本技术案请求于2021年9月13日提出申请的美国临时申请案第63/243307号的优先权权益，本案是依据其内容，且其内容通过引用整体并入本文。本公开一般涉及可折迭基板及其制造方法，并且更特定为包含从第一主表面凹陷的第一中心表面区域的可折迭基板以及制造可折迭基板的方法。
背景技术：
1、举例而言，玻璃基底基板经常用于显示设备中(例如，液晶显示器(lcd)、电泳显示器(epd)、有机发光二极管显示器(oled)、等离子体显示面板(pdp)、或类似者)。
2、存在开发显示器的可折迭版本以及安装于可折迭显示器上的可折迭保护外罩的期望。可折迭显示器及外罩应该具有良好的抗撞击性及抗穿刺性。同时，可折迭显示器及外罩应该具有较小的最小弯折半径(例如，约10毫米(mm)或更少)。然而，具有较小的最小弯折半径的塑料显示器及外罩倾向于具有较差的抗撞击性及/或抗穿刺性。此外，习知知识表示具有较小的最小弯折半径的超薄玻璃基底片材(例如，约75微米(μm或micron)或更少的厚度)倾向于具有较差的抗撞击性及/或抗穿刺性。此外，具有良好的抗撞击性及/或抗穿刺性的较厚的玻璃基底片材(例如，大于125微米)倾向于具有相对较大的最小弯折半径(例如，约30毫米或更多)。因此，存在开发具有较低的最小弯折半径以及良好的抗撞击性及抗穿刺性的可折迭设备的需要。
技术实现思路
1、本文提出包含可折迭基板的可折迭设备、可折迭基板、及制造包含可折迭基板的可折迭设备与可折迭基板的方法，可折迭基板包含第一部分与第二部分。这些部分可以包含玻璃基底部分及/或陶瓷基底部分，而可以提供良好的尺寸稳定性、机械不稳定性的降低的发生率、良好的抗撞击性、及/或良好的抗穿刺性。第一部分及/或第二部分可以包含玻璃基底部分及/或陶瓷基底部分，玻璃基底部分及/或陶瓷基底部分包含一或更多个压缩应力区，而可以进一步提供增加的抗撞击性及/或增加的抗穿刺性。通过提供包含玻璃基底基板及/或陶瓷基底基板的基板，该基板亦可以提供增加的抗撞击性及/或抗穿刺性，而同时促进良好的折迭性能。在方面中，基板厚度可以足够大(例如，约80微米(micron或μm)至约2毫米)，以进一步增强抗撞击性及抗穿刺性。提供包含中心部分的可折迭基板可以依据中心部分所减少的厚度而实现较小的平行板距离(例如，约10毫米或更少)，中心部分包含少于基板厚度(例如，第一部分的第一厚度及/或第二部分的第二厚度)的中心厚度。
2、在方面中，可折迭设备及/或可折迭基板可以包含多个凹部(例如，从第一主表面凹入第一距离的第一中心表面区域以及从第二主表面凹入第二距离的第二中心表面区域)。提供与第二凹部相对的第一凹部可以提供少于基板厚度的中心厚度。此外，相较于仅提供单一凹部，由于包含中心厚度的中心部分可以更接近可折迭设备及/或可折迭基板的中性轴，所以提供与第二凹部相对的第一凹部可以减少可折迭设备的最大弯折诱发应变(例如，在中心部分与第一部分及/或第二部分之间)。此外，提供基本上等于第二距离的第一距离可以减少中心部分中的机械不稳定性的发生率(例如，因为可折迭基板环绕包含基板厚度与中心厚度的中点的平面而对称)。此外，相较于具有凹入第一距离与第二距离的总和的表面的单一凹部，提供与第二凹部相对的第一凹部可以减少定位于第一凹部及/或第二凹部中的材料的弯折诱发应变。因为对于材料的减少的应变要求，提供定位于第一凹部及/或第二凹部中的材料的降低的弯折诱发应变能够使用更大范围的材料。举例而言，更硬及/或更刚性的材料可以定位在第一凹部中，而可以改善可折迭设备的抗撞击性、抗穿刺性、耐磨性、及/或耐刮擦性。此外，控制定位于第一凹部中的第一材料与定位于第二凹部中的第二材料的性质可以控制可折迭设备及/或可折迭基板的中性轴的位置，而可以减少(例如，减轻、消除)机械不稳定性、设备疲劳、及/或设备破损的发生率。
