本公开涉及平坦化装置，更具体地，涉及通过调制(modulating)薄膜来控制掩模与基板之间的气氛(atmosphere)的平坦化。
背景技术：
1、压印技术和平坦化技术可用于制造半导体器件。例如，用于制造半导体器件的处理包括反复向基板添加材料和从基板移除材料。该处理可以产生具有不规则高度变化(即形貌)的分层基板，并且随着添加更多的层，基板高度变化可以增加。高度变化对向分层基板添加更多层的能力具有负面影响。另外，半导体基板(例如，硅晶片)本身并不总是完全平坦的，并且可能包括初始表面高度变化(即，形貌)。解决这个问题的一种方法是在分层步骤之间使基板平坦化。各种光刻图案化方法受益于在平坦表面上的图案化。在基于arf激光的光刻中，平坦化改进聚焦深度(dof)、临界尺寸(cd)和临界尺寸均匀性。在极紫外光刻(euv)中，平坦化改进特征放置(feature placement)和dof。在纳米压印光刻(nil)中，平坦化改进图案转印后的特征填充和cd控制。
2、有时被称为基于喷墨的自适应平坦化(iap)的平坦化技术涉及在基板和覆板(superstrate)之间分配可聚合材料的可变液滴图案，其中液滴图案根据基板形貌而变化。然后使覆板与可聚合材料接触，之后材料在基板上聚合，并去除覆板。期望改进包括iap技术的纳米压印光刻技术和平坦化技术，以改进例如整个基板处理、分步和重复处理以及半导体器件制造。
技术实现思路
1、一种平坦化系统包括：覆板卡盘，其包括被构造为保持覆板的保持表面；可充气隔膜，其具有：限定内边缘的内径；限定外边缘的外径；以及在内边缘与外边缘之间在径向上的中点，其中，所述可充气隔膜设置在所述覆板卡盘的保持表面的径向外侧；以及吹扫气体通道，其设置在所述可充气隔膜的中点的径向内侧并且在所述覆板卡盘的保持表面的径向外侧。
2、一种平坦化方法包括：将来自喷嘴的吹扫气体施加到覆板卡盘下方的区域，其中所述覆板卡盘包括保持覆板的保持表面；使在所述覆板卡盘的保持表面的径向外侧设置的可充气隔膜膨胀，直到在所述可充气隔膜与同所述可充气隔膜相对的表面之间达到预定距离；使基板上的可成形材料与所述覆板接触以扩散所述可成形材料；以及收缩所述可充气隔膜以维持所述预定距离，并且在所述可成形材料的扩散期间在所述覆板卡盘下方的区域中维持所述吹扫气体的预定浓度。
3、当结合附图和所提供的权利要求阅读本公开的示例性实施例的以下详细描述时，本公开的这些和其他方面、特征和优点将变得显而易见。
1.一种平坦化系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的平坦化系统，所述平坦化系统还包括：
3.根据权利要求2所述的平坦化系统，
4.根据权利要求1所述的平坦化系统，所述平坦化系统还包括：
5.根据权利要求4所述的平坦化系统，所述平坦化系统还包括：
6.根据权利要求4所述的平坦化系统，其中，所述一个或更多个喷嘴设置在覆板卡盘和围绕基板卡盘的贴件中的一个中。
7.根据权利要求1所述的平坦化系统，所述平坦化系统还包括：
8.根据权利要求7所述的平坦化系统，其中调制系统包括：压力源，其对可充气隔膜加压，使得可充气隔膜在将可成形材料扩散在由基板卡盘保持的基板上的处理之前和期间朝向贴件膨胀。
9.根据权利要求1所述的平坦化系统，
10.根据权利要求1所述的平坦化系统，其中，所述可充气隔膜包括由同心中心环形部分划分的两个或更多个同心中空环形部分。
11.根据权利要求10所述的平坦化系统，其中，同心中心环形部分包括，将可充气隔膜安装到卡盘的一个或更多个螺栓连接结构。
12.根据权利要求10所述的平坦化系统，其中，所述可充气隔膜包括，用于将压力供应到中空环形部分中的一个或更多个气动供应通道。
13.根据权利要求12所述的平坦化系统，其中，所述可充气隔膜包括中心环形部分与内底表面之间的间隙，所述间隙允许来自所述气动供应通道的压力供应到同心中空环形部分中。
14.一种平坦化方法，其包括：
15.根据权利要求14所述的平坦化方法，所述平坦化方法还包括：
