本发明涉及蚀刻液技术，尤其涉及一种低损伤显示面板ito-ag蚀刻液、其制备方法与应用。
背景技术：
1、ito-ag-ito蚀刻液多应用于液晶显示器(tft-lcd)与有机发光二极管(oled)制造过程中像素电极的刻蚀。目前商用的ito-ag-ito蚀刻方法根据其工艺步骤可以分为如下三种：
2、一步法：使用ito-ag-ito蚀刻液经过一个工艺步骤实现对于ito和ag叠层的刻蚀。优点是工艺简单，设备要求低；缺点在于使用同一蚀刻液兼容两种腐蚀速率相差巨大的材料叠层的蚀刻，易导致形貌缺陷。
3、二步法：第一步使用ito-ag蚀刻液完成top-ito与ag的蚀刻，第二步使用专用的ito蚀刻液完成bottom-ito的蚀刻及top-ito的形貌修饰。工艺和设备要求比一步法复杂，但分步刻蚀使其工艺更容易调节，也能够获得更加良好的形貌。
4、三步法：将蚀刻过程分为三步，上下两层ito使用ito蚀刻液刻蚀，中间层的ag(残留的极少部分ito)使用ag蚀刻液进行刻蚀。三层的蚀刻工艺能够分别调节，能够实现更为精细的形貌控制。
5、目前常见的两步法ito-ag-ito蚀刻液多为第一步使用磷酸-硝酸-醋酸体系蚀刻top-ito+ag层，第二步使用硫酸硝酸混酸或草酸溶液蚀刻bottom-ito。
6、在第一步制程中，磷酸作为主要的氢离子来源，硝酸在ag蚀刻过程中提供氧化性，醋酸作为缓冲组分维持整个体系的离子浓度平衡。第二步使用草酸时，草酸可能会与第一步蚀刻过程中残余的ag反应生成草酸银沉淀污染基板；并且草酸溶液中的水易挥发，需要在线监控设备控制浓度。如第二步使用的是硫酸硝酸混酸，则由于有硝酸的存在易导致ag发生腐蚀，影响形貌结果。
7、目前的二步法蚀刻液存在刻蚀速率不稳定，蚀刻后有析出物、ito残留、毛刺和内缩，ito刻蚀速率较慢的问题，因此，需要开发具有稳定的刻蚀速率，蚀刻后无析出物、ito残留、毛刺和内缩的蚀刻液。
技术实现思路
1、本发明的目的在于，针对传统二步法蚀刻液不同程度的存在蚀刻后有析出物、ito残留、毛刺和内缩的问题，提出一种低损伤显示面板ito-ag蚀刻液，该蚀刻液对于ito-ag有稳定的刻蚀速率，蚀刻后无析出物、ito残留、毛刺和内缩，且ito刻蚀速率较快，能在oled像素电极制造过程中使用。
2、需要注意的是，在本发明中，除非另有规定，涉及组成限定和描述的“包括”的具体含义，既包含了开放式的“包括”、“包含”等及其类似含义，也包含了封闭式的“由…组成”等及其类似含义。
3、为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种低损伤显示面板ito-ag蚀刻液，包括重量配比如下的各组分：
4、
5、进一步地，所述效低损伤显示面板ito-ag蚀刻液ph小于等于3，蚀刻液ph小于等于3，能提供足够的刻蚀速率。
6、进一步地，所述无机含氧酸为硫酸、硝酸、次氯酸、磷酸和亚磷酸中的一种或几种。
7、进一步地，所述无机含氧酸优选为磷酸和硝酸。
8、进一步地，所述无机含氧酸为质量比为25:1～40:1的磷酸和硝酸混合酸。其中，硝酸提供氧化性，磷酸在作为氢离子源的同时，其所含的大量磷酸根对金属离子有螯合作用，防止金属离子出现析出。
9、进一步地，所述无机含氧酸为质量比优选为30:1的磷酸和硝酸混合酸。
10、进一步地，所述无机含氧酸为55-75份。
11、进一步地，所述有机羧酸为乙酸、柠檬酸、酒石酸、乙醇酸、苯六甲酸、三氯乙酸、α-硫辛酸、11-巯基十一烷酸和高胱氨酸中的一种或几种。