3、在方面中，可折迭设备及/或可折迭基板可以包含将中心部分附接到第一部分的第一过渡区及/或将中心部分附接到第二部分的第二过渡区。提供具有平滑及/或单调降低(例如，连续降低)厚度的过渡区可以减少过渡区中的应力集中及/或避免光学失真。提供足够长度的过渡区(例如，约0.15mm或更多、或约0.3mm或更多)可以避免由于可折迭基板的厚度的急剧变化而可能存在的光学失真。提供足够长度的过渡区域(例如，约0.3mm或更多)可以降低过渡区的可见度(例如，使用分数强度及/或对比度所测量的)。提供足够小的长度的过渡区(例如，约2mm或更少、或约1mm或更少)可以减少包含可能具有减少的抗撞击性及/或减少的抗穿刺性的中间厚度的可折迭设备及/或可折迭基板的量。提供足够大的相对于第一中心表面区域的第一过渡区的第一过渡表面区域的平均过渡角度(例如，约167°或更多、或约170°或更多)可以避免光学失真及/或降低过渡区的可见度。提供足够小的平均过渡角度(例如，约179°或更少、或约176°或更少)可以减少包含可能具有减少的抗撞击性及/或减少的抗穿刺性的中间厚度的可折迭设备及/或可折迭基板的量。
4、本公开的方面的方法能够使用蚀刻掩模及蚀刻剂来形成过渡区。在蚀刻掩模的周边部分处提供包含聚合物层的蚀刻掩模能够形成具有可以大于比较蚀刻掩模(参见实例aa-cc)的过渡宽度(例如，约0.15mm或更多、或约0.3mm或更多)及/或平均过渡角度(例如，约167°或更多、或约170°或更多)的过渡区。不希望受到理论的束缚，聚合物层可以在蚀刻期间偏转远离可折迭基板，以让蚀刻剂能够进入聚合物层会接触的可折迭基板的附加部分。尽管蚀刻剂可以通过聚合物层的偏转而接触可折迭基板的附加部分，但是蚀刻剂朝向附加部分的扩散受到限制，限制了附加部分的蚀刻程度，而产生过渡区。在方面中，可以使用具有与聚合物层对应的空间的第一带在可折迭基板的表面上形成聚合物层，而能够使得可靠地形成较小宽度(例如，约700μm)的聚合物层以及准确定位聚合物层。在方面中，可以通过在包含设置在阻隔层及背衬层上的聚合物层的组件中放置多个切口，然后在将组件设置在可折迭基板上之前移除组件的部分来形成蚀刻掩模，而可以实现聚合物基底部分的可靠间距。
5、在方面中，方法可以包含使用具有可折迭基板与蚀刻掩模的周边部分之间的间隙的蚀刻掩模，而能够形成具有可以大于比较蚀刻掩模(参见实例aa-cc)的过渡宽度(例如，约0.15mm或更多、或约0.3mm或更多)及/或平均过渡角度(例如，约167°或更多、或约170°或更多)的过渡区。不希望受到理论的束缚，间隙可以使蚀刻剂接触可折迭基板的一部分，但是蚀刻剂朝向附加部分的扩散受到限制，限制了附加部分的蚀刻程度，而产生过渡区。组合在蚀刻期间中可以偏转远离可折迭基板的第一聚合物层或第二聚合物层，而让蚀刻剂能够接触聚合物层可能接触的可折迭基板的附加部分，而能够进一步降低蚀刻剂的扩散，并实现更长的过渡区。在方面中，可以使用至少二个聚合物层来形成间隙。在方面中，可以使用至少二个正光致抗蚀剂层来形成间隙。
6、在理解各种方面的特征中的任一者可以单独或组合使用的情况下，本公开的一些示例性方面是描述于下。
7、方面1：一种可折迭基板，包含：
8、一基板厚度，在定义于一第一主表面以及与该第一主表面相对的一第二主表面之间的约100微米至约2毫米的一范围内；
9、一第一部分，包含在该第一主表面的一第一表面区域与该第二主表面的一第二表面区域之间的该基板厚度；
10、一第二部分，包含在该第一主表面的一第三表面区域与该第二主表面的一第四表面区域之间的该基板厚度；以及
11、一中心部分，包含：
12、一中心厚度，定义于一第一中心表面区域以及与该第一中心表面区域相对的一第二中心表面区域之间，并且在约25微米至约80微米的一范围内，以及第一中心表面区域从该第一主表面凹入一第一距离；
13、一第一过渡区，包含在该第一表面区域与该第一中心表面区域之间以相对于该第一中心表面区域的一第一平均角度延伸的一第一过渡表面区域，以及该第一过渡区的一厚度在该第一部分的该基板厚度与该中心部分的该中心厚度之间平滑且单调地降低；以及
14、一第二过渡区，包含在该第三表面区域与该第一中心表面区域之间以相对于该第一中心表面区域的一第三平均角度延伸的一第三过渡表面区域，以及该第二过渡区的一厚度在该第二部分的该基板厚度与该中心部分的该中心厚度之间平滑且单调地降低，
