本发明大体上涉及电子器件，且更特定来说涉及包括存储器单元的器件。
背景技术：
1、包括存储器的电子器件例如包括存储器单元阵列。存储器单元阵列包括存储器单元的行和列，同一行的单元由位线耦合且同一列的单元由字线耦合。
技术实现思路
1、本公开的目的是提供电子器件，以至少部分地解决现有技术中存在的问题。
2、本公开的一方面提供了一种电子器件，包括：衬底，具有第一表面；第一部分，包括所述衬底的所述第一表面上的存储单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个行和多个列；第二部分，包括多个晶体管；第一多个沟槽，分隔所述存储器单元的多个行中的每一行的第一多个衬底区域，所述第一多个沟槽具有第一厚度，以及第二多个沟槽，分隔所述存储器单元的多个列中的每一列的第二多个衬底区域，所述第二多个沟槽具有大于所述第一多个沟槽的所述第一厚度的第二厚度，其中所述第一沟槽和所述第二沟槽的上表面分由短于10nm的距离分隔。
3、根据一个或多个实施例，其中所述第一多个沟槽中的每一沟槽包括：第一部分，横向于所述衬底的所述第一表面并且延伸穿过所述衬底的所述第一表面；以及第二部分，耦合到所述第一多个沟槽中的每一沟槽的所述第一部分。
4、本公开的另一方面提供了一种电子器件，包括：衬底，具有与第二表面相对的第一表面；第一多个沟槽，在所述衬底中，所述第一多个沟槽沿横向于所述衬底的所述第一表面的第一方向延伸，所述第一多个沟槽中的每一沟槽包括：第一部分，所述第一部分具有与所述衬底的第一表面共面的第一表面并且沿所述第一方向延伸第一距离到所述衬底中；第二部分，具有耦合到每个第一部分的第一表面的第一表面并且沿所述第一方向远离所述衬底延伸，每个第二部分的第一表面与每个第二部分的第二表面相对；以及第一层，耦合到每个第二部分的第二表面；第二多个沟槽，在所述衬底中，所述第二多个沟槽沿横向于所述衬底的所述第一表面的所述第一方向延伸，所述第二多个沟槽中的每一沟槽具有所述衬底中的第一表面和延伸出所述衬底的与所述第一表面相对的第二表面；以及第二层，耦合到所述第二多个沟槽中的每一沟槽的第二表面。
5、根据一个或多个实施例，其中所述衬底包括：第一区；第二区，所述第二区完全覆盖所述第一区；以及在所述第二区上的第三区。
6、根据一个或多个实施例，电子器件包括所述衬底上的存储器单元阵列。
7、根据一个或多个实施例，其中所述存储器单元阵列包括多个行和多个列，所述多个列由所述第一多个沟槽分隔并且所述多个行由所述第二多个沟槽分隔。
8、根据一个或多个实施例，其中所述第二多个沟槽由多个绝缘区域分隔。
9、利用本公开的实施例有利地减小器件的尺寸并且还防止电流泄漏。
1.一种电子器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第一多个沟槽中的每一沟槽包括：
3.一种电子器件，其特征在于，包括：
4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述衬底包括：
5.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，包括所述衬底上的存储器单元阵列。
6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，所述存储器单元阵列包括多个行和多个列，所述多个列由所述第一多个沟槽分隔并且所述多个行由所述第二多个沟槽分隔。
7.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述第二多个沟槽由多个绝缘区域分隔。