12、进一步地，所述有机羧酸包含含硫羧酸，所述含硫羧酸为α-硫辛酸、11-巯基十一烷酸和高胱氨酸中的一种或几种。
13、所述含硫羧酸其分子结构中含有硫-氢键(s-h键)，这种键能与ag反应生成ag2s保护膜，硫化银是一种相对稳定的化合物，可以保护银表面免受腐蚀；酒石酸可以促进ito的蚀刻，提升ito的刻蚀速率。
14、进一步地，所述有机羧酸为质量比为1:1～2:5的α-硫辛酸和酒石酸混合酸。
15、进一步地，所述有机羧酸为质量比优选为2:5的α-硫辛酸和酒石酸混合酸。
16、进一步地，所述有机羧酸为15-25份。
17、进一步地，所述氨基磺酸为9-氨基萘-1,6-二磺酸、2-萘胺-4,8-二磺酸、7-氨基-1,3,5-萘三磺酸、8-氨基-1,3,6-萘三磺酸和1-萘胺-4,8-二磺酸中的一种或几种。
18、进一步地，所述氨基磺酸优选为2-萘胺-4,8-二磺酸。
19、进一步地，所述氨基磺酸为2-4份。
20、所述氨基磺酸能通过氮原子外孤对电子吸附在银表面形成保护膜，苯环和磺酸基中的s原子构建起具有一定空间结构的吸附保护膜，进一步降低银的腐蚀速率。在酸性环境下，所述氨基磺酸中的磺酸基能与ito表面的氧化物发生反应，产生水分子和硫酸根离子，促进ito表面结构破坏和溶解，从而提高ito刻蚀速率。
21、进一步地，所述螯合剂为乙二胺四乙酸钠、酒石酸钠、柠檬酸钠、磷酸二氢钾和磷酸二氢钠中的一种或几种。
22、进一步地，所述螯合剂优选为酒石酸钠。
23、进一步地，所述螯合剂为0.5-1份。
24、进一步地，所述表面活性剂为氨基聚乙二醇巯基。
25、进一步地，所述表面活性剂为分子量400的氨基聚乙二醇巯基、分子量600的氨基聚乙二醇巯基、分子量1000的氨基聚乙二醇巯基和分子量2000的氨基聚乙二醇巯基中的一种或几种。
26、进一步地，所述表面活性剂优选为分子量400的氨基聚乙二醇巯基，所述400的氨基聚乙二醇巯基具有优异的润湿性。
27、进一步地，所述表面活性剂为1-3份。
28、所述氨基聚乙二醇巯基上接枝的巯基能与硫辛酸起到协同作用促进ag2s保护膜的形成；且聚乙二醇peg本身具有表面活性，能够促进蚀刻液对于三明治结构中处于中间的ag层的润湿，进一步促进缓蚀膜的均匀形成与分布。
29、进一步地，所述超纯水为电阻至少为18mω的去离子水。
30、进一步地，所述超纯水为35-45份。
31、本发明的另一个目的还公开了上述种低损伤显示面板ito-ag蚀刻液的制备方法，包括以下步骤：
32、步骤1：分别称取各组份；
33、步骤2：将所有组份搅拌混合，并加热至30-40℃，直至所有物料溶解完全，制备得到低损伤显示面板ito-ag蚀刻液。所述低损伤显示面板ito-ag蚀刻液为透明或淡黄色。
34、本发明的另一个目的还公开了上述低损伤显示面板ito-ag蚀刻液在蚀刻ito-ag-ito复合层的应用。
35、进一步地，所述低损伤显示面板ito-ag蚀刻液能用于二步法蚀刻中的第二步蚀刻(蚀刻bottom-ito)。
36、本发明的另一个目的还公开了上述低损伤显示面板ito-ag蚀刻液蚀刻ito-ag-ito复合层的方法，包括以下步骤：
37、s1：将镀有ito-ag-ito复合层的基板浸没在包含磷酸、硝酸和醋酸的ito-ag蚀刻液中，进行第一步蚀刻(蚀刻top-ito+ag层)；蚀刻时间为40-80s，蚀刻温度为40～45℃。
38、s2：将第一步蚀刻后的基板浸没在所述低损伤显示面板ito-ag蚀刻液中，进行第二步蚀刻(蚀刻bottom-ito)；蚀刻时间为50-150s，蚀刻温度为40～45℃。
39、进一步地，s1蚀刻时间为50-70s。