15、其中该第一平均角度是在约167°至约179°的一范围内。
16、方面2：如方面1所述的可折迭基板，其中第三平均角度基本上等于第一平均角度。
17、方面3：如方面1-2中的任一者所述的可折迭基板，其中第一平均角度是在约170°至约176°的范围内。
18、方面4：如方面1-3中的任一者所述所述的可折迭基板，其中第二中心表面区域从第二主表面凹入第二距离，第一过渡区包含在第二表面区域与第二中心表面区域之间以相对于第二中心表面区域的第二平均角度延伸的第二过渡表面区域，第二过渡区包含在第四表面区域与第二中心表面区域之间以相对于第二中心表面区域的第四平均角度延伸的第四过渡表面区域，以及第二平均角度是在约167°至约179°的范围内。
19、方面5：如方面4所述的可折迭基板，其中第四平均角度基本上等于第二平均角度。
20、方面6：如方面4-5中的任一者所述的可折迭基板，其中第二平均角度是在约170°至约176°的范围内。
21、方面7：如方面1-3中的任一者所述的可折迭基板，其中第一过渡区的第一过渡宽度是在约150微米至约700微米的范围内。
22、方面8：一种可折迭基板，包含：
23、一基板厚度，在定义于一第一主表面以及与该第一主表面相对的一第二主表面之间的约100微米至约2毫米的一范围内；
24、一第一部分，包含在该第一主表面的一第一表面区域与该第二主表面的一第二表面区域之间的该基板厚度；
25、一第二部分，包含在该第一主表面的一第三表面区域与该第二主表面的一第四表面区域之间的该基板厚度；以及
26、一中心部分，包含：
27、一中心厚度，定义于一第一中心表面区域以及与该第一中心表面区域相对的一第二中心表面区域之间，并且在约25微米至约80微米的一范围内，以及第一中心表面区域从该第一主表面凹入一第一距离；
28、一第一过渡区，包含在该第一表面区域与该第一中心表面区域之间延伸的一第一过渡表面区域，以及该第一过渡区的一厚度在该第一部分的该基板厚度与该中心部分的该中心厚度之间平滑且单调地降低；以及
29、一第二过渡区，包含在该第三表面区域与该第一中心表面区域之间延伸的一第三过渡表面区域，以及该第二过渡区的一厚度在该第二部分的该基板厚度与该中心部分的该中心厚度之间平滑且单调地降低，
30、其中第一过渡区的第一过渡宽度是在约150微米至约700微米的范围内。
31、方面9：如方面8所述的可折迭基板，其中第二中心表面区域从第二主表面凹入第二距离，第一过渡区包含在第二表面区域与第二中心表面区域之间延伸的第二过渡表面区域，第二过渡区包含在第四表面区域与第二中心表面区域之间延伸的第四过渡表面区域，以及第二过渡区的第二过渡宽度基本上等于第一过渡宽度。
32、方面10：如方面7-9中的任一者所述的可折迭基板，其中第一过渡宽度是在约200微米至约500微米的范围内。
33、方面11：如方面1-10中的任一者所述的可折迭基板，其中可折迭基板包含使用明场透射所测量的在1.0至约1.02的范围内的最大分数强度。
34、方面12：如方面1-10中的任一者所述的可折迭基板，其中可折迭基板包含定义为使用明场透射所测量的最大分数强度与最小分数强度之间的差除以最大分数强度与最小分数强度的和的在0至约0.02的范围内的对比度。
35、方面13：如方面1-10中的任一者所述的可折迭基板，其中可折迭基板包含使用暗场反射所测量的在1.0至约1.1的范围内的最大分数强度。
36、方面14：如方面1-10中的任一者所述的可折迭基板，其中可折迭基板包含定义为使用暗场反射所测量的最大分数强度与最小分数强度之间的差除以最大分数强度与最小分数强度的和的在0至约0.6的范围内的对比度。
37、方面15：如方面1-10中的任一者所述的可折迭基板，其中该基板厚度是在约125微米至约200微米的一范围内。
38、方面16：如方面1-15中的任一者所述的可折迭基板，其中该中心厚度是在约25微米至约60微米的一范围内。
39、方面17：如方面1-16中的任一者所述的可折迭基板，其中该可折迭基板包含一玻璃基底基板。
