本发明涉及束检测器、多带电粒子束照射装置及束检测器的调整方法。
背景技术：
1、随着lsi的高集成化，半导体设备的电路线宽被进一步微细化。作为形成用来向这些半导体设备形成电路图案的曝光用掩模(由步进式光刻机或扫描式光刻机使用的也被称作中间掩模)的方法，使用具有优异的分辨率的电子束描绘技术。
2、作为电子束描绘装置，使用多束的描绘装置的开发正在被推进。通过使用多束，与用1条电子束进行描绘的情况相比能够照射更多的束，所以能够大幅地提高生产量。在多束方式的描绘装置中，例如使从电子枪放出的电子束穿过拥有多个孔的孔径部件而形成多束，用消隐孔径阵列进行各束的消隐控制，将没有被遮蔽的束用光学系统缩小，对被载置于能够移动的台上的基板照射。
3、为了高精度地保持基板上的多束的照射位置，高精度地掌握构成多束的各束的基板上的位置是重要的。在束条数较少例如为几条左右、束间间距充分宽的结构中，为各束用而在台上配置与束条数相同数量的标记，通过用各束在对应的标记上扫描，能够测量各束的位置。
4、但是，随着电路图案的微细化，为了大幅地提高生产量，需要由更多的束条数形成的多束。并且，随着束条数的增加，束径变小，束间间距变窄。这样，随着束条数增加、束间间距变窄，从所照射的多束之中将各束使用按每1条单独配置在台上的标记来检测并不容易。
5、提出了使用形成有1个尺寸比多束的束间间距小、比束径大的穿过孔的薄膜的孔径，用光敏二极管等的传感器检测穿过了该穿过孔的1条检测对象束的单独束检测器。但是，在这样的单独束检测器中，担心通过检测对象束附近的束透过薄膜孔径而产生的散射电子入射到传感器中、成为噪声源而使检测精度下降。为了将散射电子遮蔽，可以考虑在薄膜孔径(第1孔径)与传感器之间设置第2孔径，但薄膜孔径的孔及第2孔径的孔都是微细的孔，对位较困难。
技术实现思路
1、目的是提供将两级孔径的孔高精度地对位的束检测器、多带电粒子束照射装置及束检测器的调整方法。
2、本发明的一技术方案的束检测器具备：第1孔径基板，形成有第1穿过孔；第2孔径基板，形成有能够供穿过上述第1穿过孔后的1条检测对象束穿过的第2穿过孔；以及传感器，检测穿过上述第2穿过孔后的上述检测对象束的束电流；上述第2孔径基板包含导电性的材料，在上述第2穿过孔的周围形成有能够供光穿过的多个第3穿过孔。
1.一种束检测器，其中，
2.如权利要求1所述的束检测器，其中，
3.如权利要求1所述的束检测器，其中，
4.如权利要求1所述的束检测器，其中，
5.如权利要求1所述的束检测器，其中，
6.如权利要求1所述的束检测器，其中，
7.如权利要求1所述的束检测器，其中，
8.一种多带电粒子束照射装置，其中，
9.如权利要求8所述的多带电粒子束照射装置，其中，
10.如权利要求8所述的多带电粒子束照射装置，其中，
11.如权利要求8所述的多带电粒子束照射装置，其中，
12.如权利要求8所述的多带电粒子束照射装置，其中，
13.如权利要求8所述的多带电粒子束照射装置，其中，
14.如权利要求8所述的多带电粒子束照射装置，其中，
15.一种束检测器的调整方法，进行第1孔径基板的第1穿过孔与第2孔径基板的第2穿过孔的对位，上述第1孔径基板形成有比多带电粒子束的束间间距小的该第1穿过孔，上述第2孔径基板形成有能够供该多带电粒子束的1条检测对象束穿过的该第2穿过孔以及在上述第2穿过孔的周围形成的多个第3穿过孔，其中，所述调整方法包括如下工序：
16.如权利要求15所述的束检测器的调整方法，其中，