40、进一步地，s1蚀刻时间为80-110s。
41、本发明低损伤显示面板ito-ag蚀刻液，与现有技术相比较具有以下优点：
42、(1)、本发明有机羧酸优选含硫羧酸，其分子结构中含有硫-氢键(s-h键)，这种键能够与银表面上的银离子(ag+)发生化学反应，形成硫化银(ag2s)沉淀，硫化银是一种相对稳定的化合物，可以保护银表面免受腐蚀；同时氨基磺酸，可以通过氮原子外孤对电子吸附在银表面形成保护膜，苯环和磺酸基中的s原子构建起具有一定空间结构的吸附保护膜，进一步降低银的腐蚀速率；二者共同作用可增强对银的保护作用；在酸性环境下，氨基磺酸中的磺酸基能与ito表面的氧化物发生反应，产生水分子和硫酸根离子，促进ito表面结构破坏和溶解，从而提高ito刻蚀速率；
43、(2)、oled像素电极多为ito ag ito的叠层，采用润湿性不佳的蚀刻液蚀刻将会导致刻蚀形貌缺陷。本发明表面活性剂的添加能够提高蚀刻液的润湿性，能够在叠层缝隙很好的蚀刻，或者通过润湿来更好的去除ito里的sno2。此外，表面活性剂选用改性的氨基聚乙二醇巯基时，其上接枝的巯基与含硫羧酸起到协同作用促进ag2s保护膜的形成；且聚乙二醇peg本身具有表面活性，能够促进蚀刻液对于三明治结构中处于中间的ag层的润湿，进一步促进缓蚀膜的均匀形成与分布；
44、(3)、本发明低损伤显示面板ito-ag蚀刻液在使用温度40～45℃下，与传统酸性蚀刻液相比，对ito具有较快的刻蚀速率，所述刻蚀速率高达
45、(4)、本发明低损伤显示面板ito-ag蚀刻液不含有强挥发组分，经时稳定性好，储存时间长。
46、综上，本发明低损伤显示面板ito-ag蚀刻液在显示面板领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。
1.一种低损伤显示面板ito-ag蚀刻液，其特征在于，包括重量配比如下的各组分：
2.根据权利要求1所述低损伤显示面板ito-ag蚀刻液，其特征在于，所述无机含氧酸为硫酸、硝酸、次氯酸、磷酸和亚磷酸中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述低损伤显示面板ito-ag蚀刻液，其特征在于，所述有机羧酸为乙酸、柠檬酸、酒石酸、乙醇酸、苯六甲酸、三氯乙酸、α-硫辛酸、11-巯基十一烷酸和高胱氨酸中的一种或几种。
4.根据权利要求1或3所述低损伤显示面板ito-ag蚀刻液，其特征在于，所述有机羧酸为质量比为1:1～2:5的α-硫辛酸和酒石酸混合酸。
5.根据权利要求1所述低损伤显示面板ito-ag蚀刻液，其特征在于，所述氨基磺酸为9-氨基萘-1,6-二磺酸、2-萘胺-4,8-二磺酸、7-氨基-1,3,5-萘三磺酸、8-氨基-1,3,6-萘三磺酸和1-萘胺-4,8-二磺酸中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述低损伤显示面板ito-ag蚀刻液，其特征在于，所述螯合剂为乙二胺四乙酸钠、酒石酸钠、柠檬酸钠、磷酸二氢钾和磷酸二氢钠中的一种或几种。
7.根据权利要求1所述低损伤显示面板ito-ag蚀刻液，其特征在于，所述表面活性剂为氨基聚乙二醇巯基。
8.权利要求1-7任意一项所述低损伤显示面板ito-ag蚀刻液的制备方法，包括以下步骤：
9.权利要求1-7任意一项所述低损伤显示面板ito-ag蚀刻液在蚀刻ito-ag-ito复合层的应用。
10.权利要求1-7任意一项所述低损伤显示面板ito-ag蚀刻液蚀刻ito-ag-ito复合层的方法，其特征在于，包括以下步骤：