40、方面18：如方面1-17中的任一者所述的可折迭基板，其中该可折迭基板包含一陶瓷基底基板。
41、方面19：如方面1-18中的任一者所述的可折迭基板，其中该第二距离是为该基板厚度的约5％至约20％。
42、方面20：如方面1-19中的任一者所述的可折迭基板，其中该第一距离基本上等于该第二距离。
43、方面21：如方面1-20中的任一者所述的可折迭基板，其中该第一距离是为该基板厚度的约20％至约45％。
44、方面22：如方面1-21中的任一者所述的可折迭基板，其中该可折迭基板实现10毫米的一平行板距离。
45、方面23：如方面1-22中的任一者所述的可折迭基板，其中该可折迭基板包含在约2毫米至约10毫米的一范围内的一最小平行板距离。
46、方面24：一种制造包含一基板厚度的一可折迭基板的方法，该方法包含：
47、在该可折迭基板的一第一主表面上方设置一蚀刻掩模，该蚀刻掩模包含：
48、一第一部分，包含至少部分粘附至该第一主表面的一第一阻隔层，一第一聚合物层是定位于该第一部分的一第一周边部分处的该第一阻隔层与该第一主表面之间，该第一聚合物层的一第一接触表面粘附至该第一阻隔层，而该第一聚合物层的一第二接触表面是面向该第一主表面；以及
49、一第二部分，包含至少部分粘附至该第一主表面的一第二阻隔层，一第二聚合物层是定位于该第二部分的一第二周边部分处的该第二阻隔层与该第一主表面之间，该第二聚合物层的一第三接触表面粘附至该第二阻隔层，而该第二聚合物层的一第四接触表面是面向该第一主表面，该第一周边部分与该第二周边部分之间的一最小距离是在约1mm至约50mm的一范围内；
50、通过接触该蚀刻掩模的该第一部分与该蚀刻掩模的该第二部分之间的该可折迭基板的一中心部分的一中心区域来蚀刻该可折迭基板，该蚀刻移除该可折迭基板的一部分，以形成从该第一主表面凹入一第一距离的一第一中心表面区域，该蚀刻移除该可折迭基板的一部分，以形成一第一过渡区的一第一过渡表面区域，以及该蚀刻移除该可折迭基板的一部分，以形成一第二过渡区的一第三过渡表面区域；以及
51、移除该蚀刻掩模，
52、其中该第一过渡区的一第一过渡宽度是大于或等于该第一聚合物层的一第一宽度，该第二过渡区的一第二过渡宽度是大于或等于该第二聚合物层的一第二宽度，该中心部分包含该第一过渡区、该中心区、及该第二过渡区，以及该第一宽度是在约100微米至约3毫米的一范围内，而该第二宽度是在约100微米至约3毫米的一范围内。
53、方面25：如方面24所述的方法，其中第一过渡区的厚度在第一部分的基板厚度与中心部分的中心厚度之间平滑且单调地降低。
54、方面26：如方面24-25中的任一者所述的方法，其中第一过渡宽度是在约150微米至约1毫米的范围内，以及第二过渡宽度是在约150微米至约1毫米的范围内。
55、方面27：如方面26所述的方法，其中第一过渡宽度是在约150微米至约500微米的范围内，以及第二过渡宽度是在约150微米至约500微米的范围内。
56、方面28：如方面24-27中的任一者所述的方法，其中第一过渡区包含在第一主表面与第一中心表面区域之间以相对于第一中心表面区域的第一平均角度延伸的第一过渡表面区域，第二过渡区包含在第一主表面与第一中心表面区域之间以相对于第一中心表面区域的第三平均角度延伸的第三过渡表面区域，以及第一平均角度是在约167°至约179°的范围内。
57、方面29：一种制造包含一基板厚度的一可折迭基板的方法，该方法包含：
58、在该可折迭基板的一第一主表面上方设置一蚀刻掩模，该蚀刻掩模包含：
59、一第一部分，包含至少部分粘附至该第一主表面的一第一阻隔层，一第一聚合物层是定位于该第一部分的一第一周边部分处的该第一阻隔层与该第一主表面之间，该第一聚合物层包含一第一宽度，该第一聚合物层的一第一接触表面粘附至该第一阻隔层，而该第一聚合物层的一第二接触表面是面向该第一主表面；以及
