒成品的规格模拟结果不满足设定的期望晶棒规格,基于所述期望晶棒规格通过所述模拟模型针对所述实时工艺参数进行校正,得到校正后的工艺参数;相应于所述校正后的工艺参数被确认,按照被确认的校正后的工艺参数继续拉制单晶硅棒。

    技术研发人员:杨文武
    受保护的技术使用者:西安奕斯伟材料科技股份有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/4/29
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