本发明涉及半导体，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。
背景技术：
1、gan基led具有较大的禁带宽度、优良的击穿电压等属性，已经广泛运用在大功率器件中。但在led外延生长过程中，外延层与衬底之间存在较大的晶格失配和热失配，导致后续生长的外延层的晶体质量进一步降低，从而影响光电性能。
2、现有的si衬底gan基led外延生长过程中，通常先在衬底上生长aln缓冲层，阻挡si衬底与gan外延层之间的回融刻蚀，但是aln缓冲层与衬底之间仍存在较大的晶格失配和热失配，会产生大量的位错，同时gan外延层还会受到大的张应力；此外，由于衬底也会带来电子的迁移，从而产生漏电通道，严重降低了gan基led的外延质量及led器件的性能。
技术实现思路
1、本发明所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片，能够减少由衬底带来的漏电通道及衬底与gan的晶格失配带来的缺陷，从而提高发光效率。
2、本发明所要解决的技术问题还在于，提供一种发光二极管外延片的制备方法，工艺简单，制得的发光二极管外延片发光效率高。
3、为达到上述技术效果，本发明提供了一种发光二极管外延片，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的复合缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、多量子阱层、电子阻挡层和p型gan层，所述复合缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层包括依次层叠的ga2o3层和(alga)2o3层，所述第二缓冲层包括周期性交替层叠的第一gan层和第二gan层，所述第一gan层和第二gan层均为二维gan层。
4、作为上述技术方案的改进，所述ga2o3层的厚度为1nm～10nm；
5、所述(alga)2o3层的厚度为10nm～100nm。
6、作为上述技术方案的改进，所述(alga)2o3层的al组分占比为0.1～0.4。
7、作为上述技术方案的改进，所述第一gan层为mg掺杂的gan层，厚度为5nm～10nm，mg掺杂浓度为1×1015cm-3～1×1016cm-3；所述第二gan层的厚度为5nm～10nm。
8、作为上述技术方案的改进，所述第二缓冲层的生长周期为5～8。
9、相应的，本发明还公开了一种发光二极管外延片的制备方法，用于制备上述的发光二极管外延片，包括以下步骤：
10、提供一衬底，在所述衬底上依次生长复合缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、多量子阱层、电子阻挡层和p型gan层，所述复合缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层包括依次层叠的ga2o3层和(alga)2o3层，所述第二缓冲层包括周期性交替层叠的第一gan层和第二gan层，所述第一gan层和第二gan层均为二维gan层。
11、作为上述技术方案的改进，采用pld生长所述ga2o3层，所述ga2o3层的生长温度为600℃～650℃，生长压力为10-5mbar～10-2mbar，激光脉冲频率为2hz～3hz，激光能量密度为1.5j/cm2～2.5j/cm2。
12、作为上述技术方案的改进，采用pld生长所述(alga)2o3层，所述(alga)2o3层的生长温度为610℃～800℃，生长压力为10-5mbar～10-2mbar，激光脉冲频率为2hz～3hz，激光能量密度为1.5j/cm2～2.5j/cm2。
13、作为上述技术方案的改进，采用mocvd生长所述第二缓冲层，所述第二缓冲层的生长温度为800℃～1000℃，生长压力为200torr～300torr。
14、相应的，本发明还公开了一种发光二极管，包括上述的发光二极管外延片。
15、实施本发明实施例，具有如下有益效果：
16、本发明的复合缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，第一缓冲层中的(alga)2o3层具有较高的禁带宽度，可以有效阻止电子迁移，从而减少漏电通道，ga2o3层可以提高(alga)2o3层的结晶质量及避免多晶的产生，第一缓冲层还阻止了nh3与si衬底发生反应及ga与si衬底的回熔刻蚀现象，提高了gan外延层晶体质量；第二缓冲层的二维结构为进一步的生长提供了平整的成核表面，减少其成核生长的接触角，使岛状生长的gan晶粒在较小的厚度内能连成面，转变为二维外延生长，提高了后续沉积gan外延层的晶体质量，超晶格结构可以在界面不断扭转位错的方向，从而相交，降低外延层位错密度，提高gan外延层晶体质量，降低缺陷导致非辐射复合，提升发光二极管的发光效率。
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的复合缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、多量子阱层、电子阻挡层和p型gan层，所述复合缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层包括依次层叠的ga2o3层和(alga)2o3层，所述第二缓冲层包括周期性交替层叠的第一gan层和第二gan层，所述第一gan层和第二gan层均为二维gan层。
2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述ga2o3层的厚度为1nm～10nm；
3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述(alga)2o3层的al组分占比为0.1～0.4。
4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一gan层为mg掺杂的gan层，厚度为5nm～10nm，mg掺杂浓度为1×1015cm-3～1×1016cm-3；所述第二gan层的厚度为5nm～10nm。
5.如权利要求1或4所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二缓冲层的生长周期为5～8。
6.一种发光二极管外延片的制备方法，用于制备如权利要求1～5任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，包括以下步骤：
7.如权利要求6所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，采用pld生长所述ga2o3层，所述ga2o3层的生长温度为600℃～650℃，生长压力为10-5mbar～10-2mbar，激光脉冲频率为2hz～3hz，激光能量密度为1.5j/cm2～2.5j/cm2。
8.如权利要求6所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，采用pld生长所述(alga)2o3层，所述(alga)2o3层的生长温度为610℃～800℃，生长压力为10-5mbar～10-2mbar，激光脉冲频率为2hz～3hz，激光能量密度为1.5j/cm2～2.5j/cm2。
9.如权利要求6所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，采用mocvd生长所述第二缓冲层，所述第二缓冲层的生长温度为800℃～1000℃，生长压力为200torr～300torr。
10.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括如权利要求1～5中任一项所述的发光二极管外延片。