60、一第二部分，包含至少部分粘附至该第一主表面的一第二阻隔层，一第二聚合物层是定位于该第二部分的一第二周边部分处的该第二阻隔层与该第一主表面之间，该第二聚合物层包含一第二宽度，该第二聚合物层的一第三接触表面粘附至该第二阻隔层，而该第二聚合物层的一第四接触表面是面向该第一主表面，该第一周边部分与该第二周边部分之间的一最小距离是在约1mm至约50mm的一范围内；
61、通过接触该蚀刻掩模的该第一部分与该蚀刻掩模的该第二部分之间的该可折迭基板的一中心部分的一中心区域来蚀刻该可折迭基板，该蚀刻移除该可折迭基板的一部分，以形成从该第一主表面凹入一第一距离的一第一中心表面区域，该蚀刻移除该可折迭基板的一部分，以形成一第一过渡区的一第一过渡表面区域，以及该蚀刻移除该可折迭基板的一部分，以形成一第二过渡区的一第三过渡表面区域；以及
62、移除该蚀刻掩模，
63、其中该第一过渡区包含在该第一主表面与该第一中心表面区域之间以相对于该第一中心表面区域的一第一平均角度延伸的一第一过渡表面区域，该第二过渡区包含在该第一主表面与该第一中心表面区域之间以相对于该第一中心表面区域的一第三平均角度延伸的一第三过渡表面区域，该中心部分包含该第一过渡区、该中心区、及该第二过渡区，以及该第一平均角度是在约167°至约179°的一范围内。
64、方面30：如方面28-29中的任一者所述的方法，其中第三平均角度基本上等于第一平均角度。
65、方面31：如方面28-30中的任一者所述的方法，其中第一平均角度是在约170°至约176°的范围内。
66、方面32：如方面24-31中的任一者所述的方法，其中设置蚀刻掩模包含：
67、在该基板的该第一主表面上方设置一第一带；
68、通过移除包含一第一宽度的该第一带的一第一区段来建立一第一空间；
69、将一第一聚合物片材设置在该第一主表面上方，该第一聚合物片材的一第一部分设置在该第一空间中，以及该第一聚合物片材的一第二部分是在该第一带上方延伸；
70、移除该第一聚合物片材的该第二部分，以形成该第一聚合物层；
71、移除该第一带；以及
72、将该第一阻隔层设置在该第一主表面与该第一聚合物层上方。
73、方面33：如方面32所述的方法，其中设置蚀刻掩模进一步包含：
74、通过移除包含一第二宽度的该第一带的一第二区段来建立一第二空间；
75、将一第二聚合物层设置在该第一主表面上方，该第二聚合物层的一第三部分设置在该第二空间中，以及该第二聚合物层的一第四部分是在该第一带上方延伸；
76、移除该第二聚合物层的该第四部分；以及
77、在移除该第一带之后，将该第二阻隔层设置在该第一主表面与该第二聚合物层上方。
78、方面34：如方面24-33中的任一者所述的方法，其中第一宽度是在约100微米至约700微米的范围内，以及第二宽度是在约100微米至约700微米的范围内。
79、方面35：如方面34所述的方法，其中第一宽度是在约100微米至约500微米的范围内，以及第二宽度是在约100微米至约500微米的范围内。
80、方面36：如方面24-31中的任一者所述的方法，其中设置蚀刻掩模包含：
81、通过将一聚合物片材设置在一阻隔片材上并将该阻隔片材设置在一背衬层上，以形成一组件；
82、在一第一位置及该一第二位置处切割通过该聚合物片材与该阻隔片材，该第一位置与该第二位置分开该最小距离；
83、在与该第一位置分开该第一宽度的一第三位置处切割通过该聚合物片材；
84、在与该第二位置分开该第二宽度的一第四位置处切割通过该聚合物片材；
85、移除包含该最小距离的该第一位置与该第二位置之间的该聚合物片材与该阻隔片材的一部分，以从该阻隔片材形成该第一阻隔层与该第二阻隔层；
86、移除从该第三位置延伸的该聚合物片材的一部分，以形成该第一聚合物层；
87、移除从该第四位置延伸的该聚合物片材的一部分，以形成该第二聚合物层；
88、将该组件设置在该第一主表面上；以及
89、移除该背衬层。
90、方面37：如方面24-36中的任一者所述的方法，进一步包含：
91、在该蚀刻之前，在该可折迭基板的一第二主表面上方设置一第二蚀刻掩模，该第二蚀刻掩模包含：
