本技术实施例是关于一种半导体装置，特别是关于一种包含晶体管的半导体装置。
背景技术：
1、随着半导体产业为了追求高装置密度、较佳的效能及较低成本而进步至纳米科技工艺节点，集成电路的设计及制造的挑战皆大幅地增加。举例而言，在制造半导体装置过程中，制作半导体装置的结构或区域可能因为高密度而影响或甚至破坏半导体装置的其他结构或区域，进而会降低半导体装置的品质及产量。
技术实现思路
1、本实用新型实施例是提供一种半导体装置，其是包含：设置在半导体基材的第一主表面上的场效晶体管、设置在半导体基材相对的第二主表面上的分散式布拉格反射器以及设置在分散式布拉格反射器中的导电贯孔。场效晶体管包含栅极结构及源极/漏极区域。导电贯孔穿透半导体基材，并与源极/漏极区域直接电性接触。
2、本实用新型实施例是提供一种半导体装置，其是包含设置在半导体基材的第一主表面上的半导体装置元件，半导体装置元件包含磊晶层；设置在半导体基材的第二主表面上的交替的多个第一层及多个第二层；以及在多个第一层及多个第二层中，并穿过半导体基材的第二主表面的导电贯孔。
3、本实用新型实施例是提供一种半导体装置，其是包含：在半导体基材的第一主表面上的前端工艺结构；在前端工艺结构上的中段工艺结构；在中段工艺结构上的后端工艺结构；以及在半导体基材相对的第二主表面上的分散式布拉格反射器。前端工艺结构包含栅极结构及源极/漏极区域。中段工艺结构包含栅极至金属内连接、源极至金属内连接及漏极至金属内连接。后端工艺结构包含金属内连接层及低介电常数介电膜。
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该场效晶体管包含一平面式场效晶体管、一鳍式场效晶体管、一沟槽式场效晶体管、一环绕式栅极场效晶体管或一多桥通道场效晶体管。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，还包含：
