本公开属于显示，具体涉及一种掩膜板及掩膜板的制备方法。
背景技术：
1、现如今对于有机电致发光二极管(organic light-emitting diode，oled)产品的像素密度(pixels per inch，ppi)要求越来越高，增强现实(augmented reality，ar)或者虚拟现实(virtual reality，vr)产品的ppi已经达到了4000以上，达到了传统掩膜板技术的极限，需要使用硅基高精度掩膜板。
2、高精度掩膜板可以采用硅片作为掩膜片，通过刻蚀减薄和深硅刻蚀制作高精度微孔阵列，然而深硅刻蚀制作的微孔多为直孔，很难制作出带有坡度角角的孔，在利用高精度掩膜板进行蒸镀过程中，直孔限制了蒸镀材料的蒸镀角度，极大地影响了蒸镀效果，进而影响蒸镀形成的发光器件的显示效果。
技术实现思路
1、本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供了一种掩膜板及掩膜板的制备方法。
2、第一方面，本公开实施例提供了一种掩膜板，所述掩膜板包括：掩膜框、位于所述掩膜框上且沿背离所述掩膜框方向依次设置的第一掩膜层和第二掩膜层；
3、所述第一掩膜层设置有第一开孔，所述第二掩膜层设置有第二开孔；
4、所述第一开孔和所述第二开孔的中心对齐，且所述第一开孔的面积大于所述第二开孔的面积。
5、可选地，所述第一掩膜层的厚度为h，所述第一开孔与所述第二开孔的边缘之间的距离为d，所述第一开孔和所述第二开孔的边缘形成坡度角为θ；
6、tanθ＝d/h；其中，θ≤75°。
7、可选地，所述第一掩膜层和所述第二掩膜层的材料不同。
8、可选地，所述第一掩膜层和第二掩膜层中的一者的材料为陶瓷，另一者的材料为玻璃。
9、可选地，所述第一掩膜层的厚度为3微米至5微米；所述第二掩膜层的厚度为1微米至3微米。
10、可选地，所述掩膜框的材料为单晶硅。
11、可选地，所述掩膜板还包括：键合层；
12、所述键合层位于所述第一掩膜层和所述第二掩膜层之间。
13、可选地，所述键合层的材料为金属合金或氧化物。
14、第二方面，本公开实施例提供了一种掩膜板的制备方法，所述掩膜板的制备方法包括：
15、将第一掩膜层和第二掩膜层贴合；
16、利用第一构图工艺，在所述第一掩膜层上形成第一开孔；
17、利用第二构图工艺，在所述第二掩膜层上形成第二开孔；所述第一开孔和所述第二开孔的中心对齐，且所述第一开孔的面积大于所述第二开孔的面积。
18、可选地，利用第二构图工艺，在所述第二掩膜层上形成第二开孔，包括：
19、以所述第一开孔作为掩膜对所述第二掩膜层进行激光诱导，形成所述第二开孔。
1.一种掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括：掩膜框、位于所述掩膜框上且沿背离所述掩膜框方向依次设置的第一掩膜层和第二掩膜层；
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度为h，所述第一开孔与所述第二开孔的边缘之间的距离为d，所述第一开孔和所述第二开孔的边缘形成坡度角为θ；
3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜层和所述第二掩膜层的材料不同。
4.根据权利要求3所述的掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜层和第二掩膜层中的一者的材料为陶瓷，另一者的材料为玻璃。
5.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度为3微米至5微米；所述第二掩膜层的厚度为1微米至3微米。
6.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜框的材料为单晶硅。
7.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板还包括：键合层；
8.根据权利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述键合层的材料为金属合金或氧化物。
9.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，所述掩膜板的制备方法包括：
10.根据权利要求9所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，利用第二构图工艺，在所述第二掩膜层上形成第二开孔，包括：