92、一第三部分，包含至少部分粘附至该第二主表面的一第三阻隔层，一第三聚合物层是定位于该第三部分的一第三周边部分处的该第三阻隔层与该第二主表面之间，该第三聚合物层的一第五接触表面粘附至该第三阻隔层，而该第三聚合物层的一第六接触表面是面向该第二主表面；以及
93、一第四部分，包含至少部分粘附至该第二主表面的一第四阻隔层，一第四聚合物层是定位于该第四部分的一第四周边部分处的该第四阻隔层与该第二主表面之间，该第四聚合物层的一第七接触表面粘附至该第四阻隔层，而该第四聚合物层的的第八接触表面是面向该第二主表面，该第三周边部分与该第四周边部分之间的一最小距离是在约1mm至约50mm的一范围内；
94、该蚀刻进一步包含：接触该第二蚀刻掩模的该第三部分与该第二蚀刻掩模的该第四部分之间的该可折迭基板的该中心部分的该中心区域，该蚀刻移除该可折迭基板的一部分，以形成从该第二主表面凹入一第二距离的一第二中心表面区域，该蚀刻移除该可折迭基板的一部分，以形成该第一过渡区的一第二过渡表面区域，以及该蚀刻移除该可折迭基板的一部分，以形成该第二过渡区的一第四过渡表面区域；以及
95、在该蚀刻之后，移除该第二蚀刻掩模，
96、其中该第三聚合物层的一第三宽度是在约100微米至约3毫米的范围内，以及第四聚合物层的一第四宽度是在约100微米至约3毫米的范围内。
97、方面38：如方面37所述的方法，其中第三宽度基本上等于第一宽度，而第四宽度基本上等于第一宽度。
98、方面39：如方面37-38中的任一者所述的方法，其中第一过渡区包含在第二主表面与第二中心表面区域之间以相对于第二中心表面区域的第二平均角度延伸的第二过渡表面区域，第二过渡区包含在第二主表面与第二中心表面区域之间以相对于第一中心表面区域的第四平均角度延伸的第四过渡表面区域，以及第四平均角度是在约167°至约179°的范围内。
99、方面40：如方面39所述的方法，其中第四平均角度基本上等于第二平均角度。
100、方面41：如方面39-40中的任一者所述的方法，其中第三平均角度是在约170°至约176°的范围内。
101、方面42：如方面37-41中的任一者所述的方法，其中定义于第一中心表面区域与第二中心表面区域之间的可折迭基板的中心厚度是在约25微米至约80微米的范围内。
102、方面43：如方面37-42中的任一者所述的方法，其中该第二距离是为该基板厚度的约5％至约20％。
103、方面44：如方面37-43中的任一者所述的方法，其中该第一距离基本上等于该第二距离。
104、方面45：如方面24-44中的任一者所述的方法，其中：
105、第一蚀刻掩模进一步包含第五聚合物层，第五聚合物层从第一周边部分凹陷，并定位于第一聚合物层与第一主表面之间，以在第一聚合物层的第二接触表面与第一主表面之间形成第一间隙，第五聚合物层的第九接触表面是部分粘附于第一阻隔，第五聚合物层的第十接触表面是面向第一主表面；以及
106、第二蚀刻掩模进一步包含第六聚合物层，第六聚合物层从第二周边部分凹陷，并定位于第二聚合物层与第一主表面之间，以在第二聚合物层的第四接触表面与第一主表面之间形成第二间隙，第六聚合物层的第十一接触表面是部分粘附于第二阻隔，第六聚合物层的第十二接触表面是面向第一主表面。
107、方面46：如方面45所述的方法，其中第一间隙基本上等于第五聚合物层的第五厚度，第二间隙基本上等于第六聚合物层的第六厚度，第五厚度是在约20微米至约200微米的范围内，第六厚度是在约20微米至约200微米的范围内。
108、方面47：如方面45-46中的任一者所述的方法，其中第五聚合物层从第一周边部分凹入约500微米至约2毫米。
109、方面48：如方面24-47中的任一者所述的方法，其中第一阻隔层包含聚合物带，而第二阻隔层包含聚合物带。
110、方面49：如方面48所述的方法，其中聚合物带包含具有聚酰亚胺的聚合物层以及具有硅树脂的粘合剂膜。
111、方面50：如方面24-49中的任一者所述的方法，其中第一聚合物层包含聚(对苯二甲酸乙二酯)，而第二聚合物层包聚(对苯二甲酸乙二酯)。
112、方面51：一种制造包含一基板厚度的一可折迭基板的方法，该方法包含：
