本发明关于一种量子点发光二极管及其制备方法，于量子点发光层内添加热活化延迟荧光材料，以提高量子点发光二极管的发光效率。
背景技术：
1、量子点(quantum dot)为一种纳米微晶体半导体材料，不同组成与大小的量子点可被相同的激发光源激发，而放出不同波长的光线，因此量子点可应用于制备屏幕显示器，例如将光致发光量子点设置于液晶显示器(lcd)的背光模块，以得到更佳的背光利用率，又例如使用电致发光量子点制备量子点发光二极管(qled)。
2、如中国台湾tw 202032810(a)号公开案所揭露的量子点发光二极管，其结构可包含第一电极，依序安置于第一电极上的量子点发光层、电子传递层、电子分散层及第二电极；又如中国台湾tw 202044608(a)号公开案揭露的量子点发光二极管，其结构则是包含了第一电极、依序安置于该第一电极上的电洞注入层、包含zns的电洞传递层、量子点发光层及第二电极；即目前的量子点发光二极管的大致结构相似，但会于各层结构内进行改良，以提高量子点发光二极管的性能。目前量子点发光二极管的量子点发光层，使用的材料具有较大的最高占据分子轨域(highest occupied molecular orbital)，因此在能量的转移上具有较大的能障，容易导致不平衡的电子和电洞注入；而不平衡的电子和电洞注入，会导致电子溢流以及非辐射欧杰复合(non-radiative auger recombination)，进而导致量子点发光二极管的发光效率衰减。
技术实现思路
1、发明人鉴于现有量子点发光二极管于实际使用仍有不足之处，于是乃一本孜孜不倦的精神，并通过其丰富专业知识及多年的实务经验所辅佐，而加以改善，并据此研创出本发明。
2、本发明关于一种量子点发光二极管及其制备方法，量子点发光二极管包含第一电极，以及依序设置于第一电极上的电洞注入层，电洞传输层，量子点发光层，电子传输层以及一第二电极，其中，所述量子点发光层包含一主体材料以及1wt％-10wt％的热活化延迟荧光材料(thermally activated delayed fluorescence，后简称tadf)。
3、本发明高效率量子点发光二极管的制备方法包含：步骤一，取一玻璃基板，并于玻璃基板上设置一透明导电薄膜以获得第一电极，再于第一电极的透明导电薄膜上涂布一电洞注入层；步骤二，于电洞注入层上涂布电洞传输层；步骤三，于电洞传输层上涂布量子点发光层，其中量子点发光层包含一主体材料与1wt％-10wt％的热活化延迟荧光材料；以及步骤四，于量子点发光层上涂布电子传输层，再于电子传输层上设置一第二电极。
4、于本发明的一实施例中，量子点发光层的所述主体材料为硒化镉/硫化锌(cdse/zns)，且所述热活化延迟荧光材料为ddcztrz(9,9',9”,9”'-((6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diyl)bis(benzene-5,3,1-triyl))tetrakis(9h-carbazole))。
5、于本发明的一实施例中，透明导电薄膜为氧化铟锡(ito)薄膜，所述电洞注入层是以聚3,4-乙烯二氧噻吩与聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)制备，所述电洞传输层是以聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺(poly(4-butylphenyldiphenylamine，后简称poly-tpd)制备，且所述电子传输层是以纳米氧化锌所制备。
6、于本发明的一实施例中，量子点发光层的粗糙度的均方根(root mean square)介于1.5-2.5nm。
7、于本发明的一实施例中，量子点发光二极管的驱动电压介于3-4伏特，最大亮度介于20000-60000cd/m2，最大电流效率介于10-30cd/a，以及最高能量效率介于5-15lm/w。
8、由此，本发明的量子点发光二极管，于量子点发光层中加入热活化延迟荧光材料，可提高量子点发光二极管的发光效率，且制得的量子点发光层表面更为光滑，也有助于降低激子淬灭。
1.一种量子点发光二极管，包含依序设置的一第一电极，一电洞注入层，一电洞传输层，一量子点发光层，一电子传输层以及一第二电极，其中，所述量子点发光层包含一主体材料与1wt％-10wt％的热活化延迟荧光材料，且所述量子点发光二极管的驱动电压介于3-4伏特，最大亮度介于20000-60000cd/m2，最大电流效率介于10-30cd/a，以及最高能量效率介于5-15lm/w。
2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其中，所述量子点发光层的所述主体材料为硒化镉/硫化锌，且所述热活化延迟荧光材料为ddcztrz。
3.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其中，所述第一电极包含一基板与一氧化铟锡薄膜，所述电洞注入层是以聚3,4-乙烯二氧噻吩与聚苯乙烯磺酸盐制备，所述电洞传输层是以聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺制备，且所述电子传输层是以纳米氧化锌所制备。
4.如权利要求3所述的量子点发光二极管，其中，所述量子点发光层的粗糙度的均方根介于1.5-2.5nm。
5.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其中，所述量子点发光层的粗糙度的均方根介于1.5-2.5nm。
6.一种量子点发光二极管的制备方法，包含：
7.如权利要求6所述的制备方法，其中，所述量子点发光层的所述主体材料为硒化镉/硫化锌，且所述热活化延迟荧光材料为ddcztrz。
8.如权利要求6或7所述的制备方法，其中，所述透明导电薄膜为氧化铟锡薄膜，所述电洞注入层是以聚3,4-乙烯二氧噻吩与聚苯乙烯磺酸盐制备，所述电洞传输层是以聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺制备，且所述电子传输层是以纳米氧化锌所制备。
9.如权利要求8所述的制备方法，其中，所述量子点发光层的粗糙度的均方根介于1.5-2.5nm。
10.如权利要求6或7所述的制备方法，其中，所述量子点发光层的粗糙度的均方根介于1.5-2.5nm。
