从量测数据的源分离的制作方法

    专利2025-05-07  11


    本文中的描述涉及光刻设备和过程,并且更特别地涉及一种用于检查由光刻设备和过程所产生的衬底的工具和方法。


    背景技术:

    1、光刻设备可以用于例如集成电路(ic)或其它器件的制造中。在这样的情况下,图案形成装置(例如,掩模)可以包括或提供对应于装置的单层的电路图案(“设计布局”),并且可以由诸如经由图案形成装置上的电路图案而辐射目标部分的方法将这种电路图案转印至已涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一个或更多个管芯)上。通常,单个衬底包括多个相邻目标部分,电路图案由光刻设备连续地转印至所述多个相邻目标部分,一次一个目标部分。在这种类型的光刻设备中,将整个图案形成装置上的电路图案一次性转印至一个目标部分上;这样的设备通常称作晶片步进器。在通常称作步进扫描设备的替代设备中,投影束在给定参考方向(“扫描”方向)上遍及图案形成装置进行扫描,同时平行或反向平行于这种参考方向而同步地移动衬底。将图案形成装置上的电路图案的不同部分逐步地转印至一个目标部分。

    2、在将电路图案从图案形成装置转印至衬底之前,衬底可以经历各种工序,诸如涂底料、涂覆抗蚀剂和软焙烤。在曝光之后,衬底可以经受其它工序,诸如曝光后焙烤(peb)、显影、硬焙烤和经转印的电路图案的测量/检查。这种工序阵列用作制造器件(例如,ic)的单层的基础。衬底可以接着经历各种工序,诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学-机械抛光等,所述工序都旨在精整器件的单层。如果在器件中需要若干层,则针对每个层可以重复这些工序中的一些或全部或其变体。最终,在衬底上的每个目标部分中将存在器件。如果存在多个器件,则接着由诸如切块或锯切之类的技术将这些器件彼此分离,据此,可以将单独的器件安装在载体上、连接至引脚等。


    技术实现思路

    1、本文中披露了一种用以确定来自统计学独立源即与统计学无关的源的量测贡献的方法,包括提供来自在多个测量设置的情况下所获得的统计学独立源的多个贡献,根据所述贡献确定量测贡献,其中,所述量测贡献是随着所述测量设置变化而具有最小依存性的所述贡献。

    2、本文中披露了一种计算机程序产品,所述计算机程序产品包括其上记录有指令的计算机可读介质,所述指令在由计算机执行时实施上述方法。



    技术特征:

    1.一种确定来自统计学独立源的量测贡献的方法,包括:

    2.根据权利要求1所述的方法,其中,在半导体晶片上的至少一个测量部位处获得所述多个测量设置。

    3.根据权利要求1所述的方法,其中,在每个测量设置的情况下,修改量测工具的特性。

    4.根据权利要求1所述的方法,其中,在每个测量设置的情况下,修改所述半导体晶片在所述测量部位处的特性。

    5.根据权利要求1所述的方法,其中,确定量测贡献包括:确定指示所述统计学独立源的变化的方式的参数。

    6.根据权利要求5所述的方法,其中,在指示所述统计学独立源的变化的方式的所述参数的低于阈值的值处,选择随着所述测量设置变化而具有最小依存性的所述贡献。

    7.根据权利要求6所述的方法,其中,由用户输入确定所述阈值。

    8.根据任一前述权利要求所述的方法,其中,所述测量设置是所述量测工具的波长。

    9.根据任一前述权利要求所述的方法,其中,经由独立成分分析获得提供来自统计学独立源的多个贡献。

    10.根据任一前述权利要求所述的方法,其中,确定所述量测贡献包括:至少两个量测贡献的线性组合。

    11.一种确定光刻过程的所关注的参数的方法,其中,从根据权利要求1所述的量测贡献确定所述所关注的参数。

    12.根据任一前述权利要求所述的方法,包括将所述方法内联为半导体器件制造过程的一部分。

    13.根据权利要求12所述的方法,还包括:

    14.一种计算机程序,包括程序指令,所述程序指令当运行于合适的设备上时能够操作以执行根据权利要求1至11中任一项所述的方法。

    15.一种非暂时性计算机程序载体,包括根据权利要求14所述的计算机程序。


    技术总结
    本文中披露一种确定来自统计学独立源的量测贡献的方法,包括:提供在多个测量设置的情况下从统计学独立源获得的多个贡献,根据所述贡献确定量测贡献,其中,所述量测贡献是随着所述测量设置变化而具有最小依存性的所述贡献。

    技术研发人员:马克·约翰尼斯·努特,S·G·J·马西森,斯科特·安德森·米德尔布鲁克斯,K·巴塔查里亚
    受保护的技术使用者:ASML荷兰有限公司
    技术研发日:
    技术公布日:2024/4/29
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