113、在该可折迭基板的一第一主表面上方设置一蚀刻掩模，该蚀刻掩模包含：
114、在第一主表面上方设置正光致抗蚀剂的第一层；
115、照射包含第一宽度的第一层的第一部分；然后
116、在第一层上方设置正光致抗蚀剂的第二层；
117、照射包含第二宽度的第二层的第二部分，第二宽度是在约1毫米至约50毫米的范围内，第二宽度是少于第一宽度，而第二部分是位于第一部分的中心内；以及
118、移除第二层的第二部分与第一层的第一部分，以形成利用等于第二宽度的最小距离分开的蚀刻掩模的第一部分与蚀刻掩模的第二部分；
119、通过接触该蚀刻掩模的该第一部分与该蚀刻掩模的该第二部分之间的该可折迭基板的一中心部分的一中心区域来蚀刻该可折迭基板，该蚀刻移除该可折迭基板的一部分，以形成从该第一主表面凹入一第一距离的一第一中心表面区域，该蚀刻移除该可折迭基板的一部分，以形成一第一过渡区的一第一过渡表面区域，以及该蚀刻移除该可折迭基板的一部分，以形成一第二过渡区的一第三过渡表面区域；以及
120、移除该蚀刻掩模，
121、其中第一过渡区包含在第一主表面与第一中心表面区域之间以相对于第一中心表面区域的第一平均角度延伸的第一过渡表面区域，中心部分包含第一过渡区、中心区、及第二过渡区，而第二过渡区包含在第一主表面与第一中心表面区域之间以相对于第一中心表面区域的第三平均角度延伸的第三过渡表面区域。
122、方面52：如方面51所述的方法，其中第一层的厚度是在约20微米至约200微米的范围内。
123、方面53：如方面51-52中的任一者所述的方法，其中第二宽度是比第一宽度更少约1毫米至约4毫米。
124、方面54：如方面51-53中的任一者所述的方法，其中第一平均角度是在约167°至约179°的范围内。
125、方面55：如方面51-54中的任一者所述的方法，其中第三平均角度基本上等于第一平均角度。
126、方面56：如方面51-55中的任一者所述的方法，其中第一平均角度是在约170°至约176°的范围内。
127、方面57：如方面51-56中的任一者所述的方法，其中第一过渡区的第一过渡宽度是在约150微米至约700微米的范围内。
128、方面58：如方面57所述的方法，其中第一过渡宽度是在约200微米至约500微米的范围内。
129、方面59：如方面24-58中的任一者所述的方法，其中可折迭基板包含使用明场透射所测量的在1.0至约1.02的范围内的最大分数强度。
130、方面60：如方面24-58中的任一者所述的方法，其中可折迭基板包含定义为使用明场透射所测量的最大分数强度与最小分数强度之间的差除以最大分数强度与最小分数强度的和的在0至约0.02的范围内的对比度。
131、方面61：如方面24-58中的任一者所述的方法，其中可折迭基板包含使用暗场反射所测量的在1.0至约1.1的范围内的最大分数强度。
132、方面62：如方面24-58中的任一者所述的方法，其中可折迭基板包含定义为使用暗场反射所测量的最大分数强度与最小分数强度之间的差除以最大分数强度与最小分数强度的和的在0至约0.6的范围内的对比度。
133、方面63：如方面24-62中的任一者所述的方法，进一步包含：在设置蚀刻掩模之前，针对可折迭基板进行化学强化，以形成从第一主表面延伸至从第一主表面起的初始第一压缩深度的初始第一压缩应力区，以及从第二主表面延伸至从第二主表面起的初始第二压缩深度的初始第二压缩应力区。
134、方面64：如方面63所述的方法，其中初始第一压缩深度是少于第一距离。
135、方面65：如方面63-64中的任一者所述的方法，其中初始第一压缩深度除以基板厚度是在约10％至约20％的范围内。
136、方面66：如方面63-65中的任一者所述的方法，其中在化学强化之前，可折迭基板基本上未经强化。
137、方面67：如方面24-66中的任一者所述的方法，进一步包含：在移除蚀刻掩模之后，进一步针对可折迭基板进行化学强化。
138、方面68：如方面24-67中的任一者所述的方法，其中该第一距离是为该基板厚度的约20％至约45％。
