一种eMMC四角测试方法、装置、可读存储介质及电子设备与流程

    专利2025-05-21  30


    本发明涉及存储器测试,特别是涉及一种emmc四角测试方法、装置、可读存储介质及电子设备。


    背景技术:

    1、emmc(embedded multi media card,嵌入式多媒体卡)的工作原理是通过浮栅晶体管存储电子的方式来存储数据。由于存储器在使用的过程中存在温度以及电压变化,使得其内部存储的电子会受到温度、电压的影响而导致电子逃逸,进而产生数据丢失或出错的风险。

    2、目前对emmc的高低温读写测试场景中,测试平台对vcc(supply voltage fornand)和vccq(supply voltage for i/o)的电压会按照产品数据表(datasheet)标准中范围内的值提供电压,通常vcc和vccq的值为3.3v和1.8v。

    3、通常情况下,测试硬件平台受本身硬件和芯片的因素,存在环境温度的限制。如测试环境条件限制在0-50℃下时,实现拉偏vcc和vccq测试平台无法满足高低温环境下的测试,因而无法实现同时考虑温度和电压的测试压力。

    4、同时,现有高低温读写测试的样式(pattern)一般为固定值。使得传输数据过程中每条总线上传输信号无变化,相邻存储单元的电荷压力较小。即无法全面考虑综合压力场景下的测试,导致即使经过测试,存储器可能仍存在很大使用风险。


    技术实现思路

    1、本发明所要解决的技术问题是:提供一种emmc四角测试方法、装置、可读存储介质及电子,能够更全面的模拟存储器在实际使用场景中出现的问题,实现对存储器进行全面的测试。

    2、为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:

    3、一种emmc四角测试方法,包括:

    4、获取至少两组不同的温度条件,依次在所述温度条件下通过芯片系统级测试中三温测试设备的环境对待测试的存储器进行测试;

    5、获取至少两组不同的电压条件,并依次根据所述电压条件将测试中所述存储器的vcc电压和vccq电压拉偏;

    6、在当前遍历到的所述温度条件以及电压条件下遍历至少两种不同的测试样式的读写压力,若在任一所述测试样式下输出失败,则输出相应的所述温度条件、电压条件以及测试样式;

    7、若所有所述测试样式下均输出成功,则获取下一组所述电压条件进行测试,直至遍历所有所述电压条件以及温度条件。

    8、为了解决上述技术问题,本发明采用的另一技术方案为:

    9、一种emmc四角测试装置,包括:

    10、温度模块,用于获取至少两组不同的温度条件,依次在所述温度条件下通过芯片系统级测试中三温测试设备的环境对待测试的存储器进行测试;

    11、电压模块,用于获取至少两组不同的电压条件,并依次根据所述电压条件将测试中所述存储器的vcc电压和vccq电压拉偏;

    12、测试模块,用于在当前遍历到的所述温度条件以及电压条件下遍历至少两种不同的测试样式的读写压力,若在任一所述测试样式下输出失败,则输出相应的所述温度条件、电压条件以及测试样式;若所有所述测试样式下均输出成功,则获取下一组所述电压条件进行测试,直至遍历所有所述电压条件以及温度条件。

    13、为了解决上述技术问题,本发明采用的另一技术方案为:

    14、一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如上述的一种emmc四角测试方法各个步骤。

    15、为了解决上述技术问题,本发明采用的另一技术方案为:

    16、一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述的一种emmc四角测试方法中的各个步骤。

    17、本发明的有益效果在于:基于芯片系统级测试中三温测试设备的环境下进行测试,使得拉偏vcc和vccq测试平台能够承受住测试所需要温度条件环境,从而能够在在调整温度条件的情况同时对测试所需的电压条件进行整体,实现在测试中温度条件和电压条件的同时调整,即增加了在不同温度条件中对电压拉偏的测试场景;同时,采用不同的测试样式对增加了测试样式对总线的压力,使信号之间的干扰更强;能够更全面的模拟存储器在实际使用场景中出现的问题,实现对存储器进行全面的测试,降低存储器在使用过程中的产生数据丢失的风险。



    技术特征:

    1.一种emmc四角测试方法,其特征在于,包括:

    2.根据权利要求1所述的一种emmc四角测试方法,其特征在于,所述测试样式包括预设数量的测试信息号;

    3.根据权利要求2所述的一种emmc四角测试方法,其特征在于,每一所述测试样式中至少包含一条信号为1或0的所述测试信息号。

    4.根据权利要求1所述的一种emmc四角测试方法,其特征在于,所述获取至少两组不同的温度条件包括:

    5.根据权利要求4所述的一种emmc四角测试方法,其特征在于,所述温度范围为-25℃-85℃,所述温度间隔50℃。

    6.根据权利要求1所述的一种emmc四角测试方法,其特征在于,所述获取至少两组不同的电压条件包括:

    7.根据权利要求6所述的一种emmc四角测试方法,其特征在于,所述vcc电压范围为2.7v-3.6v,所述第一电压间隔为0.1v;

    8.一种emmc四角测试装置,其特征在于,包括:

    9.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-7任意一项所述的一种emmc四角测试方法各个步骤。

    10.一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-7任意一项所述的一种emmc四角测试方法中的各个步骤。


    技术总结
    本发明公开eMMC四角测试方法、装置、可读存储介质及电子设备,包括获取至少两组不同的温度条件,依次在所述温度条件下通过芯片系统级测试中三温测试设备的环境对待测试的存储器进行测试;获取至少两组不同的电压条件,并依次根据所述电压条件将测试中所述存储器的VCC电压和VCCQ电压拉偏;在当前遍历到的所述温度条件以及电压条件下遍历至少两种不同的测试样式的读写压力,若在任一所述测试样式下输出失败,则输出相应的所述温度条件、电压条件以及测试样式;若所有所述测试样式下均输出成功,则获取下一组所述电压条件进行测试,直至遍历所有所述电压条件以及温度条件,实现对存储器进行全面的测试,降低存储器在使用过程中的产生数据丢失的风险。

    技术研发人员:孙成思,何瀚,王灿,张淼
    受保护的技术使用者:成都佰维存储科技有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/4/29
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