本技术涉及半导体生产领域，尤其是一种硅片提拉支架以及干燥装置。
背景技术：
1、在现有的硅片干燥工艺中，常采用提拉式干燥槽对硅片进行干燥。具体而言，当硅片完成湿法清洗后，通过提拉支架把硅片慢慢举起脱离液面，在硅片上升的过程中，水会因为表面张力被破坏而脱离硅片表面，从而达到干燥效果。
2、由于提拉支架与硅片之间的夹角为90°，因此，残留的水珠会囤积在提拉支架与硅片的接触点，并因存在较大的表面张力而不易被去除。此时，在干燥工艺完成后，残留的水珠会形成水痕缺陷。此缺陷在被量测时，会被定义为群集缺陷(cluster defect)。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种硅片提拉支架以及干燥装置，以解决残留的水珠在干燥完成后，在硅片表面形成水痕缺陷的问题。
2、为了达到上述目的，本实用新型提供了一种硅片提拉支架，包括：支架本体；
3、所述支架本体用于承载硅片，所述支架本体沿垂直方向可移动，以驱动所述硅片脱离清洗液的液面；
4、所述支架本体与所述硅片的连接处具有连接面，所述连接面与所述硅片之间成角度设置。
5、可选的，所述连接面包括平面或弧面。
6、可选的，所述连接面与所述硅片之间的夹角为α，满足α≥120°。
7、可选的，所述连接面还具有弧面段，所述弧面段设置于所述连接面靠近所述硅片的一端和/或所述连接面远离所述硅片的一端。
8、可选的，所述连接面沿与所述硅片成角度的方向向外凸出或向内凹陷。
9、可选的，所述连接面上的任意一点的切线与所述硅片之间的夹角为β，满足90°＜β＜180°。
10、可选的，120°≤β≤150°。
11、可选的，所述硅片包括测试面和背靠面，所述连接面设置于所述支架本体靠近所述测试面的一侧。
12、可选的，所述硅片提拉支架还包括驱动装置，所述驱动装置设置于所述支架本体靠近所述背靠面的一侧，用于驱动所述支架本体沿垂直方向移动。
13、为了达到上述目的，本实用新型还提供了一种干燥装置，包括：清洗腔体以及如上所述的硅片提拉支架；
14、所述清洗腔体用于容置清洗液和硅片；所述支架本体设置于所述清洗腔体内，并能够沿垂直方向运动，所述支架本体用于承载所述硅片，并驱动所述硅片沿垂直方向移动，以脱离所述清洗液的液面。
15、综上所述，在本实用新型提供的硅片提拉支架以及干燥装置中，硅片提拉支架包括：支架本体；所述支架本体用于承载硅片，所述支架本体沿垂直方向可移动，以驱动所述硅片脱离清洗液的液面；所述支架本体与所述硅片的连接处具有连接面，所述连接面与所述硅片之间成角度设置。
16、如此配置，通过支架本体将硅片脱离清洗液的液面，并利用表面张力梯度将硅片表面的液体拉回液面，以实现硅片的干燥；同时，将硅片与支架本体的连接面与硅片之间成角度设置，使得被表面张力梯度拉回的液体能够自连接面顺利滑落，而不堆积在连接处，降低了在连接处形成水痕缺陷的概率，提升了干燥工艺的效率，也进一步提升了硅片的良率。
1.一种硅片提拉支架，其特征在于，包括：支架本体；
2.如权利要求1所述的硅片提拉支架，其特征在于，所述连接面包括平面或弧面。
3.如权利要求2所述的硅片提拉支架，其特征在于，所述连接面与所述硅片之间的夹角为α，满足α≥120°。
4.如权利要求3所述的硅片提拉支架，其特征在于，所述连接面还具有弧面段，所述弧面段设置于所述连接面靠近所述硅片的一端和/或所述连接面远离所述硅片的一端。
5.如权利要求2所述的硅片提拉支架，其特征在于，所述连接面沿与所述硅片成角度的方向向外凸出或向内凹陷。
6.如权利要求5所述的硅片提拉支架，其特征在于，所述连接面上的任意一点的切线与所述硅片之间的夹角为β，满足90°＜β＜180°。
7.如权利要求6所述的硅片提拉支架，其特征在于，120°≤β≤150°。
8.如权利要求1所述的硅片提拉支架，其特征在于，所述硅片包括测试面和背靠面，所述连接面设置于所述支架本体靠近所述测试面的一侧。
9.如权利要求8所述的硅片提拉支架，其特征在于，所述硅片提拉支架还包括驱动装置，所述驱动装置设置于所述支架本体靠近所述背靠面的一侧，用于驱动所述支架本体沿垂直方向移动。
10.一种干燥装置，其特征在于，包括：清洗腔体以及如权利要求1～9中任一项所述的硅片提拉支架；