139、方面69：如方面24-68中的任一者所述的方法，其中基板厚度是在约125微米至约200微米的范围内。
140、方面70：如方面24-69中的任一者所述的方法，其中可折迭基板包含玻璃基底基板。
141、方面71：如方面24-69中的任一者所述的方法，其中可折迭基板包含陶瓷基底基板。
142、方面72：如方面24-71中的任一者所述的方法，其中可折迭基板实现10毫米的平行板距离。
143、方面73：如方面24-72中的任一者所述的方法，其中可折迭基板包含在约2毫米至约10毫米的范围内的最小平行板距离。
144、方面74：如方面24-73中的任一者所述的方法，其中蚀刻剂包含酸。
145、方面75：如方面74所述的方法，其中酸包含氢氟酸。
1.一种可折迭基板，包含：
2.如权利要求1所述的可折迭基板，其中所述第一平均角度是在约170°至约176°的范围内。
3.如权利要求1-2中的任一者所述的可折迭基板，其中所述第一过渡区的第一过渡宽度是在约150微米至约700微米的范围内。
4.如权利要求1-3中的任一者所述的可折迭基板，其中所述可折迭基板包含使用明场透射所测量的在1.0至约1.02的范围内的最大分数强度。
5.如权利要求1-3中的任一者所述的可折迭基板，其中所述可折迭基板包含定义为使用明场透射所测量的最大分数强度与最小分数强度之间的差除以所述最大分数强度与所述最小分数强度的和的在0至约0.02的范围内的对比度。
6.如权利要求1-3中的任一者所述的可折迭基板，其中所述可折迭基板包含使用暗场反射所测量的在1.0至约1.1的范围内的最大分数强度。
7.如权利要求1-3中的任一者所述的可折迭基板，其中所述可折迭基板包含定义为使用暗场反射所测量的最大分数强度与最小分数强度之间的差除以所述最大分数强度与所述最小分数强度的和的在0至约0.6的范围内的对比度。
8.如权利要求1-7中的任一者所述的可折迭基板，其中所述可折迭基板包含玻璃基底基板或陶瓷基底基板。
9.如权利要求1-8中的任一者所述的可折迭基板，其中所述可折迭基板实现10毫米的平行板距离。
10.如权利要求1-9中的任一者所述的可折迭基板，其中所述可折迭基板包含在约2毫米至约10毫米的范围内的最小平行板距离。
11.一种制造包含基板厚度的可折迭基板的方法，所述方法包含：
12.如权利要求11所述的方法，其中所述第一过渡区的第一过渡宽度是大于或等于所述第一聚合物层的第一宽度，所述第二过渡区的第二过渡宽度是大于或等于所述第二聚合物层的第二宽度，所述中心部分包含所述第一过渡区、所述中心区、及所述第二过渡区，以及所述第一宽度是在约100微米至约3毫米的范围内，而所述第二宽度是在约100微米至约3毫米的范围内。
13.如权利要求11-12中的任一者所述的方法，其中所述第一过渡区的厚度在所述第一部分的所述基板厚度与所述中心部分的中心厚度之间平滑且单调地降低。
14.如权利要求11-13中的任一者所述的方法，其中所述第一平均角度是在约170°至约176°的范围内。
15.如权利要求11-14中的任一者所述的方法，其中设置所述蚀刻掩模包含：
16.如权利要求11-14中的任一者所述的方法，其中设置所述蚀刻掩模包含：
17.如权利要求11-16中的任一者所述的方法，其中所述可折迭基板包含使用明场透射所测量的在1.0至约1.02的范围内的最大分数强度。
18.如权利要求11-16中的任一者所述的方法，其中所述可折迭基板包含定义为使用明场透射所测量的最大分数强度与最小分数强度之间的差除以所述最大分数强度与所述最小分数强度的和的在0至约0.02的范围内的对比度。
19.如权利要求11-16中的任一者所述的方法，其中所述可折迭基板包含使用暗场反射所测量的在1.0至约1.1的范围内的最大分数强度。
20.如权利要求11-16中的任一者所述的方法，其中所述可折迭基板包含定义为使用暗场反射所测量的最大分数强度与最小分数强度之间的差除以所述最大分数强度与所述最小分数强度的和的在0至约0.6的范围内的对比度。
